金属-无机半导体-金属光电探测器的研究进展 被引量：2

1

作者 高琳华 崔艳霞 +4 位作者 梁强兵 刘艳珍 李国辉 范明明 郝玉英 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第8期221-239,共19页

金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PDs)本身固有的高速、高响应率、易集成等特性使其在光纤通信、传感、制导等多个领域受到广泛关注。文中围绕金属-无机半导体-金属光电探测器展开综述。首先介绍了MSM-PDs的基本结构,包含共面和垂直两... 金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PDs)本身固有的高速、高响应率、易集成等特性使其在光纤通信、传感、制导等多个领域受到广泛关注。文中围绕金属-无机半导体-金属光电探测器展开综述。首先介绍了MSM-PDs的基本结构,包含共面和垂直两种类型。紧接着,介绍了MSM-PDs具体的工作原理,除了常见的光电导型及肖特基型工作原理,还介绍了以金属作为吸光层的热载流子光电探测器的工作原理。随后,详细介绍了以GaAs、InGaAs、Si/Ge等无机材料作为半导体层的MSM-PDs在过去所取得的研究进展。此外,还介绍了利用金属微纳结构拓展较宽带隙半导体材料MSM-PDs在红外波段响应特性的研究进展。最后,总结全文并对MSM-PDs未来的发展做出了展望。 展开更多

关键词 金属-半导体-金属 光电探测器 肖特基 红外 金属微纳结构

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基于二维材料的快速响应金属-半导体-金属结构光电探测器研究进展 被引量：7

2

作者 何嘉玉 陈克强 +6 位作者 冀婷 石林林 冯琳 李国辉 郝玉英 张晗 崔艳霞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期745-762,共18页

快速响应光电探测器在光通信、高速摄影、生物医学成像等领域有广泛的需求。目前,市场上应用的快速响应光电探测器大多基于硅、砷化镓等传统的无机半导体材料,但是其制作工艺复杂、成本较高,并且机械灵活性差。以石墨烯、二硫化钼为代... 快速响应光电探测器在光通信、高速摄影、生物医学成像等领域有广泛的需求。目前,市场上应用的快速响应光电探测器大多基于硅、砷化镓等传统的无机半导体材料,但是其制作工艺复杂、成本较高,并且机械灵活性差。以石墨烯、二硫化钼为代表的二维材料具有独特的层状结构以及良好的光学、电学、热学和机械特性,是制备光电探测器的理想材料。尤其是部分二维材料所拥有的超高载流子迁移率特性,十分适用于研制快速响应光电探测器。近年来,一系列基于二维材料的金属-半导体-金属结构光电探测器(Metal-semiconductor-metal photodetectors,MSM-PDs)被陆续报道,很多具有1μs以下的快速响应特性。本文以基于二维材料的快速响应MSM-PDs为主题进行综述。首先介绍了MSM-PDs中的基本结构及工作原理,深入剖析了决定其响应速度的主要因素。随后介绍了石墨烯、过渡金属硫化物、黑磷、二维钙钛矿、三元硒氧铋等二维材料的分子结构、光学、电学等特性,并对各类二维材料在MSM-PDs的应用进行对比。然后分类介绍了响应速度在1μs以下的欧姆接触型、肖特基接触型以及基于表面等离激元效应二维材料MSM-PDs的研究进展。最后总结全文,并对二维材料在快速响应光电探测器中的应用前景及发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 光电探测器 快速响应 二维材料 石墨烯 过渡金属硫化物 黑磷 二维钙钛矿 金属-半导体-金属

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GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制

3

作者 陈小红 蔡加法 +2 位作者 程翔 邓彩玲 陈松岩 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期47-50,共4页

用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测... 用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21A/W. 展开更多

关键词 GAN 金属-半导体-金属(MSM)结构 紫外探测器

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β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究

4

作者 杜桐 付俊杰 +6 位作者 王紫石 狄静 陶春雷 张赫之 张琦 胡锡兵 梁红伟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期319-328,共10页

