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高频薄膜体声波滤波器设计方法
1
作者 赵睿 刘莹玉 +1 位作者 杨宇军 吴道伟 《现代电子技术》 北大核心 2025年第8期25-29,共5页
针对无线通信系统对高频化和集成化滤波器的需求,提出一种高频薄膜体声波滤波器设计方法。基于空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)结构,在空气腔上方建立有效压电复合薄膜结构模型,通过COMSOL Multiphysics仿真分析FBAR各层结构对频率特性的... 针对无线通信系统对高频化和集成化滤波器的需求,提出一种高频薄膜体声波滤波器设计方法。基于空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)结构,在空气腔上方建立有效压电复合薄膜结构模型,通过COMSOL Multiphysics仿真分析FBAR各层结构对频率特性的影响。结果显示,电极和压电层厚度显著影响谐振器性能,支撑层在高频下对频率偏移也有显著影响。通过多物理场仿真得到谐振器在6~9 GHz的阻抗特性并提取模型参数;然后基于先进设计系统(ADS)电路仿真软件搭建了谐振器的MBVD等效电路模型,通过场-路拟合修正了模型中的电路参数;再将修正后的MBVD电路模型封装为谐振器模块,用于后续滤波器的快速设计。采用封装好的谐振器模块搭建一阶滤波器电路,分析不同滤波器结构的优点,为高频FBAR滤波器的设计和优化提供了理论支持。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 高频滤波器 多物理场仿真 等效电路模型 先进设计系统 MBVD
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薄膜体声波谐振器的梯形射频滤波器设计 被引量：5
2
作者 汤亮 郝震宏 +1 位作者 乔东海 汪承灏 《声学技术》 CSCD 北大核心 2008年第2期145-149,共5页
从Mason等效电路模型出发,研究了基于薄膜体声波谐振器的梯形结构射频滤波器的设计。以往的研究中都没有考虑到介质的声损耗,这样得到的滤波器频响中就未计入插入损耗的影响。采用射频网络方法对薄膜体声波谐振器建模,并在模型中加入了... 从Mason等效电路模型出发,研究了基于薄膜体声波谐振器的梯形结构射频滤波器的设计。以往的研究中都没有考虑到介质的声损耗,这样得到的滤波器频响中就未计入插入损耗的影响。采用射频网络方法对薄膜体声波谐振器建模,并在模型中加入了介质声损耗的影响,然后就基于薄膜体声波谐振器的梯形射频滤波器的传输响应、带宽、插入损耗、阻带抑制以及带内波纹情况进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 滤波器 双工器 振荡器 射频微机电系统 薄膜体声波谐振器
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用于C波段的薄膜体声波谐振器滤波器 被引量：4
3
作者 李丽 赵益良 李宏军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期951-955,共5页
研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器进行电路原理图以及版图设计优化。仿... 研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器进行电路原理图以及版图设计优化。仿真结果表明,滤波器的中心频率为5.5 GHz,中心插损为1.79 dB,1 dB带宽为115 MHz,5.3 GHz处抑制为40.29 dBc,5.7 GHz处抑制为64.32 dBc。采用空气隙结构实现了C波段FBAR滤波器芯片,并采用陶瓷外壳进行气密封装。测试结果显示,滤波器的中心插损为2.19 dB,1 dB带宽为111 MHz,5.3 GHz处抑制为26.88 dBc,5.7 GHz处抑制为60.96 dBc。对测试结果与仿真结果的差异进行了分析。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 滤波器 C波段 一维Mason模型 空气隙 芯片
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框架结构对薄膜体声波谐振器性能提升的研究 被引量：1
4
作者 吴永乐 吴昊鹏 +5 位作者 赖志国 蔡洵 唐滨 杨清华 杨雨豪 王卫民 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期407-413,共7页
本文研究了框架结构(Frame)对薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)提升性能的作用,从两种Frame结构对体声波能量的反射匹配基础理论出发,针对其功能特点,以实验的方式确定了低频和高频多组框架微结构的组合,对多组FBA... 本文研究了框架结构(Frame)对薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)提升性能的作用,从两种Frame结构对体声波能量的反射匹配基础理论出发,针对其功能特点,以实验的方式确定了低频和高频多组框架微结构的组合,对多组FBAR进行了版图绘制以及光刻流片,最终通过片上测试得到了所有分组的谐振器性能.对测试得到的性能进行了分组统计筛选,从测试结果来看,经过优选之后的Frame结构分组无论是对低频还是高频FBAR谐振器都具有提升性能的作用.对低频(1.7 GHz附近)FBAR来说,并联谐振品质因数可以提升1000以上.对高频(5.5 GHz附近)FBAR来说,并联谐振品质因数可以提升300以上.对横向寄生模式较强的高频FBAR,优选的Frame结构可以提升谐振器的横向寄生模式抑制,使串联谐振频率之下的阻抗相位波动减少5°以上. 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 框架结构 流片实验 阻抗相位波动
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背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究
5
作者 徐阳 司美菊 +5 位作者 吴高米 刘文怡 巩乐乐 甄静怡 余奇 陈金琳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期296-299,共4页
