薄膜绝缘层对陶瓷厚膜电致发光显示器件的影响 被引量：1

1

作者 蒋玉蓉 周代兵 +2 位作者 薛唯 喻志农 卢维强 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期472-475,共4页

采用丝网印刷技术,在Al_2O_3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL),整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极。对用不同薄膜绝缘材料制备... 采用丝网印刷技术,在Al_2O_3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL),整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极。对用不同薄膜绝缘材料制备的显示器件的特性进行测试、比较、分析,结果表明薄膜绝缘介质层对器件的阈值电压、发光亮度均有一定的影响,以复合绝缘层的性能最优。最后对器件的衰减特性进行了初步分析。 展开更多

关键词 陶瓷厚膜 薄膜绝缘层 陶瓷厚膜电致发光显示器件 丝网印刷技术

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LTD次级多层薄膜绝缘的击穿概率分析 被引量：3

2

作者 曾创 雷伟群 郑晓泉 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期931-935,共5页

LTD次级多层薄膜绝缘子层数达几百、上千层,利用厚几十μm的高本征击穿强度薄膜制作强度更高或者更紧凑的低感绝缘子是这种绝缘的发展方向。在新型绝缘子研制中,希望以较小规模(层数)试样的击穿实验数据预测较大规模绝缘子在一定场强下... LTD次级多层薄膜绝缘子层数达几百、上千层,利用厚几十μm的高本征击穿强度薄膜制作强度更高或者更紧凑的低感绝缘子是这种绝缘的发展方向。在新型绝缘子研制中,希望以较小规模(层数)试样的击穿实验数据预测较大规模绝缘子在一定场强下的击穿概率。为此基于Weibull型半经验分布函数模型,利用一组较小规模多层绝缘试样的击穿实验数据进行拟合得到模型参数,导出分析预估多层薄膜绝缘子击穿概率的公式,进而建立了分析预估较大规模多层绝缘击穿概率的计算方法。多层薄膜绝缘的击穿强度随层数增多而降低,击穿概率随层数增多而增大,但击穿强度降低和击穿概率增大的速率随层数增多而逐步减小。如将1 000层绝缘分为10组,每组100层薄膜,仅需对其中一组薄膜每增加10层进行一次击穿实验(共10次),即可计算得到1 000层绝缘的击穿概率。本方法适用于稍不均匀电场多层薄膜绝缘在一定平均场强下的击穿概率计算。 展开更多

关键词 LTD 次级绝缘 薄膜绝缘 击穿概率 分布函数 WEIBULL分布

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重频纳秒脉冲电压下聚酰亚胺薄膜层叠结构的绝缘特性 被引量：4

3

作者 喻梦晗 杨兰均 +3 位作者 林天煜 张永鹏 刘刚 丁健 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期695-704,共10页

为提高脉冲功率技术中绝缘结构的绝缘性能,延长设备使用寿命,研究了重频纳秒脉冲电压作用下,多层绝缘薄膜层叠结构的绝缘特性,采用上升时间为115 ns、脉宽为225 ns的重频源,在重复频率为1 kHz的条件下,对比了不同厚度和层叠数的聚酰亚... 为提高脉冲功率技术中绝缘结构的绝缘性能,延长设备使用寿命,研究了重频纳秒脉冲电压作用下,多层绝缘薄膜层叠结构的绝缘特性,采用上升时间为115 ns、脉宽为225 ns的重频源,在重复频率为1 kHz的条件下,对比了不同厚度和层叠数的聚酰亚胺单层膜和多层膜的短时击穿场强和长时耐受脉冲数,建立了重频纳秒脉冲电压下1500万次以内的电老化单因子寿命模型。试验结果表明层叠结构有利于提高聚酰亚胺的绝缘强度,快速击穿场强最高增大45.44%,这是由于层叠结构减小了单层绝缘厚度,单层绝缘的击穿场强随厚度的减小而增大。耐受脉冲电压数也明显提升,并且总绝缘厚度相同的情况下分层数越多,快速击穿场强越高,同时耐受脉冲数也越多。耐受脉冲电压数与场强满足指数关系,这为场强的选择和绝缘结构设计提供了依据。 展开更多

