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三氯化铁溶液中影响铁镍合金蚀刻速率的因素 被引量：7
1
作者 刘飘 堵永国 +3 位作者 张为军 芦玉峰 杨娟 马占东 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2007年第5期238-241,共4页
采用浸渍蚀刻的方法,研究了影响Fex(x=56-59)Ni1-x合金箔在三氯化铁溶液中蚀刻速率的几个因素,并对蚀刻液的有效蚀刻能力及失效蚀刻液的除镍和再生进行了初步的研究。研究结果表明:氧化还原电位随蚀刻液浓度的增大而升高,氧化还原电位越... 采用浸渍蚀刻的方法,研究了影响Fex(x=56-59)Ni1-x合金箔在三氯化铁溶液中蚀刻速率的几个因素,并对蚀刻液的有效蚀刻能力及失效蚀刻液的除镍和再生进行了初步的研究。研究结果表明:氧化还原电位随蚀刻液浓度的增大而升高,氧化还原电位越高,蚀刻反应趋势越大;蚀刻速率随浓度的增加先增大,再下降,且在浓度为40%左右出现极大值;蚀刻液温度越高、pH值越小,蚀刻速率越大;除镍后的失效蚀刻液经再生后能达到新鲜蚀刻液的90%以上,基本达到再生利用的要求。 展开更多
关键词 FE-NI合金 蚀刻速率 再生 FECL3 蚀刻废液
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不锈钢蚀刻速率影响因素研究 被引量：8
2
作者 傅玉婷 巴俊洲 +1 位作者 蒋亚雄 颜飞雪 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2010年第2期34-36,共3页
研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以... 研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以提高蚀刻速率。 展开更多
关键词 蚀刻 蚀刻速率 影响因素
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模具钢微细蚀刻速率的研究
3
作者 宋卿 张永俊 +1 位作者 于兆勤 王冠 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期40-43,共4页
目的研究模具钢微细蚀刻中，蚀刻速率的变化规律。方法采用蚀刻液喷淋加工方式，对掩膜的模具钢表面进行蚀刻．考察掩膜间隙、蚀刻液啧淋压力、蚀刻液温度对蚀刻速率的影响。结果蚀刻速率随掩膜间隙尺寸的增大而增加，当掩膜尺寸大于150... 目的研究模具钢微细蚀刻中，蚀刻速率的变化规律。方法采用蚀刻液喷淋加工方式，对掩膜的模具钢表面进行蚀刻．考察掩膜间隙、蚀刻液啧淋压力、蚀刻液温度对蚀刻速率的影响。结果蚀刻速率随掩膜间隙尺寸的增大而增加，当掩膜尺寸大于150μm时，蚀刻速率增长较快；较大的喷淋压力有利于蚀刻液的更新和蚀刻产物的排除，使得蚀刻反应充分，蚀刻速率较高；温度在一定范围内升高，蚀刻液活性增大，蚀刻效率提高，蚀刻速率增大。结论最佳工艺条件为：掩膜间隙尺寸150～200μm，蚀刻液喷淋压力1．0～1．4MPa．蚀刻液温度35～40℃。在此加工条件下．模具钢的蚀刻速率高，加工效率高．同时可以保证较好的蚀刻尺寸精度。 展开更多
关键词 微细蚀刻 模具钢 蚀刻速率
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纳米尺度上CR-39径迹蚀刻动力学研究 被引量：1
4
作者 方美华 魏志勇 +6 位作者 黄三玻 杨永常 张紫霞 陈国云 雷升杰 黎光武 郭刚 《核科学与工程》 CSCD 北大核心 2011年第3期263-269,共7页
