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AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
被引量:
1
1
作者
胡宽
顾豪爽
+3 位作者
张凯
胡光
吴小鹏
熊娟
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期735-737,共3页
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐...
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构;器件频率特性良好,谐振频率达1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能,明确了结构因素对器件频率特性的影响,分析了其中的机制。
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关键词
薄膜腔声谐振器
氮化铝压电
薄膜
频率特性
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职称材料
一种新的CDMA手机射频解决方案
2
作者
肖辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期45-47,共3页
介绍了一种新的CDMA手机射频解决方案。首先对射频元器件的发展趋势及CDMA手机的总体结构进行了介绍,然后详细介绍了一系列的手机射频芯片。一种全新技术的双工器技术─爆膜腔声谐振器(FBAR)双工器在本文的最后一部分进...
介绍了一种新的CDMA手机射频解决方案。首先对射频元器件的发展趋势及CDMA手机的总体结构进行了介绍,然后详细介绍了一系列的手机射频芯片。一种全新技术的双工器技术─爆膜腔声谐振器(FBAR)双工器在本文的最后一部分进行了描述。
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关键词
射频
薄膜腔声谐振器
CDMA
手机
移动通信
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职称材料
题名
AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
被引量:
1
1
作者
胡宽
顾豪爽
张凯
胡光
吴小鹏
熊娟
机构
湖北大学物理学与电子技术学院暨铁电压电材料与器件湖北省重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期735-737,共3页
基金
武汉市科技攻关计划资助项目(20061002073).
文摘
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构;器件频率特性良好,谐振频率达1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能,明确了结构因素对器件频率特性的影响,分析了其中的机制。
关键词
薄膜腔声谐振器
氮化铝压电
薄膜
频率特性
Keywords
film bulk acoustic resonator (FBAR)
aluminum nitride piezoelectric thin film
frequency responsecharacteristic
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种新的CDMA手机射频解决方案
2
作者
肖辉
机构
安捷伦科技公司半导体产品部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期45-47,共3页
文摘
介绍了一种新的CDMA手机射频解决方案。首先对射频元器件的发展趋势及CDMA手机的总体结构进行了介绍,然后详细介绍了一系列的手机射频芯片。一种全新技术的双工器技术─爆膜腔声谐振器(FBAR)双工器在本文的最后一部分进行了描述。
关键词
射频
薄膜腔声谐振器
CDMA
手机
移动通信
分类号
TN929.533 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
胡宽
顾豪爽
张凯
胡光
吴小鹏
熊娟
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种新的CDMA手机射频解决方案
肖辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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