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低温薄规格取向硅钢初次再结晶组织对二次再结晶行为的影响 被引量：6
1
作者 何承绪 马光 +5 位作者 陈新 杨富尧 程灵 杨勇杰 胡卓超 孟利 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S01期457-461,共5页
取向硅钢成品带材具有锋锐的Goss织构,其前提是需要保证在高温退火过程中能发生完善的二次再结晶,而合适的初次再结晶组织是发生二次再结晶的关键要点之一,探索初次再结晶组织对二次再结晶行为的影响具有重要的研究意义。分析了低温薄... 取向硅钢成品带材具有锋锐的Goss织构,其前提是需要保证在高温退火过程中能发生完善的二次再结晶,而合适的初次再结晶组织是发生二次再结晶的关键要点之一,探索初次再结晶组织对二次再结晶行为的影响具有重要的研究意义。分析了低温薄规格取向硅钢在不同脱碳退火时间条件下的初次再结晶组织,并研究了初次再结晶组织对二次再结晶行为的影响规律。结果表明:在脱碳退火温度880℃条件下,最佳退火时间约为3 min,此时高温退火可发生完全二次再结晶。延长脱碳退火时间,初次再结晶组织平均晶粒尺寸增大,导致二次再结晶不完善,高温退火后出现“细晶”组织。二次再结晶不稳定很大程度是初次再结晶组织中心层的{100}〈025〉取向晶粒长大所致,最终未发生二次再结晶的“细晶”组织也多为{100}〈025〉取向。 展开更多
关键词 薄规格取向硅钢 初次再结晶组织 晶粒尺寸 “细晶” 二次再结晶
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薄规格取向硅钢中晶粒取向和尺寸对Goss晶粒异常长大的影响 被引量：7
2
作者 何承绪 杨富尧 +5 位作者 孟利 刘洋 高洁 马光 韩钰 陈新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期606-610,共5页
利用EBSD技术统计了薄规格取向硅钢片中初次再结晶和二次再结晶前期组织中{411}〈148〉、{111}〈112〉、{100}〈025〉取向晶粒尺寸分布,分析了三种不同取向的晶粒对Goss晶粒异常长大的影响。结果表明:初次再结晶组织中不同的取向晶粒对... 利用EBSD技术统计了薄规格取向硅钢片中初次再结晶和二次再结晶前期组织中{411}〈148〉、{111}〈112〉、{100}〈025〉取向晶粒尺寸分布,分析了三种不同取向的晶粒对Goss晶粒异常长大的影响。结果表明:初次再结晶组织中不同的取向晶粒对应的平均晶粒尺寸(d)存在差异,{411}〈148〉取向晶粒的平均尺寸最大,其次为{100}〈025〉取向晶粒,{111}〈112〉取向晶粒的平均尺寸最小。Goss取向晶粒异常长大的过程中优先吞噬{111}〈112〉取向晶粒,其次是{411}〈148〉取向晶粒,最后是近{100}〈025〉取向晶粒和近黄铜取向晶粒。{111}〈112〉、{411}〈148〉取向晶粒对Goss取向晶粒异常长大的影响主要体现在二次再结晶的前期。因此,可以推断取向硅钢中最终残留的"岛晶"可能来源于近黄铜取向晶粒或近{100}〈025〉取向晶粒。 展开更多
关键词 薄规格取向硅钢 晶粒取向 晶粒尺寸 异常长大 Goss织构
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0.23 mm薄规格取向硅钢谐波损耗与磁致伸缩研究 被引量：2
3
作者 高洁 杨富尧 +3 位作者 马光 刘洋 陈新 韩钰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期12132-12136,共5页
通过模拟不同含量的3~7次谐波工况,对薄规格取向硅钢(0.23 mm)谐波损耗性能、磁致伸缩进行了研究,并探索了谐波工况下材料的磁畴结构演变规律。结果表明,励磁场中的谐波成分使薄规格取向硅钢材料磁滞回环面积增大、数量增多,同时引起硅... 通过模拟不同含量的3~7次谐波工况,对薄规格取向硅钢(0.23 mm)谐波损耗性能、磁致伸缩进行了研究,并探索了谐波工况下材料的磁畴结构演变规律。结果表明,励磁场中的谐波成分使薄规格取向硅钢材料磁滞回环面积增大、数量增多,同时引起硅钢内部磁通密度变化加剧;随着谐波次数或含量增加,磁滞损耗和涡流损耗均持续上升,取向硅钢附加损耗明显增大,含量为30%的5次谐波下材料损耗相比于正弦波增加89.7%;谐波引起取向硅钢180°畴细化,90°畴容积分数减小,磁致伸缩振幅λp-p增大,同时振幅蝴蝶曲线出现畸变。 展开更多
关键词 0.23 mm薄规格取向硅钢 谐波损耗 磁致伸缩 磁滞回线 磁畴 磁滞损耗 涡流损耗
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