本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基... 本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器在高温环境下的潜在应用,对该器件在高温下的电流-电压(I-V)和光响应(I-T)特性进行了测试,分析器件在高温下的载流子输运机制。结果表明:在300~375 K时,器件的暗电流主要由低压下的热离子场发射(TFE)和高压下的普尔-弗兰克发射(PFE)主导,由PFE模型拟合的I-V曲线可知,PFE由导带下的0.200 eV附近的缺陷引起;根据光响应特性拟合结果,得到上升时间拟合活化能为0.280 eV,下降时间拟合活化能为0.036 eV。由分析结果可知,光电流的输运过程如下:光生电子首先被导带下0.200~0.280 eV附近的缺陷能级捕获并通过PFE发射进入到导带产生光电流。光生载流子的复合过程为:光电子更倾向于被导带下的0.036 eV附近的缺陷能级捕获,进而与价带中的光生空穴复合。 展开更多

关键词 β-Ga_(2)O_(3) 金属半导体金属 日盲紫外光电探测器 热离子场发射 普尔-弗兰克发射 缺陷

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基于应变锗的金属—半导体—金属光电探测器 被引量：1

5

作者 李鸿翔 张倩 +1 位作者 刘冠宇 薛忠营 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期747-754,共8页

通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和... 通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和大小。利用这一方法,制备出了高性能双轴应变Ge对称型肖特基接触金属-半导体-金属(MSM)光电探测器。经测试,在1 V偏压和入射功率为1 000 nW的863 nm激光下,该探测器具有低至nA量级的暗电流和高达713的电流开/关比。该性能的实现主要是依赖于双轴应变和掺杂对Ge能带的修饰。研究结果展示了应变Ge在光电探测领域的优势,也证明了其在Si兼容光学通信设备中的应用潜力。 展开更多

关键词 绝缘体上锗(GOI) 应变锗(Ge) 肖特基接触 光电探测器 金属-半导体-金属(MSM)

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脉冲激光沉积α相氧化镓薄膜及其日盲光电探测器

6

作者 丁子舰 颜世琪 +1 位作者 徐希凡 辛倩 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期329-336,共8页

本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的... 本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的异质外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜,制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的日盲紫外光电探测器。由于薄膜较好的结晶质量和较少的缺陷,该探测器在254 nm日盲紫外光照射下表现出良好的光电响应,5 V偏压下具有10^(-6)A的光电流及10^(-10)A的暗电流,光暗电流比可达104,最大响应度达到36.7 A/W,最大外量子效率为1.79×10^(4)%,最大探测率为2.45×10^(14)Jones。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 α相氧化镓 生长温度 氧分压 金属-半导体-金属 日盲光电探测器

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金属－半导体金刚石薄膜的接触性质研究

7

作者 刘兴钊 杨邦朝 +1 位作者 李言荣 贾宇明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期127-127,共1页

金属－半导体金刚石薄膜的接触性质研究刘兴钊，杨邦朝，李言荣，贾宇明（电子科技大学．成都６１００５４）一、引言金刚石薄膜由于具有载流子饱和速率大、击穿电压高、介电常数低、热导率高等优异性能，被认为是大功率、高瞻及恶劣环... 金属－半导体金刚石薄膜的接触性质研究刘兴钊，杨邦朝，李言荣，贾宇明（电子科技大学．成都６１００５４）一、引言金刚石薄膜由于具有载流子饱和速率大、击穿电压高、介电常数低、热导率高等优异性能，被认为是大功率、高瞻及恶劣环境下使用的电子元件的理想材料．在金... 展开更多

关键词 半导体 金刚石薄膜 金属-半导体 接触

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基于磁控溅射法生长hBN薄膜的MSM型真空紫外探测器(特邀) 被引量：2

8

作者 房万年 李强 +4 位作者 张启凡 陈冉升 李家兴 刘康康 云峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期21-30,共10页

