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利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压
被引量：
1
1
作者
季振国
张春萍
+2 位作者
冯丹丹
柯伟青
毛启楠
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期5-7,共3页
利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜...
利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加。I-V特性曲线表明,基于Al/Zn1-xMgxO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节。上述现象表明,Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn1-xMgxO薄膜中电子的本征跃迁有关。
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关键词
Zn1-xMgxO
薄膜压敏电阻器
Mg掺杂
阈值电压
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职称材料
题名
利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压
被引量：
1
1
作者
季振国
张春萍
冯丹丹
柯伟青
毛启楠
机构
杭州电子科技大学电子信息学院
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期5-7,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60576063)
浙江省科技计划资助项目(2008F70015)
文摘
利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加。I-V特性曲线表明,基于Al/Zn1-xMgxO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节。上述现象表明,Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn1-xMgxO薄膜中电子的本征跃迁有关。
关键词
Zn1-xMgxO
薄膜压敏电阻器
Mg掺杂
阈值电压
Keywords
Zn1-xMgxO
thin film varistors
Mg doping
threshold
分类号
TN304.93 [电子电信—物理电子学]
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压
季振国
张春萍
冯丹丹
柯伟青
毛启楠
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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