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AlN薄膜体声波谐振器的二维数值模拟 被引量:2
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作者 于小利 罗中涌 +2 位作者 曹明 公勋 章德 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第5期661-663,共3页
利用时域有限差分法对薄膜体声波谐振器进行了二维数值分析。对压电方程和牛顿运动方程在时域和空域利用中间差分进行离散化。采用ANSOFT Maxwell 2D商业软件计算静电场的分布,得到了电场强度的分布。可精确预测各场分量在空间和时间上... 利用时域有限差分法对薄膜体声波谐振器进行了二维数值分析。对压电方程和牛顿运动方程在时域和空域利用中间差分进行离散化。采用ANSOFT Maxwell 2D商业软件计算静电场的分布,得到了电场强度的分布。可精确预测各场分量在空间和时间上的分布。在记录一段时间内的电压和电流值的基础上,利用Prony算法计算了薄膜体声波谐振器的电学阻抗特性。 展开更多
关键词 时域有限差分法 薄膜体波谐振器 电阻抗特性
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利用时域差分法对薄膜体声波谐振进行二维分析(英文) 被引量:1
2
作者 曹明 于小利 +2 位作者 罗中涌 公勋 章德 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期40-45,共6页
和表面波器件相比,薄膜体声波谐振(FBAR)器件重量轻、尺寸小、成本低而且能够处理的功率大.因此,FBAR技术被认为是能够满足现代移动通信系统滤波要求的最有竞争力的技术.对FBAR器件进行模拟的方案中,Butterworth-van Dyke(BVD)模型被广... 和表面波器件相比,薄膜体声波谐振(FBAR)器件重量轻、尺寸小、成本低而且能够处理的功率大.因此,FBAR技术被认为是能够满足现代移动通信系统滤波要求的最有竞争力的技术.对FBAR器件进行模拟的方案中,Butterworth-van Dyke(BVD)模型被广泛应用,但是它不可能被用于分析FBAR的复杂结构.为了准确模拟FBAR器件,必须用到数值方法,如有限元法(FEM)或者时域有限差分(FDTD)法.本文中,FDTD法被用于对薄膜体声波谐振进行二维分析.压电方程和牛顿方程在时间域和空间域中通过中间有限差分进行离散化.完全匹配层(PML)边界条件被用于实现两侧的吸收边界.在空气-铝和空气-氮化铝界面上,自由边界条件在FDTD方案中得以实现.另外,在铝-氮化铝内部边界附近,通过对材料常数取两侧的平均值的方式,实现了连续边界条件,保证了数值计算的稳定性.一款静电场模拟软件ANSOFT Maxwell 2D被用于计算电场强度的分布.当FBAR被外加电压驱动,而电压为时间的正弦函数时,FBAR的输出电流可以表示为一系列正弦函数之和.这些正弦函数中包含了顺态解和稳态解.找出稳态解,就可以计算响应工作频率时的FBAR阻抗特性.文中给出了在不同电极厚度如0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm和0.6μm情况下阻抗特性的计算结果.由于能陷效应,基频谐振强度随着电极厚度从0.2μm增加到0.4μm逐渐增强.可是,当电极厚度增加到0.5μm谐振强度又开始减弱.这个现象可以归因于电极的质量负载效应.质量负载会降低谐振强度.通过模拟结果,当氮化铝膜厚度在3μm时,最佳电极厚度应该在0.4μm.我们利用FDTD法对FBAR进行了二维分析.模拟结果显示,FDTD法是分析各种FBAR结构的有力工具. 展开更多
关键词 薄膜体波谐振器 时域有限差分法 完全匹配层
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FBAR技术的敏感应用与发展研究
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作者 何杰 袁小平 +5 位作者 刘荣贵 许昕 李昕 袁媛 毛海燕 马晋毅 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期19-26,31,共9页
薄膜声体波谐振器(FBAR)技术以其频率高,品质因数(Q)高,插入损耗低,与半导体集成电路(IC)工艺兼容等优良特性在无线通信领域获得了广泛应用。基于FBAR技术的传感器具有灵敏度高,体积小,线性度好及易于集成等特点,符合目前传感器的微型... 薄膜声体波谐振器(FBAR)技术以其频率高,品质因数(Q)高,插入损耗低,与半导体集成电路(IC)工艺兼容等优良特性在无线通信领域获得了广泛应用。基于FBAR技术的传感器具有灵敏度高,体积小,线性度好及易于集成等特点,符合目前传感器的微型化、智能化、信息化的主流发展趋势。该文对FBAR传感器的研究现状、发展动向等方面进行了总结并对石英晶体微天平(QCM)、声表面波(SAW)和FBAR这几种声波质量传感器进行了比较。最后对FBAR传感器技术作了简要评述并讨论了FBAR传感器未来的发展趋势。 展开更多
关键词 薄膜体波谐振器(FBAR) FBAR质量传感器 FBAR物理传感器 声波质量传感器
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小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制
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作者 袁彪 郭文胜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期347-351,共5页
利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键... 利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键合线与FBAR进行互连。将GaAs单片集成电路的大信号模型作为一个非线性器件,用探针台测试FBAR谐振器的单端口S参数,导入ADS软件进行谐波平衡法仿真和优化;通过电路制作和调试,达到了预期设计目标。该FBAR压控振荡器中心频率为2.44 GHz,调谐带宽15 MHz,单边带相位噪声达-110 dBc/Hz@10 kHz,与同频段同轴介质压控振荡器指标相当,但其尺寸更小,仅为5 mm×7 mm×2.35 mm。 展开更多
关键词 小型化 低相位噪声 单片微波集成电路(MMIC) 薄膜体波谐振器(FBAR) 压控振荡器(VCO)
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