期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
微电机系统用TiNi形状记忆合金薄膜特性
1
作者
蔡学章
《稀有金属快报》
CSCD
2002年第8期12-12,共1页
关键词
微电机系统
TiNi
形态
记忆合金
薄膜
SMA
在线阅读
下载PDF
职称材料
High-k材料研究进展与存在的问题
被引量：
4
2
作者
杨雪娜
王弘
+4 位作者
张寅
姚伟峰
尚淑霞
周静涛
刘延辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期731-735,共5页
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基...
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性。本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题。目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求。但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料。
展开更多
关键词
High-k材料
介电常数
势垒高度
热稳定性
薄膜形态
界面质量
栅介质材料
半导体材料
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
微电机系统用TiNi形状记忆合金薄膜特性
1
作者
蔡学章
出处
《稀有金属快报》
CSCD
2002年第8期12-12,共1页
关键词
微电机系统
TiNi
形态
记忆合金
薄膜
SMA
分类号
TH－39 [机械工程]
TG139.6 [一般工业技术—材料科学与工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
High-k材料研究进展与存在的问题
被引量：
4
2
作者
杨雪娜
王弘
张寅
姚伟峰
尚淑霞
周静涛
刘延辉
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
山东大学环境与工程科学学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期731-735,共5页
基金
山东大学晶体材料国家重点实验室基金(No.04010125)资助项目
文摘
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性。本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题。目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求。但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料。
关键词
High-k材料
介电常数
势垒高度
热稳定性
薄膜形态
界面质量
栅介质材料
半导体材料
Keywords
High-k materials
MOSFET
gate dielectric
thin films
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微电机系统用TiNi形状记忆合金薄膜特性
蔡学章
《稀有金属快报》
CSCD
2002
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
High-k材料研究进展与存在的问题
杨雪娜
王弘
张寅
姚伟峰
尚淑霞
周静涛
刘延辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