在对CR-39探测器蚀刻6 h后发现照射区域与未照射区域的体蚀刻速率明显不同,因此用传统的几何模型无法正确得到几何量和物理量之间的对应联系。本文在以往辐射粒子固体径迹研究基础上,利用新的AFM观测手段得到纳米尺度的CR-39三维蚀刻径... 在对CR-39探测器蚀刻6 h后发现照射区域与未照射区域的体蚀刻速率明显不同,因此用传统的几何模型无法正确得到几何量和物理量之间的对应联系。本文在以往辐射粒子固体径迹研究基础上,利用新的AFM观测手段得到纳米尺度的CR-39三维蚀刻径迹坑,并对探测器蚀刻几何模型进行了修正,提出了新的蚀刻速率比:V′=Vt/Virr对几何模型中各个参数进行计算。用修正的几何模型对100 MeV的Si离子的AFM观测结果进行分析。研究表明,100 MeV Si离子的径迹蚀刻速率:Vt=4.12μm/h,Virr=2.55μm/h,V′=1.62,Si离子入射角度为61.03°。同时我们通过局部覆盖法和台阶仪,得到本实验用CR-39的体蚀刻速率Vb=1.58μm/h。两者结合得到100 MeV Si离子的蚀刻速率比:V=2.61>V′。本研究采用传统的几何模型方法经过合理修正应用于新的观测手段,并得到了纳米尺度上蚀刻动力学关键参量。 展开更多
关键词 固体径迹 AFM CR-39 纳米尺度 蚀刻速率比
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碱性蚀刻液影响因素的研究 被引量：7
5
作者 莫凌 李德良 +1 位作者 杨焰 李佳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期54-56,共3页
为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-... 为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-的质量浓度为4．8～6．5mol／L，pH为8．2～9．0，操作温度为48～55℃；2）正交试验结果表明，在Cu^2＋的质量浓度为160g／L，Cl^-的质量浓度为5．5mol／L，pH为8．8，操作温度为50℃时，蚀刻状态最好，静态蚀刻速率可达到5．84um／min。 展开更多
关键词 碱性蚀刻液 蚀刻速率 正交试验 影响因素
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GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展 被引量：1
6
作者 张哲 赵江赫 +2 位作者 张铭 熊青昀 熊金平 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期114-125,共12页
提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关... 提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关注的体系包括无机酸蚀刻体系、有机酸蚀刻体系、混酸蚀刻体系及其他蚀刻体系,对各蚀刻体系的蚀刻速率及蚀刻后的表面形貌进行对比,指出了各蚀刻体系优点与不足及后续的研究方向,归纳总结各了蚀刻体系中主要组成的作用。综述发现,可用于GaSb化学蚀刻液中的氧化剂主要有H_2O_2、HNO_3、I_2、Br_2、KMnO_4,络合剂(或溶解剂)主要有酒石酸、HF、HCl、柠檬酸等,缓冲剂(或稀释剂)主要有HAc和H_2O等。盐酸、双氧水和无机酸组成蚀刻液的蚀刻速率适中,蚀刻表面较为光滑;硝酸、氢氟酸组成的蚀刻液具有蚀刻速率快的优点,可通过添加有机酸或缓冲剂改善蚀刻效果,具有很大的发展前景;磷酸体系则具有蚀刻后台面平整、下切效应小等优点,但蚀刻速率较慢,蚀刻后表面较粗糙;硫酸体系蚀刻后表面较粗糙,不适于GaSb的湿法蚀刻;单一的有机酸和碱性体系的蚀刻速率较慢,但由于具有很强的蚀刻选择性,被广泛应用于GaSb基材料的选择性蚀刻。总体来说,无机酸和有机酸组成的蚀刻体系更有利于提高Ga Sb材料的蚀刻速率及控制表面形貌,各蚀刻体系均存在蚀刻速率可调性不强、蚀刻形貌质量不可控、蚀刻可重复性较差等问题。基于此,总结了改进湿法化学蚀刻GaSb材料的多种研究思路,并对GaSb材料湿法蚀刻的未来发展方向进行展望。 展开更多
关键词 GaSb半导体材料 化学蚀刻 湿法蚀刻 蚀刻体系 蚀刻速率 蚀刻成分作用