关键词 重频纳秒脉冲 薄膜绝缘 层叠结构 击穿场强 寿命模型

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切削刀具测温传感器SiO_2多层复合绝缘薄膜的制备及其性能表征 被引量：3

4

作者 崔云先 杨德顺 +2 位作者 孙宝元 贾颖 徐军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1850-1852,1856,共4页

利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术成功制备了切削刀具测温传感器的SiO2多层复合绝缘薄膜,研究了SiO2多层复合绝缘薄膜的制备工艺。通过扫描电镜、原子力显微镜、台阶仪和XPS对SiO2功能薄膜的表面形貌、膜厚及成分进... 利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术成功制备了切削刀具测温传感器的SiO2多层复合绝缘薄膜,研究了SiO2多层复合绝缘薄膜的制备工艺。通过扫描电镜、原子力显微镜、台阶仪和XPS对SiO2功能薄膜的表面形貌、膜厚及成分进行了观测,结果表明,制备的多层复合SiO2薄膜厚度小、绝缘性好,绝缘电阻达到9.5×1012Ω。其与金属基体结合力可达16.7N,满足制作切削刀具测温传感器的要求。 展开更多

关键词 切削刀具 测温传感器 SiO2绝缘薄膜 多层复合 磁控溅射

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液氮环境中3种聚合物薄膜老化和拉伸状态下的绝缘强度 被引量：4

5

作者 杨鑫 李卫国 +3 位作者 郭昱延 魏斌 张宏杰 丘明 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2013年第3期759-764,共6页

用于超导设备的薄膜型绝缘材料绕包于导体时往往承受一定的绕包张力,且由于工作环境温度的变化、机械应力等作用会发生老化。为研究薄膜型绝缘材料在液氮环境中老化拉伸状态下的绝缘强度,设计了一套测试电极系统对聚酰亚胺(Kapton)、聚... 用于超导设备的薄膜型绝缘材料绕包于导体时往往承受一定的绕包张力,且由于工作环境温度的变化、机械应力等作用会发生老化。为研究薄膜型绝缘材料在液氮环境中老化拉伸状态下的绝缘强度,设计了一套测试电极系统对聚酰亚胺(Kapton)、聚丙烯层压纸(PPLP)和聚四氟乙烯(PTFE)3种薄膜在液氮中经过不同老化处理后拉伸状态下的工频和直流绝缘强度进行了实验研究,结果发现老化拉伸状态下交、直流击穿电场强度大多在较小幅度内发生变化,而经过冷热循环处理后的聚丙烯层压纸交流、直流击穿电场强度均发生了跳跃性地下降,因而在选择聚丙烯层压纸作为超导电力设备的绕包型绝缘材料时,应充分考虑工作温度剧烈变换导致的材料老化因素的影响。3种材料的直流击穿电场强度要普遍高于交流击穿电场强度。 展开更多

关键词 液氮环境 薄膜型绝缘材料 老化拉伸状态 直流击穿电场强度 交流击穿电场强度

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基于绝缘薄膜开关的快前沿高压方波发生器 被引量：6

6

作者 马连英 曾正中 +2 位作者 费国强 蒯斌 梁天学 《电工电能新技术》 CSCD 2001年第3期38-40,49,共4页

本文对基于绝缘薄膜开关的方波脉冲发生器的设计及整体结构作了较详细的介绍 ,并分析了方波发生器放电回路杂散参数对方波前沿的影响。整机可产生幅值1 5～ 8kV、前沿小于 1 5ns、脉宽 40ns的方波脉冲。

关键词 高压方波发生器 绝缘薄膜开关 电磁脉冲效应 脉冲信号源

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低电压驱动微流控芯片二氧化硅绝缘薄膜的研究

7

作者 吕宏峰 闫卫平 李杰超 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1204-1206,1211,共4页

采用电子束蒸发法在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜,利用原子力显微镜(AFM)、台阶仪、X射线衍射仪(XRD),分别对不同条件下制备的二氧化硅薄膜的表面形貌、膜厚、结构进行了表征,并采用金属/绝缘膜/金属(MIM)结构对薄膜的I-V电学特性进行... 采用电子束蒸发法在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜,利用原子力显微镜(AFM)、台阶仪、X射线衍射仪(XRD),分别对不同条件下制备的二氧化硅薄膜的表面形貌、膜厚、结构进行了表征,并采用金属/绝缘膜/金属(MIM)结构对薄膜的I-V电学特性进行了分析。结果表明玻璃基底温度在300℃条件下生长的4μm厚度的二氧化硅薄膜,其表面均匀平整,耐压能力>200V,能够承受500kV/cm以上的场强,满足作为低电压驱动微流控芯片绝缘薄膜的要求,并在样品驱动的应用中得到验证。 展开更多

