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题名高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器(特邀)
被引量：5
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作者
孙时豪
蔡鑫伦
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机构
中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2021年第7期22-24,共3页
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基金
国家重点研发项目(2019YFB1803900,2019YFA0705000)
广东省珠江人才计划(2017BT01X121)
+1 种基金
广东省重点研发项目(2019B121204003,2018B030329001)
国家自然科学基金(11690031,11761131001)。
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文摘
硅基光子集成平台因其高集成度、CMOS工艺兼容性等特点在光通信领域受到了广泛的关注,而电光调制器作为光通信系统中最为重要的器件之一,承担着将电信号加载至光信号上的关键作用,为打破硅基调制器的性能限制,可利用硅和铌酸锂的大面积键合技术以及铌酸锂低损耗波导刻蚀技术实现高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器,目前该类调制器的性能可达半波电压3 V,3 dB电光带宽超过70 GHz,插入损耗小于1.8 dB,消光比大于40 dB。文中对比了硅和铌酸锂异质集成调制器的研究现状并介绍了该异质集成薄膜调制器的结构设计与工艺实现方法。
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关键词
光通信
硅基光子学
硅和铌酸锂异质集成
薄膜电光调制器
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Keywords
optical communication
silicon photonics
heterogeneous silicon and lithium niobate integration
thin film electro-optical modulator
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分类号
O436
[机械工程—光学工程]
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题名集成铌酸锂光子器件技术的研究进展
被引量：4
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作者
张涛
何杰
胡少勤
许昕
张玉蕾
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机构
中国电子科技集团公司第二十六研究所
中国电子科技集团公司第四十四研究所
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出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第6期837-842,共6页
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文摘
铌酸锂单晶薄膜(LNOI)具有透光光谱宽,折射率高,二阶非线性高及压电响应大等优点,是一种重要的集成光子学基础材料。LNOI材料具有亚波长尺度的光约束和光电器件的高密度集成能力,能够实现具有更高性能、更低成本的全新器件及应用,给光通信和微波光子学带来革命性的变革。该文重点综述了LNOI的制备技术、LNOI电光调制器、LNOI声光调制器和LNOI电光频率梳的最新研究进展,简要讨论了铌酸锂光子器件在制作工艺和系统实现中面临的挑战。
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关键词
绝缘体上铌酸锂
集成光子器件
铌酸锂单晶薄膜(LNOI)电光调制器
铌酸锂单晶薄膜(LNOI)声光调制器
铌酸锂单晶薄膜(LNOI)光学频率梳
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Keywords
lithium niobate(LiNbO3)on insulator(LNOI)
integrated photonic device
LNOI electro-optic modulator
LNOIacousto-opticmodulator
LNOIelectro-opticfrequencycomb
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分类号
TM282
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN2
[电子电信—物理电子学]
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