针对目前大面积高质量六方氮化硼(hBN)薄膜的制备与转移存在均匀性、晶粒控制、无损转移等问题,采用射频磁控溅射技术成功在2英寸硅和蓝宝石介电衬底上沉积了hBN薄膜,拉曼光谱、X射线光电子能谱表征证实了薄膜具有明显的hBN特征。制备了... 针对目前大面积高质量六方氮化硼(hBN)薄膜的制备与转移存在均匀性、晶粒控制、无损转移等问题,采用射频磁控溅射技术成功在2英寸硅和蓝宝石介电衬底上沉积了hBN薄膜,拉曼光谱、X射线光电子能谱表征证实了薄膜具有明显的hBN特征。制备了hBN基金属-半导体-金属型光电探测器,并探究了电极材料、薄膜厚度以及叉指电极宽度和间距对探测性能的影响。优选出的Ni电极探测器具有极低的暗电流(<3 pA@100 V),对185 nm波长光具有明显光响应,响应度和比探测率分别为2.769 mA/W和2.969×10^(9)Jones。 展开更多

关键词 真空紫外探测 六方氮化硼 磁控溅射技术 金属-半导体-金属型光电探测器

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薄膜光探测器绑定点的几何设计与仿真分析

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作者 刘小龙 肖靖 +1 位作者 何敏 肖剑波 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第8期158-164,共7页

目前,光器件在硅基衬底上的集成是光电领域的研究热点。将基于表面张力的流体自组装技术应用于薄膜金属-半导体-金属(MSM)光探测器的集成上,其集成效果的优劣与器件绑定点的几何形状有关。为了有效预测薄膜MSM光探测器绑定点的间距和形... 目前,光器件在硅基衬底上的集成是光电领域的研究热点。将基于表面张力的流体自组装技术应用于薄膜金属-半导体-金属(MSM)光探测器的集成上,其集成效果的优劣与器件绑定点的几何形状有关。为了有效预测薄膜MSM光探测器绑定点的间距和形状对集成效果的影响,利用MATLAB对其集成过程中表面自由能的分布状况进行了仿真分析。首先,在介绍薄膜MSM光探测器的基础上,对其集成过程建立了平移和旋转仿真模型。然后,根据表面自由能与匹配度的线性关系,分别仿真出了不同间距和形状的绑定点在集成过程中匹配度的分布状况图。通过分析匹配度的斜率以及正确装配状态和误装配状态之间的关系,预测两端绑定点间距较长、绑定点形状为梯形时集成效果较好。最后,考虑到薄膜光电器件有可能需要区分正负极的情况,将其两端绑定点设计成不对称形状并进行仿真分析,尽量避免集成过程中出现正负极反接的状态。 展开更多

关键词 薄膜金属-半导体-金属光探测器 流体自组装技术 表面自由能 绑定点

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掺银硫系玻璃光电探测器响应波长特性研究

10

作者 吕松竹 赵建行 +3 位作者 周姚 曹英浩 宋瑛林 周见红 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期343-350,共8页

由于硫系玻璃具有良好的光学性质,在非线性光学等方面研究广泛,但基于硫系玻璃光电探测器的相关研究却很少。本文利用真空共热蒸发技术制备了不同掺银比例的硫系玻璃薄膜作为半导体膜层结构,并设计构建了金属-绝缘体-半导体结构的自供... 由于硫系玻璃具有良好的光学性质,在非线性光学等方面研究广泛,但基于硫系玻璃光电探测器的相关研究却很少。本文利用真空共热蒸发技术制备了不同掺银比例的硫系玻璃薄膜作为半导体膜层结构,并设计构建了金属-绝缘体-半导体结构的自供电光电探测器,探究了该光电探测器的响应光谱范围。结果表明,该探测器对可见光到近红外区域的光均有响应。针对掺银硫系玻璃光电探测器在635 nm波长激光下,研究了探测器响应电压与激发功率之间的关系。当激光功率小于10 mW时,探测器响应电压与激发功率线性相关;当激光功率大于10 mW时,探测器响应电压逐渐饱和。探测器的上升和衰减时间分别为3.932 s和1.522 s。本研究为硫系玻璃材料在自供电光电探测器领域的应用提供了证明。 展开更多

关键词 硫系玻璃 光电探测器 金属-绝缘体-半导体

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Al_(0.66)Ga_(0.34)N日盲紫外光电探测器研究