关键词 二氧化硅 绝缘薄膜 低电压驱动 微流控芯片

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3种绝缘薄膜在液氮中拉伸状态下的冲击绝缘强度 被引量：1

8

作者 马宏明 胡南南 +1 位作者 黑颖顿 杨鑫 《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期49-52,57,共5页

用于超导设备的薄膜型绝缘材料绕包于导体时往往承受一定的绕包张力,需要研究薄膜型绝缘材料在液氮环境中拉伸状态下的冲击绝缘强度。通过设计的波拉拉伸击穿测试系统,对聚酰亚胺、聚丙烯层压纸和聚四氟乙烯三种薄膜在液氮中拉伸状态下... 用于超导设备的薄膜型绝缘材料绕包于导体时往往承受一定的绕包张力,需要研究薄膜型绝缘材料在液氮环境中拉伸状态下的冲击绝缘强度。通过设计的波拉拉伸击穿测试系统,对聚酰亚胺、聚丙烯层压纸和聚四氟乙烯三种薄膜在液氮中拉伸状态下的冲击绝缘强度进行了测量,并通过Weibull概率分布的方法对测试结果进行了处理。结果发现随拉伸应力的增加,3种材料的冲击绝缘强度均在一定幅度内随之下降。所得结果可为超导电力装置的绝缘设计提供基础数据。 展开更多

关键词 液氮环境 冲击绝缘强度 薄膜型绝缘材料 拉伸状态

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铁磁/正常/铁磁结调制的拓扑绝缘体薄膜表面输运性质（英文）

9

作者 刘宇 周小英 周光辉 《湖南师范大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2016年第6期61-67,共7页

研究了拓扑绝缘体薄膜表面态在铁磁/正常/铁磁结调制下的电子自旋相关输运.发现由于交换场与杂化带隙的竞争而产生量子相变,在结无门电压时电导行为类似于自旋阀,加门电压后为自旋场效应管.有趣的是,无门电压且交换场能是杂化带隙的两... 研究了拓扑绝缘体薄膜表面态在铁磁/正常/铁磁结调制下的电子自旋相关输运.发现由于交换场与杂化带隙的竞争而产生量子相变,在结无门电压时电导行为类似于自旋阀,加门电压后为自旋场效应管.有趣的是,无门电压且交换场能是杂化带隙的两倍时出现一个电导平台,磁阻比率可达100%. 展开更多

关键词 拓扑绝缘体薄膜 铁磁/正常/铁磁结 表面态输运

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高压直流导线下绝缘薄膜表面电荷分布测量 被引量：2

10

作者 马文祚 卢铁兵 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2015年第6期1573-1578,共6页

随着我国高压直流输电工程的大量建设,由电晕放电引起的电磁环境问题显得尤为重要。但是,目前对线路跨越农用大棚时的电场问题研究还不够。当线路下方存在农用大棚时,电荷会在大棚表面发生积累,并对地面的离子流场造成畸变。利用法拉第... 随着我国高压直流输电工程的大量建设,由电晕放电引起的电磁环境问题显得尤为重要。但是,目前对线路跨越农用大棚时的电场问题研究还不够。当线路下方存在农用大棚时,电荷会在大棚表面发生积累,并对地面的离子流场造成畸变。利用法拉第筒法对PVC塑料薄膜、遮阳网和布料3种介质模型表面电荷密度进行测量,并对比3种材料的荷电特性。通过分析,获得PVC塑料薄膜表面电荷密度的分布特点,以及3种不同材质绝缘薄膜荷电特性的差异。对高压直流输电线路附近大棚表面电场的建模和计算提供参考。 展开更多

关键词 法拉第筒法 表面电荷密度 绝缘薄膜 高压直流输电

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聚酰亚胺改性薄膜—F—H级电工绝缘耐热薄膜：（综述之二）

