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陶瓷磨削的表面/亚表面损伤 被引量:14
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作者 邓朝晖 张璧 +2 位作者 周志雄 任莹晖 刘建 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期61-71,共11页
磨削是目前工程陶瓷的主要加工方法 ,本文主要对国内外在陶瓷磨削后工件表面 /亚表面损伤 (主要是微裂纹和表面残余应力 )方面所作的研究成果进行了总结、分析和讨论 ,提出了一些有待研究的问题及其研究思路 .同时就作者所承担项目“纳... 磨削是目前工程陶瓷的主要加工方法 ,本文主要对国内外在陶瓷磨削后工件表面 /亚表面损伤 (主要是微裂纹和表面残余应力 )方面所作的研究成果进行了总结、分析和讨论 ,提出了一些有待研究的问题及其研究思路 .同时就作者所承担项目“纳米结构材料精密磨削及其预报”研究中的临界砂轮磨粒切深 (dc)和被磨工件临界损伤深度 Cr(临界中位裂纹长度 )的预测模型进行了分析 ,并建立了临界砂轮磨粒切深 (dc)理论模型 . 展开更多
关键词 陶瓷磨削 工程陶瓷 金刚石砂轮磨削 表面/亚表面损伤 临界砂轮磨粒切深 临界裂纹长度 微裂纹
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碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展 被引量:3
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作者 李国峰 陈泓谕 +5 位作者 杭伟 韩学峰 袁巨龙 皮孝东 杨德仁 王蓉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第11期1907-1921,共15页
表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC... 表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC衬底加工过程中引入的表面/亚表面损伤均严重影响材料性能、同质外延薄膜性质,以及器件性能和可靠性。本文将重点介绍4H-SiC晶片在切片、减薄、研磨、抛光等各个加工环节中表面/亚表面损伤的形成和去除机制,基于4H-SiC晶圆表面/亚表面损伤的检测方法,综述亚表面损伤的形貌和表征参量,并简单介绍三种常见的亚表面损伤的消除方法,分析其技术优势和发展瓶颈,对去除亚表面损伤工艺的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 半导体 4H-SIC 衬底晶圆 表面/亚表面损伤 晶圆加工
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碳化硅研抛加工过程中亚表面损伤的研究 被引量:2
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作者 谷岩 朱文慧 +2 位作者 林洁琼 孙建波 卢发祥 《制造技术与机床》 北大核心 2018年第5期125-131,共7页
碳化硅抛光加工中极易出现表面/亚表面损伤,使其应用受限。基于研抛加工中脆性材料去除机理,建立亚表面损伤深度(SSD)的理论模型。利用有限元仿真模拟了单颗粒抛光加工的过程,分析了不同研抛参数(抛光速度、抛光深度和磨粒顶角)对SSD的... 碳化硅抛光加工中极易出现表面/亚表面损伤,使其应用受限。基于研抛加工中脆性材料去除机理,建立亚表面损伤深度(SSD)的理论模型。利用有限元仿真模拟了单颗粒抛光加工的过程,分析了不同研抛参数(抛光速度、抛光深度和磨粒顶角)对SSD的影响。结果表明,当加工深度大于脆性材料临界切削深度时,材料去除主要是脆性模式;SSD随着磨粒顶角以及抛光深度的增大而增大,随着抛光速度的增加而减小,但是抛光速度过高会不利于亚表面损伤的控制。由于抛光过程中运动学特性,抛光速度对SSD的影响大于抛光深度和磨粒顶角。 展开更多
关键词 碳化硅瓷 研抛加工 表面/亚表面损伤 脆性去除机理 有限元仿真
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碳化硅陶瓷的磨削损伤特性
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作者 叶卉 谢家富 倪安杰 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2025年第2期176-188,共13页
