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高次谐波声体波谐振器: 1; 作者王宗富刘岳穗 +2 位作者周勇陈运祥汪渝《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第4期217-223,共7页; 简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究，给出了超高频和Ｌ波段高Ｑ值高次谐波声体波谐振器的实验结果。; 关键词声体波高次谐波谐振器薄膜换能器 Q值微波; 在线阅读下载PDF 职称材料

FBAR技术的敏感应用与发展研究: 2; 作者何杰袁小平 +5 位作者刘荣贵许昕李昕袁媛毛海燕马晋毅《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期19-26,31,共9页; 薄膜声体波谐振器(FBAR)技术以其频率高,品质因数(Q)高,插入损耗低,与半导体集成电路(IC)工艺兼容等优良特性在无线通信领域获得了广泛应用。基于FBAR技术的传感器具有灵敏度高,体积小,线性度好及易于集成等特点,符合目前传感器的微型... 展开更多; 关键词薄膜声体波谐振器(fbar) fbar质量传感器 fbar物理传感器声波质量传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制: 3; 作者袁彪郭文胜《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期347-351,共5页; 利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键... 展开更多; 关键词小型化低相位噪声单片微波集成电路(MMIC) 薄膜声体波谐振器(fbar) 压控振荡器(VCO); 在线阅读下载PDF 职称材料

声学梳谱信号产生器件的探索: 4; 作者朱昌安周勇 +5 位作者穆晓华郑泽渔徐阳司美菊田亚睿李晖《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期999-1002,共4页; 介绍了工作频率在约为10GHz的UHF频段,可产生梳谱信号的高次谐波声体波谐振器(HBAR)的原理、设计和制作工艺方法。设计了Au/Cr/ZnO/Au/Cr/YAG/Cr/Au/ZnO/Cr/Au双端结构的谐振器,试验样品在谐振频率2.240 137GHz的品质因数(Q)值达到23 00... 展开更多; 关键词声学梳谱信号高次谐波声体波谐振器压电换能器氧化锌薄膜品质因数(Q)值; 在线阅读下载PDF 职称材料

微型FBAR滤波器芯片: 5; 作者李丽《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期79-79,共1页; 薄膜体声波谐振器（FBAR）技术，是一种基于声体波谐振的新技术。当一交变射频电压施加于两电极之间时，在压电薄膜内形成交变电场。通过压电薄膜的逆压电效应产生的机械形变激发体声波、在两电极问来回反射，当体声波的传播为半波长或... 展开更多; 关键词声表面波滤波器 fbar 薄膜体声波谐振器芯片微型压电薄膜逆压电效应交变电场; 在线阅读下载PDF 职称材料

安捷伦推出高度低于2mm的FBAR双工器: 6; 《集成电路应用》 2004年第1期74-74,共1页; 关键词安捷伦公司 fbar双工器薄膜腔声谐振器体积; 在线阅读下载PDF 职称材料

ACMD-7401：FBAR双工器: 7; 《世界电子元器件》 2004年第3期15-15,共1页; 关键词 ACMD-7401 fbar双工器安捷伦科技公司薄膜腔声谐振器插入损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