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紫外光照射对聚丙烯核孔膜蚀刻的影响
7
作者 周密 傅元勇 +2 位作者 刘义保 鞠薇 陈东风 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期189-192,共4页
采用主峰波长为365nm的紫外光灯对经32S离子和79Br离子辐照过的16μm厚的聚丙烯(PP)膜正反面分别敏化6、8、10、12h。选取重铬酸钾和硫酸的混合溶液作为蚀刻液对样品膜进行蚀刻,采用电导法监测电流随蚀刻时间的变化,确定不同敏化时间下... 采用主峰波长为365nm的紫外光灯对经32S离子和79Br离子辐照过的16μm厚的聚丙烯(PP)膜正反面分别敏化6、8、10、12h。选取重铬酸钾和硫酸的混合溶液作为蚀刻液对样品膜进行蚀刻,采用电导法监测电流随蚀刻时间的变化,确定不同敏化时间下样品膜的导通时间。同种离子辐照后敏化时间越长,膜导通时间越短,径迹蚀刻速率也越快,且辐照离子的原子序数越大,该影响越明显。相同敏化时间(12h)和蚀刻条件下,32S离子辐照后膜的导通时间是79Br离子辐照后的4.8倍。 展开更多
关键词 聚丙烯膜 紫外光敏化 电导法 径迹蚀刻速率
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离子束蚀刻固体表面形貌发展研究
8
作者 张建民 《陕西师大学报（自然科学版）》 CSCD 1989年第3期20-24,共5页
本文导出了离子束蚀刻固体表面形貌发展的一般方程,利用非线性方程的特征曲线解法,建立了离子束蚀刻固体表面形貌发展的三维理论,并由该理论导出了Carter等人的二维理论。
关键词 离子束蚀刻 固体表面 蚀刻速率
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乙醇胺碱性蚀铜液的研究 被引量：2
9
作者 李德良 王丹 +2 位作者 罗洁 龙丽娟 彭芸 《表面技术》 EI CAS CSCD 2008年第1期28-31,共4页
为了开发一种新型碱性蚀刻液以代替传统的氨类蚀刻液，该蚀刻液的组成特点是以铜一乙醇胺络合物、氯离子和碱性pH缓冲液作为主要成分。分别采用静态吊片蚀刻法和动态喷淋蚀刻研究方法探索了其最佳配方和操作条件，结果表明在铜离子浓度... 为了开发一种新型碱性蚀刻液以代替传统的氨类蚀刻液，该蚀刻液的组成特点是以铜一乙醇胺络合物、氯离子和碱性pH缓冲液作为主要成分。分别采用静态吊片蚀刻法和动态喷淋蚀刻研究方法探索了其最佳配方和操作条件，结果表明在铜离子浓度为85～95g／L，氯离子浓度3．5～4．5mol/L，乙醇胺浓度4．5～5mol/L，添加剂浓度0．5～1．5g／L，pH为8．5～9．0，操作温度为55～60℃时，其蚀刻状态最佳，相应的静态和动态蚀刻速率分别达6μm/min和20μm/min，与氨类蚀刻液的对应指标相当，且防侧蚀指标更高。结论是该碱性蚀刻液在生产配制、使用和再生循环过程中无废气排放，技术指标优越，具有良好的工业应用前景。 展开更多
关键词 蚀铜液 乙醇胺 蚀刻速率 侧蚀因子
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超微细加工及设备
10
《中国光学》 EI CAS 1998年第6期69-69,共1页
TN305.7 98063982衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究=Reactive ionbeam etching for diffractive optical elements[刊,中]/杨李茗,虞淑环,许乔,舒晓武,杨国光(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江。
关键词 反应离子束蚀刻 衍射光学元件 现代光学仪器 国家重点实验室 超微细加工 浙江大学 蚀刻速率 光栅 技术研究 设备
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