11

作者 姜文海 陈辰 +2 位作者 周建军 李忠辉 董逊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期210-212,共3页

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽(FWHM)为155arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响... 采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽(FWHM)为155arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。 展开更多

关键词 金属-半导体-金属 日盲探测器 半峰宽 双色 响应度

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基于离心铸造法制备的CsPbBr_(3)多晶薄膜及其光电性能

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作者 云文磊 郭喜涛 +1 位作者 冯林 邓文娟 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期358-364,共7页

金属卤化物钙钛矿因具有优异的光电特性,被广泛应用于光电探测器。然而,溶液法制备钙钛矿多晶薄膜的工艺复杂,且薄膜的连续性和致密度不高,进而影响其光电性能。使用溶液处理离心铸造法快速制备了连续且致密的CsPbBr_(3)多晶薄膜,采用... 金属卤化物钙钛矿因具有优异的光电特性,被广泛应用于光电探测器。然而,溶液法制备钙钛矿多晶薄膜的工艺复杂,且薄膜的连续性和致密度不高,进而影响其光电性能。使用溶液处理离心铸造法快速制备了连续且致密的CsPbBr_(3)多晶薄膜,采用叉指金电极构建了金属-半导体-金属结构的CsPbBr_(3)微米晶薄膜光电探测器。利用离心力增强CsPbBr_(3)微米晶粒之间的接触,形成连续且致密的高质量薄膜,最终有效地提升了CsPbBr_(3)多晶薄膜光电探测器的性能。所制备的光电探测器表现出出色的弱光电探测能力,在520 nm波长光源照射下,器件的光响应度和比探测率分别达到525 mA/W和2.8×10^(12)Jones。研究结果表明,通过离心铸造法能够有效地提高溶液处理的钙钛矿多晶薄膜的质量,进而提升其光电器件性能。 展开更多

关键词 金属卤化物钙钛矿 离心铸造法 金属-半导体-金属结构 CsPbBr_(3)多晶薄膜 光电探测器

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用于塑料光纤通信的空间调制光电探测器

13

作者 刘娜 谢生 +2 位作者 郭增笑 毛陆虹 张世林 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2013年第11期30-33,共4页

基于UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺流程,设计了一种全差分输出的空间调制光电探测器(SMPD)。利用商用器件仿真器ATLAS建立了器件模型,对N-well宽度和间距进行了优化。基于优化的器件结构,对SMPD的光谱响应、带宽和瞬态特性进行了二维模拟... 基于UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺流程,设计了一种全差分输出的空间调制光电探测器(SMPD)。利用商用器件仿真器ATLAS建立了器件模型,对N-well宽度和间距进行了优化。基于优化的器件结构,对SMPD的光谱响应、带宽和瞬态特性进行了二维模拟。模拟结果表明,探测器在650nm处的响应度为0.23A/W,当器件有效受光面积为120μm×120μm、反偏电压为5V时,-3dB带宽约为942MHz。瞬态响应曲线表明,器件可用于1.25Gb/s数据速率的光探测。 展开更多

关键词 光电探测器 空间调制 塑料光纤 互补金属-氧化物-半导体

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VO_(2)薄膜材料的变温光学性质及1550 nm激光防护性能研究

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作者 段嘉欣 江林 +6 位作者 郑国彬 丁长春 黄敬国 刘奕 高艳卿 周炜 黄志明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期150-157,共8页

具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材... 具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材料的椭偏参数,利用Gaussian、Lorentz模型获取了薄膜在相变前的光学性质,结合Drude模型拟合获取了材料在相变后的光学特性,获取了材料在300~1700 nm之间的变温折射率和消光系数等参数。变功率下1550 nm红外激光透射率的实验测试研究表明,VO_(2)薄膜样品的相变阈值功率为12 W/cm^(2),相变前后透射率由51%减小到15%~17%,开关率为69%。 展开更多