为探究碳化硅陶瓷的磨削损伤特性,通过单颗粒划擦实验和磨削实验,结合有限元仿真,明确碳化硅陶瓷塑脆性去除转变的临界应力值以及磨削参数对材料损伤的影响。单颗粒划擦实验表明,实验中使用的碳化硅陶瓷的断裂强度约为344 MPa。实验与... 为探究碳化硅陶瓷的磨削损伤特性,通过单颗粒划擦实验和磨削实验,结合有限元仿真,明确碳化硅陶瓷塑脆性去除转变的临界应力值以及磨削参数对材料损伤的影响。单颗粒划擦实验表明,实验中使用的碳化硅陶瓷的断裂强度约为344 MPa。实验与仿真结果都表明:不同载荷下的材料微观结构作用不同,当接触应力小于材料晶界的临界断裂强度时,晶界结构起到黏性作用,消耗应力以抑制裂纹拓展;随着载荷进一步增加,虽未达到材料断裂极限,但材料表面依旧会存在由晶界、石墨相以及气孔等结构破坏而产生的裂纹和坑洞;当接触应力大于材料晶界的临界断裂强度时,其微观结构对裂纹增长起到促进作用,使得碳化硅陶瓷损伤区域进一步扩大。磨削实验表明:优化磨削工艺参数可获得最小的磨粒未变形磨屑厚度和磨削力,从而最小化材料表面损伤比例和亚表面损伤深度,分别为0.396%和4.768μm,相较于最差参数,其损伤值仅为各自对应值的16.01%和13.22%;材料磨削损伤进程与单颗磨粒划擦损伤进程类似,依次经历塑性去除、塑脆性去除和脆性去除3个阶段,且磨削力、磨粒未变形最大磨屑厚度变化与材料损伤变化趋势相同,即随着进给速度和磨削深度的增加而增大,随着砂轮转速的提高而减小。同时,陶瓷材料的内部结构降低了材料损伤产生阈值,是导致其容易产生加工损伤的重要原因。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 磨削加工 磨粒未变形最大磨屑厚度 表面/亚表面损伤
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硅片低损伤磨削砂轮及其磨削性能 被引量:11
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作者 王紫光 高尚 +2 位作者 朱祥龙 董志刚 康仁科 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期2689-2696,共8页
针对传统金刚石砂轮磨削硅片存在的表面/亚表面损伤问题,研制了一种用于硅片化学机械磨削加工的新型常温固化结合剂软磨料砂轮。根据化学机械磨削加工原理和单晶硅的材料特性,设计的软磨料砂轮以氧化铈为磨料,二氧化硅为添加剂,氯氧镁... 针对传统金刚石砂轮磨削硅片存在的表面/亚表面损伤问题,研制了一种用于硅片化学机械磨削加工的新型常温固化结合剂软磨料砂轮。根据化学机械磨削加工原理和单晶硅的材料特性,设计的软磨料砂轮以氧化铈为磨料,二氧化硅为添加剂,氯氧镁为结合剂。研究了软磨料砂轮的制备工艺,分析了软磨料砂轮的微观组织结构和成分。通过测量加工硅片的表面粗糙度、表面微观形貌和表面/亚表面损伤,进一步研究了软磨料砂轮的磨削性能。最后,与同粒度金刚石砂轮磨削和化学机械抛光(CMP)加工的硅片进行了对比分析。结果表明,采用软磨料砂轮磨削的硅片其表面粗糙度Ra<1nm,亚表面损伤仅为深度<30nm的非晶层,远好于金刚石砂轮磨削硅片,接近于CMP的加工水平,实现了硅片的低损伤磨削加工。 展开更多
关键词 单晶硅 软磨料砂轮 化学机械磨削 表面粗糙度 表面/亚表面损伤
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铌酸锂晶体超精密加工技术研究进展 被引量:1
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作者 田业冰 魏成伟 +1 位作者 宋晓梅 钱乘 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2024年第6期695-724,F0003,共31页
铌酸锂(LiNbO_(3))晶体光电特性优异,是制造光学调制器、频率倍增器、滤波器等光电子器件的首选材料,在5G无线通信、微纳/集成光子学和人工智能等前沿领域具有巨大应用价值。然而,铌酸锂晶体硬度低、脆性大、各向异性强,大尺寸高品质晶... 铌酸锂(LiNbO_(3))晶体光电特性优异,是制造光学调制器、频率倍增器、滤波器等光电子器件的首选材料,在5G无线通信、微纳/集成光子学和人工智能等前沿领域具有巨大应用价值。然而,铌酸锂晶体硬度低、脆性大、各向异性强,大尺寸高品质晶体的制备方法及其高效高质低/无损伤的超精密加工技术是实现铌酸锂晶体器件广泛应用的重要瓶颈。本文主要介绍超精密加工铌酸锂晶体过程中表面/亚表面损伤的产生机理与演变规律,以及减薄、研磨、抛光、超构表面制备等方面的研究进展。分析铌酸锂加工过程中易出现划痕、裂纹和磨料嵌入的原因,以及目前常用铌酸锂晶体超精密加工方法的特点及局限性,提出未来实现大尺寸铌酸锂高效率高表面质量加工的新技术。研究表明:离子切片和磨削能有效实现铌酸锂晶体减薄,研磨和化学机械抛光是常用的铌酸锂晶体表面超精密加工技术,刻蚀、激光烧蚀、聚焦离子束等技术是制备高质量铌酸锂超构表面的微纳加工技术。同时,高剪低压磨削、磁性剪切增稠抛光等新技术在实现铌酸锂晶体表面高效高质加工方面具有极大潜力,但铌酸锂晶体材料去除机理、弹-塑-脆加工临界条件和表面质量控制等问题还亟待系统研究。 展开更多
关键词 铌酸锂 超精密加工 表面/亚表面损伤 高剪低压磨削 化学机械抛光 磁性剪切增稠抛光
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单晶硅反射镜的超精密磨削工艺 被引量:14