随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背... 随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 干法刻蚀 刻蚀速率 横向激励 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器
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Avago推出两款采用先进薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的带通滤波器
6
《电子与电脑》 2010年第9期76-76,共1页
Avago推出两款采用先进薄膜体声波谐振器（FBAR）技术的带通滤波器,适用于新一代4G WiMAX/LT手机、数据卡和无线基地台。ACPF-7024和ACPF-7025为高选择性的带通滤波器,
关键词 薄膜体声波谐振器 带通滤波器 技术 高选择性 基地台 数据卡 4G 手机
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边缘空气层薄膜体声波谐振器的设计与制备
7
作者 朱宇涵 段兰燕 +4 位作者 陈志鹏 许锴镔 胡晗 衣新燕 李国强 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期11-15,共5页
压电薄膜存在固有的对压电效应的非线性迟滞响应,并且声波有向边缘传播的横波分量,二者都会产生声波的能量损耗。该文设计了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器,可以减小非线性迟滞的机电损耗并阻止横波能量泄露,提高... 压电薄膜存在固有的对压电效应的非线性迟滞响应,并且声波有向边缘传播的横波分量,二者都会产生声波的能量损耗。该文设计了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器,可以减小非线性迟滞的机电损耗并阻止横波能量泄露,提高谐振器的品质因数。使用COMSOL对设计的器件进行有限元模拟仿真,并成功制备出具有边缘空气层结构的谐振器进行测试验证。 展开更多
关键词 单晶氮化铝薄膜体声波谐振器 边缘空气层 有限元仿真 压电非线性效应
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Si基薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究 被引量：4
8
作者 韩东 胡顺欣 +3 位作者 冯彬 王胜福 邓建国 许悦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期456-459,469,共5页
介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案。依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002)AlN薄膜作为压电材料,基于FBAR... 介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案。依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002)AlN薄膜作为压电材料,基于FBAR多层立体结构,实现了空气腔型FBAR谐振器的制作工艺,实际制作了FBAR谐振器样品。实测FBAR谐振器样品典型指标:Q值≥300,谐振频率为1.46 GHz,谐振频率覆盖L波段。测试结果验证了设计方案及工艺路径的正确性与可行性,为后续产品的研发提供了技术基础。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 氮化铝薄膜 空气腔 牺牲层技术 谐振器
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薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用 被引量：12
9
作者 何杰 刘荣贵 马晋毅 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第4期379-382,385,共5页
薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数（Q）高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特点,适合于工作在1-10 GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（SAW）器件和微波陶瓷器件。该文综合阐述了薄膜体声... 薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数（Q）高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特点,适合于工作在1-10 GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（SAW）器件和微波陶瓷器件。该文综合阐述了薄膜体声波技术的基本原理、最新发展及应用。分析了FBAR器件的三种结构及其制作方法。还简要讨论了薄膜体声波技术的未来发展趋势及面临的挑战。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 Q值 功率承受能力 高频应用 IC技术
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杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析
10
作者 罗恩雄 张必壮 +2 位作者 吴坤 马晋毅 李思忍 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期159-163,共5页
该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件... 该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件。测试结果表明,当该阶梯结构凸起宽度为3μm,凹陷宽度为1.5μm时,谐振器杂波被有效抑制,反谐振频率处的品质因数约增大100。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 阶梯结构 杂模抑制 有限元
