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题名薄膜场发射阴极中纳米线密度的理论优化
被引量：12
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作者
赵晓雪
张耿民
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机构
北京大学电子学系
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出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第5期357-359,365,共4页
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基金
君政基金
国家自然科学基金项目 (No 60 1710 2 50 12 810 1)
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文摘
现在人们正在研究各种纳米线薄膜 ,因为它们很有可能成为新一代的场发射阴极而被应用于平面显示器等器件中。研究表明 ,除了纳米线的物理特性 ,薄膜的场发射特性也强烈地依赖于纳米线阵列的几何构造。一方面 ,薄膜阴极的纳米线阵列密度要足够大 ,使得大量的场发射源能够产生。另一方面 ,过大的密度带来的屏蔽效应将严重削弱纳米线尖端的局域电场。在本文的参数下 。
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关键词
理论优化
薄膜场发射阴极
纳米线密度
场增强因子
ANSYS软件
纳米线薄膜
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Keywords
Thin film field emission cathode,Nanowire density,Field enhancement factor,Ansys
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分类号
O462.4
[理学—电子物理学]
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题名太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析
被引量：2
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作者
李兴辉
白国栋
李含雁
丁明清
冯进军
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机构
北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第S1期48-51,共4页
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基金
科技部国家重大科学研究计划项目(2013BC933602)
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文摘
本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。
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关键词
太赫兹
真空电子器件
场发射阴极
金属薄膜场发射阴极
碳纳米管
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Keywords
terahertz,vacuum electronic device,field emission cathode,metal thin film field emission cathode,carbon nanotube
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分类号
TN103
[电子电信—物理电子学]
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