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作者 王紫光 康仁科 +2 位作者 周平 高尚 董志刚 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期1087-1095,共9页
为了实现单晶硅反射镜高效低损伤的超精密加工,研究了基于工件旋转法磨削原理的单晶硅反射镜超精密磨削工艺。通过形貌检测和成份测试的方法分析了该工艺采用的超细粒度金刚石砂轮的组织结构特征,并对单晶硅进行了超精密磨削试验,研究... 为了实现单晶硅反射镜高效低损伤的超精密加工,研究了基于工件旋转法磨削原理的单晶硅反射镜超精密磨削工艺。通过形貌检测和成份测试的方法分析了该工艺采用的超细粒度金刚石砂轮的组织结构特征,并对单晶硅进行了超精密磨削试验,研究了超细粒度金刚石砂轮的磨削性能。通过砂轮主轴角度与工件面形之间的数学关系实现对磨削工件面形的控制。最后,采用超细粒度金刚石砂轮对Φ100mm×5mm的单晶硅反射镜进行了超精密磨削试验验证。试验结果表明,超细粒度金刚石砂轮磨削后的单晶硅表面粗糙度Ra值小于10nm,亚表面损伤深度小于100nm,磨削后的单晶硅反射镜面形PV值从初始的8.1μm减小到1.5μm。由此说明采用该工艺磨削单晶硅反射镜能够高效地获得低损伤表面和高精度面形。 展开更多
关键词 单晶硅反射镜 工件旋转法磨削 表面/亚表面损伤 面形控制 超细粒度金刚石砂轮
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Experimental investigation of subsurface damage depth of lapped optics by fluorescent method 被引量:5
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作者 WANG Hong-xiang HOU Jing +2 位作者 WANG Jing-he ZHU Ben-wen ZHANG Yan-hu 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第7期1678-1689,共12页
Subsurface defects were fluorescently tagged with nanoscale quantum dots and scanned layer by layer using confocal fluorescence microscopy to obtain images at various depths. Subsurface damage depths of fused silica o... Subsurface defects were fluorescently tagged with nanoscale quantum dots and scanned layer by layer using confocal fluorescence microscopy to obtain images at various depths. Subsurface damage depths of fused silica optics were characterized quantitatively by changes in the fluorescence intensity of feature points. The fluorescence intensity vs scan depth revealed that the maximum fluorescence intensity decreases sharply when the scan depth exceeds a critical value. The subsurface damage depth could be determined by the actual embedded depth of the quantum dots. Taper polishing and magnetorheological finishing were performed under the same conditions to verify the effectiveness of the nondestructive fluorescence method. The results indicated that the quantum dots effectively tagged subsurface defects of fused-silica optics, and that the nondestructive detection method could effectively evaluate subsurface damage depths. 展开更多
关键词 OPTICS subsurface defect nondestructive detection LAPPING subsurface damage
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