11

作者 王新民 郭孟德 《绝缘材料通讯》 1990年第2期35-39,共5页

继“聚苯硫醚薄膜”之后,本文是F-H级电工绝缘耐热薄膜系列综述中的第二篇,介绍聚酰亚胺改性薄膜的发展、性能、制造和用途。聚酰亚胺改性薄膜发展艰难,加工性改善不大,综合性能不如聚酰亚胺薄膜而成本降低不大是发展的最大障碍。

关键词 聚酰亚胺 改性薄膜 绝缘薄膜 耐热

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超薄的金属/LB绝缘膜/半导体结构的C—V和I-V特性 被引量：1

12

作者 郑茳 林慈 +2 位作者 孟江生 魏同立 韦钰 《电子科学学刊》 CSCD 1990年第4期415-417,共3页

本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。

关键词 LB绝缘薄膜 C-V特性 I-V特性

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聚酰亚胺绝缘膜的真空性能及在电真空器件中的应用研究 被引量：3

13

作者 李玲珍 郑姚生 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第3期220-222,228,共4页

利用固体质谱仪和气体质谱仪分别进行了聚酰亚胺绝缘膜的表面成分及在高温烘烤过程中的放气性能和气体成分分析。结果表明 ,聚酰亚胺材料中不存在污染阴极的有害成分 ,并且经高温烘烤后 ,在 30 0℃时的平衡压强小于 1 9× 10 -3Pa... 利用固体质谱仪和气体质谱仪分别进行了聚酰亚胺绝缘膜的表面成分及在高温烘烤过程中的放气性能和气体成分分析。结果表明 ,聚酰亚胺材料中不存在污染阴极的有害成分 ,并且经高温烘烤后 ,在 30 0℃时的平衡压强小于 1 9× 10 -3Pa。因此 。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 放气特性 质谱分析 绝缘薄膜 电真空器件 应用 真空性能

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耐电晕PI薄膜及其耐电晕寿命评定方法的研究 被引量：10

14

作者 王寿泰 郝铭波 《绝缘材料通讯》 2000年第3期27-30,共4页

本文主要研究适合变频电机使用的改性聚酸亚胺的耐电晕性能，采用逐级升压击穿法评定耐电晕寿命。首先测试了由杜邦公司提供的FCR薄膜的耐电晕性能，所得结果与杜邦公司提供的数据吻合得很好；对杜邦KaptonCR薄膜和几种自制薄膜进行了... 本文主要研究适合变频电机使用的改性聚酸亚胺的耐电晕性能，采用逐级升压击穿法评定耐电晕寿命。首先测试了由杜邦公司提供的FCR薄膜的耐电晕性能，所得结果与杜邦公司提供的数据吻合得很好；对杜邦KaptonCR薄膜和几种自制薄膜进行了耐电晕测试，并将两次测试结果作了对比和分析。证明所采用的测试方法是简便可靠的，CK6、CK2和B10—2型薄膜具有接近FCR膜的耐电晕性能。 展开更多

关键词 耐电晕 PI薄膜 寿命评定 绝缘薄膜

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C轴取向AIN薄膜的强电特性分析

15

作者 刘付德 曲喜新 《仪表材料》 EI CAS CSCD 1989年第6期343-346,342,共5页

本文报导了用直流平面磁控溅射法低温生长 C 轴择优取向 A1N 薄膜作介质、并构成Au-A1N-Au 结构的直流电导和击穿特性。用普尔-弗伦凯尔电导理论说明了这种薄膜直流电导的实验结果,并用统计分析方法得出这种薄膜的抗电强度实测平均值为... 本文报导了用直流平面磁控溅射法低温生长 C 轴择优取向 A1N 薄膜作介质、并构成Au-A1N-Au 结构的直流电导和击穿特性。用普尔-弗伦凯尔电导理论说明了这种薄膜直流电导的实验结果,并用统计分析方法得出这种薄膜的抗电强度实测平均值为3.4～3.9MV/cm,与理论计算结果相符合。此外,还得到这种薄膜的抗电强度随薄膜厚度的增加而减少的结果。 展开更多