ACMD-6007 4G／LTE Band 7双工器: 8; 《通讯世界》 2010年第8期78-78,共1页; Avago Technologies（安华高科技）公司日前推出第一代4G／LTE Band 7双工器，其2×2．5毫米薄膜腔声谐振器（FBAR）为手机和数据终端提供了高度双向隔离的优势。该FBAR双工器有助于制造商生产新兴的4G／LTE标准手机，优化语音服务... 展开更多; 关键词 fbar双工器 LTE 4G 薄膜腔声谐振器数据终端电池寿命服务质量第一代; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高次谐波声体波谐振器: 1; 作者王宗富刘岳穗周勇陈运祥汪渝; 机构四川压电与声光技术研究所; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第4期217-223,共7页; 基金电子部预研项目; 文摘简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究，给出了超高频和Ｌ波段高Ｑ值高次谐波声体波谐振器的实验结果。; 关键词声体波高次谐波谐振器薄膜换能器 Q值微波; Keywords acoustic bulk wave high overtone resonator thin film transducer Q value microwave; 分类号 TN713 [电子电信—电路与系统] TN65 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FBAR技术的敏感应用与发展研究: 2; 作者何杰袁小平刘荣贵许昕李昕袁媛毛海燕马晋毅; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期19-26,31,共9页; 文摘薄膜声体波谐振器(FBAR)技术以其频率高,品质因数(Q)高,插入损耗低,与半导体集成电路(IC)工艺兼容等优良特性在无线通信领域获得了广泛应用。基于FBAR技术的传感器具有灵敏度高,体积小,线性度好及易于集成等特点,符合目前传感器的微型化、智能化、信息化的主流发展趋势。该文对FBAR传感器的研究现状、发展动向等方面进行了总结并对石英晶体微天平(QCM)、声表面波(SAW)和FBAR这几种声波质量传感器进行了比较。最后对FBAR传感器技术作了简要评述并讨论了FBAR传感器未来的发展趋势。; 关键词薄膜声体波谐振器(fbar) fbar质量传感器 fbar物理传感器声波质量传感器; Keywords fbar fbar mass sensor fbar physical sensor acoustic wave mass sensor; 分类号 TM215.3 [一般工业技术—材料科学与工程] TN65 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制: 3; 作者袁彪郭文胜; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期347-351,共5页; 文摘利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键合线与FBAR进行互连。将GaAs单片集成电路的大信号模型作为一个非线性器件,用探针台测试FBAR谐振器的单端口S参数,导入ADS软件进行谐波平衡法仿真和优化;通过电路制作和调试,达到了预期设计目标。该FBAR压控振荡器中心频率为2.44 GHz,调谐带宽15 MHz,单边带相位噪声达-110 dBc/Hz@10 kHz,与同频段同轴介质压控振荡器指标相当,但其尺寸更小,仅为5 mm×7 mm×2.35 mm。; 关键词小型化低相位噪声单片微波集成电路(MMIC) 薄膜声体波谐振器(fbar) 压控振荡器(VCO); Keywords miniature low phase noise monolithic microwave integrated circuit （MMIC） filmbulk acoustic resonator （fbar） voltage controlled oscillator （VCO）; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名声学梳谱信号产生器件的探索: 4; 作者朱昌安周勇穆晓华郑泽渔徐阳司美菊田亚睿李晖; 机构中国电子科技集团公司第二十六研究所; 出处《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期999-1002,共4页; 文摘介绍了工作频率在约为10GHz的UHF频段,可产生梳谱信号的高次谐波声体波谐振器(HBAR)的原理、设计和制作工艺方法。设计了Au/Cr/ZnO/Au/Cr/YAG/Cr/Au/ZnO/Cr/Au双端结构的谐振器,试验样品在谐振频率2.240 137GHz的品质因数(Q)值达到23 000。进一步开展氧化锌成膜工艺技术的研究,实现对HBAR设计修正,提升器件的Q值。; 关键词声学梳谱信号高次谐波声体波谐振器压电换能器氧化锌薄膜品质因数(Q)值; Keywords acoustics comb-spectrum high overtone bulk acoustic resonator piezoelectric transducer ZnO thin film Qvalue; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微型FBAR滤波器芯片: 5; 作者李丽; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期79-79,共1页; 文摘薄膜体声波谐振器（FBAR）技术，是一种基于声体波谐振的新技术。当一交变射频电压施加于两电极之间时，在压电薄膜内形成交变电场。通过压电薄膜的逆压电效应产生的机械形变激发体声波、在两电极问来回反射，当体声波的传播为半波长或半波长的奇数倍时发生谐振。和声表面波滤波器相比，FBAR滤波器具有体积小、带外抑制高、插入损耗小以及可集成于微波单片电路中的优点。; 关键词声表面波滤波器 fbar 薄膜体声波谐振器芯片微型压电薄膜逆压电效应交变电场; 分类号 TN65 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名安捷伦推出高度低于2mm的FBAR双工器: 6; 出处《集成电路应用》 2004年第1期74-74,共1页; 关键词安捷伦公司 fbar双工器薄膜腔声谐振器体积; 分类号 TN631.2 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ACMD-7401：FBAR双工器: 7; 出处《世界电子元器件》 2004年第3期15-15,共1页; 关键词 ACMD-7401 fbar双工器安捷伦科技公司薄膜腔声谐振器插入损耗; 分类号 TN751.2 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ACMD-6007 4G／LTE Band 7双工器: 8; 机构安华高科技; 出处《通讯世界》 2010年第8期78-78,共1页; 文摘 Avago Technologies（安华高科技）公司日前推出第一代4G／LTE Band 7双工器，其2×2．5毫米薄膜腔声谐振器（FBAR）为手机和数据终端提供了高度双向隔离的优势。该FBAR双工器有助于制造商生产新兴的4G／LTE标准手机，优化语音服务质量并延长电池寿命。; 关键词 fbar双工器 LTE 4G 薄膜腔声谐振器数据终端电池寿命服务质量第一代; 分类号 TN929.53 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	高次谐波声体波谐振器	王宗富刘岳穗周勇陈运祥汪渝	《压电与声光》 CSCD 北大核心	1996	在线阅读下载PDF 职称材料
2	FBAR技术的敏感应用与发展研究	何杰袁小平刘荣贵许昕李昕袁媛毛海燕马晋毅	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2014	在线阅读下载PDF 职称材料
3	小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制	袁彪郭文胜	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	在线阅读下载PDF 职称材料
4	声学梳谱信号产生器件的探索	朱昌安周勇穆晓华郑泽渔徐阳司美菊田亚睿李晖	《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心	2015	在线阅读下载PDF 职称材料
5	微型FBAR滤波器芯片	李丽	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	在线阅读下载PDF 职称材料
6	安捷伦推出高度低于2mm的FBAR双工器		《集成电路应用》	2004	在线阅读下载PDF 职称材料
7	ACMD-7401：FBAR双工器		《世界电子元器件》	2004	在线阅读下载PDF 职称材料
8	ACMD-6007 4G／LTE Band 7双工器		《通讯世界》	2010	在线阅读下载PDF 职称材料