关键词 激光防护 二氧化钒薄膜 半导体-金属态相变 红外光学性质

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纳米ZnO薄膜的激子光致发光特性 被引量：6

15

作者 肖芝燕 张伟力 +3 位作者 张喜田 关承祥 刘益春 张吉英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期343-347,共5页

报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系。首先利用低压 金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结... 报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系。首先利用低压 金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构且具有择优(002)取向。室温下观察到一束强的紫外(3 26eV)光致发光(PL)和很弱的深能级(DL)发射。根据激子峰的半高宽(FWHM)与温度的关系,确定了激子 纵向光学声子(LO)的耦合强度(ГLO)。 展开更多

关键词 纳米ZNO薄膜 激子光致发光特性 温度 半导体材料 氧化锌薄膜 低压-金属有机化学气相沉积

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二氧化钒薄膜在激光防护上的应用研究 被引量：30

16

作者 宁永刚 孙晓泉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2005年第5期530-534,共5页

战场上激光武器的不断发展对激光防护提出了更高的要求。由于VO2薄膜的相变温度接近室温,具有良好的光电性能,成为相变材料中最有希望用于红外探测器的激光防护材料。介绍了VO2薄膜的光电特性,并探讨了其在激光防护应用方面的相关问题... 战场上激光武器的不断发展对激光防护提出了更高的要求。由于VO2薄膜的相变温度接近室温,具有良好的光电性能,成为相变材料中最有希望用于红外探测器的激光防护材料。介绍了VO2薄膜的光电特性,并探讨了其在激光防护应用方面的相关问题以及发展前景。 展开更多

关键词 VO2薄膜 金属-半导体相变 激光防护 制备工艺

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利用噪声谱表征二氧化钒薄膜的光学相变特性 被引量：1

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作者 尚雅轩 梁继然 +2 位作者 刘剑 赵一瑞 姬扬 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期595-598,641,共5页

利用自主搭建的实验系统,同步实时地测量了热致相变材料二氧化钒(VO2)薄膜在相变过程中的反射率及其涨落(噪声谱).实时傅里叶变换采集卡测得的噪声谱不仅可以像反射率测量一样给出样品的相变温度(55℃),还在样品的高温区金属相里发现了... 利用自主搭建的实验系统,同步实时地测量了热致相变材料二氧化钒(VO2)薄膜在相变过程中的反射率及其涨落(噪声谱).实时傅里叶变换采集卡测得的噪声谱不仅可以像反射率测量一样给出样品的相变温度(55℃),还在样品的高温区金属相里发现了一个明显的噪声峰(位于15~20 MHz),而低温区半导体相的噪声谱几乎是平坦的.这种噪声峰也反映了薄膜样品中低温半导体相和高温金属相的晶体结构差异.噪声谱测量可以广泛地应用于相变材料的研究. 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 噪声谱 同步测量 半导体-金属相变 反射率

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MSM结构ZnO/Cu薄膜的接触特性

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作者 董艳锋 李清山 +1 位作者 张立春 宋连科 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期412-416,共5页

利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜,用Cu薄膜作电极,研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试。结果表明:样品... 利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜,用Cu薄膜作电极,研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试。结果表明:样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向;当Cu和ZnO直接接触时,样品的I-V特性是非线性的;当Cu和ZnO之间通过ZnO∶Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触,而且退火后欧姆接触性能明显提高,电阻率降低约2/3。本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 CU电极 金属-半导体-金属结构 欧姆接触

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氧化钒热致变色薄膜的研究进展 被引量：3

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作者 潘梅 陆卫 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期374-377,共4页

介绍了氧化钒热致变色薄膜的研究进展 ,对其制备、特性。

关键词 氧化钒 热致变色薄膜 金属-半导体相变 微测辐射热计 非制冷红外焦平面 化学气相沉积

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用变角XPS技术定量计算超薄SiO_2层厚度

20

作者 严少平 汪贵华 +1 位作者 李锋 顾广颐 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第3期452-455,共4页

采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析... 采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析和测试。 展开更多

关键词 变角XPS技术 定量计算 超薄SiO2层 超薄栅氧化层 厚度测量 薄膜 MOS集成器件 金属-氧化物-半导体器件

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