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C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备
11
作者 吴高米 马晋毅 +5 位作者 李尚志 司美菊 唐小龙 蒋世义 江洪敏 张祖伟 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期285-289,共5页
针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体... 针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。 展开更多
关键词 压电微机电系统(MEMS)器件 C波段射频滤波器 横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR) 多频率 高集成
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金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究
12
作者 金中 张基钦 +5 位作者 吕峻豪 阮文彪 刘娅 甑静怡 孙明宝 孙彦红 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期339-342,共4页
薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性... 薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。 展开更多
关键词 薄膜体声波滤波器 晶圆级封装 金锡键合
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薄膜体声波滤波器的离子束刻蚀修频工艺
13
作者 时鹏程 张智欣 +3 位作者 张倩 冯志博 倪烨 于海洋 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期168-174,共7页
薄膜体声波滤波器因设计模型与器件性能存在匹配度问题及制造过程中各工序的累计误差导致频率一致性差,严重影响了产品良率,因此实现晶圆级别的频率修整十分必要。介绍了离子束刻蚀工艺的原理、技术特点与优势,研究了刻蚀电压、刻蚀电... 薄膜体声波滤波器因设计模型与器件性能存在匹配度问题及制造过程中各工序的累计误差导致频率一致性差,严重影响了产品良率,因此实现晶圆级别的频率修整十分必要。介绍了离子束刻蚀工艺的原理、技术特点与优势,研究了刻蚀电压、刻蚀电流、刻蚀距离、Ar气体体积流量及单次刻蚀量对刻蚀效果的影响,表征了离子束刻蚀工艺对AlN钝化层厚度均一性、刻蚀精度及粗糙度的影响。探究了离子束刻蚀工艺在薄膜体声波滤波器频率修整上的应用,表征了离子束刻蚀工艺对钝化层的表面形貌及晶圆应力的影响。研究结果表明,刻蚀电压为1500 V、刻蚀电流为18 mA、刻蚀气体体积流量为4 cm^(3)/min、刻蚀距离为80 mm时,刻蚀精度高,具有一定借鉴意义;通过3轮电性能测试分析和离子束刻蚀工艺,频率标准差仅为1.23 MHz,大幅提升了薄膜体声波滤波器的频率一致性。 展开更多
关键词 薄膜体声波滤波器 离子束刻蚀 频率修整 刻蚀速率 膜厚修整
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高阻带抑制FBAR滤波器
14
作者 唐小龙 陈艳兵 +3 位作者 金中 吴高米 张必壮 蒋平英 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期24-27,共4页
采用一维Mason模型,研究了薄膜体声波谐振器(FBAR)压电层/电极膜厚比对有效机电耦合系数的影响。随着压电层膜厚占比的增加,谐振器有效机电耦合系数逐渐增大,通过膜厚优化和流片实现了高频FBAR谐振器的研制。在采用梯形电路结构的基础上... 采用一维Mason模型,研究了薄膜体声波谐振器(FBAR)压电层/电极膜厚比对有效机电耦合系数的影响。随着压电层膜厚占比的增加,谐振器有效机电耦合系数逐渐增大,通过膜厚优化和流片实现了高频FBAR谐振器的研制。在采用梯形电路结构的基础上,研究了滤波器级数、串并联谐振器静态电容比、并联谐振器串联电感对滤波器阻带抑制的影响,通过工艺流片,制备了一款中心频率为4.4 GHz、通带最低损耗为2.3 dB、-1 dB带宽为112 MHz、通带两侧带外抑制优于50 dBc的FBAR滤波器芯片,为高频高抑制FBAR滤波器的研制提供了参考。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 滤波器 高阻带抑制 Mason模型 高频
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L波段薄膜体声波谐振器纵波谐振频率计算 被引量：5
15
作者 何移 高杨 +2 位作者 周斌 何婉婧 李君儒 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第3期331-334,共4页
薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素,确定各层的厚度和材料可得到期望的谐振频率。通过推导FBAR纵向运动应力方程,得到各层厚度、材料、频率参数与角频率相关的公式;采用MATLAB对FBAR各层应力... 薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素,确定各层的厚度和材料可得到期望的谐振频率。通过推导FBAR纵向运动应力方程,得到各层厚度、材料、频率参数与角频率相关的公式;采用MATLAB对FBAR各层应力和位移的边界、连续性条件方程组的行列式进行牛顿迭代,得到各层的频率参数。将确定的各层厚度、材料参数值及由牛顿迭代得到的频率参数值代入公式,可以得出谐振频率为1.453 8GHz。采用ADS对具有与公式计算相同厚度、材料的FBAR进行纵向振动Mason模型等效电路仿真,得到仿真模型的谐振频率为1.463GHz。仿真验证结果表明,谐振频率公式计算值和模型仿真值较近,可采用频率公式计算L波段FBAR纵波谐振频率。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 谐振频率 牛顿迭代 MATLAB Mason模型 ADS仿真