关键词 ALN薄膜 绝缘薄膜 强电特性

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硅基钽酸锂压电单晶复合薄膜材料及应用 被引量：5

16

作者 丁雨憧 何杰 +3 位作者 陈哲明 龙勇 毛世平 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第1期66-71,81,共7页

绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G... 绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性,同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器,具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用,综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。 展开更多

关键词 绝缘体上单晶钽酸锂薄膜(LTOI) POI基板 声表面波 智能剥离技术 晶体离子注入剥离(CIS) 晶圆键合

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聚酰亚胺薄膜流涎机自动调偏控制系统原理及设计 被引量：5

17

作者 张益伟 黄永生 劳祥胜 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2002年第1期28-30,共3页

本文介绍了流涎机钢带自动调偏、调张控制系统的工作原理和设计思路。对国产设备和进口设备设计方案进行了对比分析 ,总结出两种方案的优缺点 ,提出了更新的设计思路供读者参考。

关键词 聚酰亚胺薄膜 流诞机 自动调偏控制系统 设计 绝缘薄膜

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聚酰亚胺薄膜/玻璃布复合物的研究 被引量：2

18

作者 蒋东云 周亶 《绝缘材料通讯》 1998年第6期6-7,12,共3页

聚酰亚胺薄膜是一种性能优异的绝缘材料，通常被用作电机槽绝缘。本文所报导的聚酰亚胺薄膜／玻璃布复合材料具有与聚酰亚胺薄膜相同的热稳定性，且拉伸强度优于聚酸亚胺薄膜。文中着重讨论了复合材料中玻璃布的影响。

关键词 聚酰亚胺薄膜 玻璃布 复合材料 绝缘薄膜

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化学液相沉积制备氧化铝薄膜及在TENG中的应用

19

作者 阮璐 李典伦 +5 位作者 吴朝兴 严子雯 陈桂雄 林金堂 严群 孙捷 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第4期304-311,共8页

采用化学液相沉积(CLD)法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃和硅基板表面制备了大面积的氧化铝(Al2O3)薄膜,并以非腐蚀的方式在硅片表面使用CLD法直接生长图案化Al2O3薄膜。Al2O3薄膜的表面均匀、连续,生长2 h后膜厚度约为20~30 nm。薄膜的电绝... 采用化学液相沉积(CLD)法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃和硅基板表面制备了大面积的氧化铝(Al2O3)薄膜,并以非腐蚀的方式在硅片表面使用CLD法直接生长图案化Al2O3薄膜。Al2O3薄膜的表面均匀、连续,生长2 h后膜厚度约为20~30 nm。薄膜的电绝缘性能良好,平均击穿场强达到1.74 MV/cm,可以用作半导体器件的绝缘层。进一步将CLD法制备的Al2O3薄膜用作摩擦电纳米发电机(TENG)中的电子阻挡层,其开路电压和短路电流约为120 V和5μA,分别是不含Al2O3 TENG的1.6倍和2倍。该薄膜不受摩擦层磨损的影响,可以有效地改善TENG性能。结果表明,CLD法可作为一种在室温下、低成本、无毒且简便的新方法,用于半导体器件中绝缘或钝化薄膜的制备。 展开更多

关键词 氧化铝(Al2O3) 化学液相沉积(CLD) 绝缘薄膜 摩擦纳米发电机(TENG) 半导体器件

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聚酰胺酸薄膜酰亚胺化工艺研究 被引量：7

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作者 谢光贤 《绝缘材料通讯》 1997年第6期9-14,共6页

本工作通过研究聚酰亚胺薄膜机械性能与酰亚胺化工艺条件的关系，着重分析了温度、时间及聚酰胺酸薄膜所处状态等因素对酰亚胺化反应的影响规律，并确定了流延法制造优质聚酰亚胺薄膜的最佳亚胺化工艺条件。经过长期生产实践证明，这个... 本工作通过研究聚酰亚胺薄膜机械性能与酰亚胺化工艺条件的关系，着重分析了温度、时间及聚酰胺酸薄膜所处状态等因素对酰亚胺化反应的影响规律，并确定了流延法制造优质聚酰亚胺薄膜的最佳亚胺化工艺条件。经过长期生产实践证明，这个工艺条件效果很好。 展开更多

关键词 聚酰胺酸 聚酰亚胺 酰亚胺化 绝缘薄膜

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