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薄膜体声波谐振器有限元仿真与设计 被引量：8
16
作者 杜波 马晋毅 +5 位作者 蒋欣 江洪敏 徐阳 田本朗 金成飞 司美菊 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期531-534,共4页
为了抑制薄膜体声波谐振器的寄生谐振,建立了薄膜体声波谐振器的二、三维有限元模型。通过频率响应仿真,分析了不同电极结构的谐振器在中心频率处的振动位移分布情况和频率响应曲线,评估了不同电极结构对谐振器寄生振动的影响,并完成谐... 为了抑制薄膜体声波谐振器的寄生谐振,建立了薄膜体声波谐振器的二、三维有限元模型。通过频率响应仿真,分析了不同电极结构的谐振器在中心频率处的振动位移分布情况和频率响应曲线,评估了不同电极结构对谐振器寄生振动的影响,并完成谐振器电极结构的优化设计,实现了谐振器寄生振动抑制。根据仿真优化结果表明,设计并制作了工作频率在1.873GHz的薄膜体声波谐振器,谐振器插入损耗0.7dB,无明显寄生谐振,对设计进行了验证。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 有限元 寄生振动 频率响应
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2．8GHz薄膜体声波谐振器的研究 被引量：7
17
作者 江洪敏 马晋毅 +4 位作者 汤劲松 周勇 毛世平 于新晓 刘积学 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第1期1-2,14,共3页
通过采用微机电系统（MEMS）和微声电子方法，研究了硅基片上横膈膜结构薄膜体声波谐振器（FBAR）。器件的串联谐振频率fs=2．75GHz。并联谐振频率fp=2．8GHz，插入损耗IL=-3．7dB，并联谐振频率品质因子Qp=260，有效机电耦合系数Keff^... 通过采用微机电系统（MEMS）和微声电子方法，研究了硅基片上横膈膜结构薄膜体声波谐振器（FBAR）。器件的串联谐振频率fs=2．75GHz。并联谐振频率fp=2．8GHz，插入损耗IL=-3．7dB，并联谐振频率品质因子Qp=260，有效机电耦合系数Keff^2=4．5％。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 横膈膜 微机电系统
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1.8GHz AlN薄膜体声波谐振器的研制 被引量：5
18
作者 王胜福 许悦 +1 位作者 郑升灵 韩东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期146-149,共4页
提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究。采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟。给出了采用半导体加工工艺制备器件的工艺流程,并实际制做谐振器样品,样品的测试结... 提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究。采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟。给出了采用半导体加工工艺制备器件的工艺流程,并实际制做谐振器样品,样品的测试结果:器件的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp分别为1.781和1.794 GHz,相应的有效机电耦合系数为1.8%;串联谐振频率处和并联谐振频率处的Q值分别为308和246。该谐振器样品实际尺寸为0.45 mm×0.21 mm×0.5 mm,可以用来制备高性能的滤波器、双工器和低相噪射频振荡器等。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 滤波器 振荡器 Q值 有效机电耦合系数(Keff 2)
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AlN薄膜体声波谐振器的制备与性能分析 被引量：6
19
作者 张凯 顾豪爽 +2 位作者 李位勇 胡光 胡明哲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期4-5,共2页
采用直流磁控反应溅射,在Pt电极上沉积了AlN压电薄膜,并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试表明,制备出的AlN薄膜具有高c轴择优取向、良好的柱状晶结构以及平滑的表面;用... 采用直流磁控反应溅射,在Pt电极上沉积了AlN压电薄膜,并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试表明,制备出的AlN薄膜具有高c轴择优取向、良好的柱状晶结构以及平滑的表面;用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性,即串、并联谐振频率分别为1.22 GHz1、.254 GHz,机电耦合系数为6.68%,带宽20 MHz。 展开更多
关键词 磁控溅射 氮化铝薄膜 c轴择优取向 薄膜体声波谐振器
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采用PZT薄膜的体声波RF滤波器设计 被引量：11
20
作者 刘燕翔 任天令 刘理天 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第1期1-4,共4页
在分析体声波滤波器的原理、结构及相关参数的基础上 ,结合锆钛酸铅薄膜的材料特性 ,提出了一种射频体声波滤波器设计。设计中考虑了衬底、电极的质量加载对中心频点的影响 ,模拟了不同连接方法下滤波器的频率特性 ,探讨了薄膜材料的制... 在分析体声波滤波器的原理、结构及相关参数的基础上 ,结合锆钛酸铅薄膜的材料特性 ,提出了一种射频体声波滤波器设计。设计中考虑了衬底、电极的质量加载对中心频点的影响 ,模拟了不同连接方法下滤波器的频率特性 ,探讨了薄膜材料的制备、退火。 展开更多
关键词 射频滤波器 PZT薄膜 体声波 设计
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