高频薄膜体声波滤波器设计方法

1

作者 赵睿 刘莹玉 +1 位作者 杨宇军 吴道伟 《现代电子技术》 北大核心 2025年第8期25-29,共5页

针对无线通信系统对高频化和集成化滤波器的需求,提出一种高频薄膜体声波滤波器设计方法。基于空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)结构,在空气腔上方建立有效压电复合薄膜结构模型,通过COMSOL Multiphysics仿真分析FBAR各层结构对频率特性的... 针对无线通信系统对高频化和集成化滤波器的需求,提出一种高频薄膜体声波滤波器设计方法。基于空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)结构,在空气腔上方建立有效压电复合薄膜结构模型,通过COMSOL Multiphysics仿真分析FBAR各层结构对频率特性的影响。结果显示,电极和压电层厚度显著影响谐振器性能,支撑层在高频下对频率偏移也有显著影响。通过多物理场仿真得到谐振器在6~9 GHz的阻抗特性并提取模型参数;然后基于先进设计系统(ADS)电路仿真软件搭建了谐振器的MBVD等效电路模型,通过场-路拟合修正了模型中的电路参数;再将修正后的MBVD电路模型封装为谐振器模块,用于后续滤波器的快速设计。采用封装好的谐振器模块搭建一阶滤波器电路,分析不同滤波器结构的优点,为高频FBAR滤波器的设计和优化提供了理论支持。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器 高频滤波器 多物理场仿真 等效电路模型 先进设计系统 MBVD

在线阅读 下载PDF 职称材料

薄膜体声波谐振器的梯形射频滤波器设计 被引量：5

2

作者 汤亮 郝震宏 +1 位作者 乔东海 汪承灏 《声学技术》 CSCD 北大核心 2008年第2期145-149,共5页

从Mason等效电路模型出发,研究了基于薄膜体声波谐振器的梯形结构射频滤波器的设计。以往的研究中都没有考虑到介质的声损耗,这样得到的滤波器频响中就未计入插入损耗的影响。采用射频网络方法对薄膜体声波谐振器建模,并在模型中加入了... 从Mason等效电路模型出发,研究了基于薄膜体声波谐振器的梯形结构射频滤波器的设计。以往的研究中都没有考虑到介质的声损耗,这样得到的滤波器频响中就未计入插入损耗的影响。采用射频网络方法对薄膜体声波谐振器建模,并在模型中加入了介质声损耗的影响,然后就基于薄膜体声波谐振器的梯形射频滤波器的传输响应、带宽、插入损耗、阻带抑制以及带内波纹情况进行了分析和讨论。 展开更多

关键词 滤波器 双工器 振荡器 射频微机电系统 薄膜体声波谐振器

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于C波段的薄膜体声波谐振器滤波器 被引量：4

3

作者 李丽 赵益良 李宏军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期951-955,共5页

研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器进行电路原理图以及版图设计优化。仿... 研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器进行电路原理图以及版图设计优化。仿真结果表明,滤波器的中心频率为5.5 GHz,中心插损为1.79 dB,1 dB带宽为115 MHz,5.3 GHz处抑制为40.29 dBc,5.7 GHz处抑制为64.32 dBc。采用空气隙结构实现了C波段FBAR滤波器芯片,并采用陶瓷外壳进行气密封装。测试结果显示,滤波器的中心插损为2.19 dB,1 dB带宽为111 MHz,5.3 GHz处抑制为26.88 dBc,5.7 GHz处抑制为60.96 dBc。对测试结果与仿真结果的差异进行了分析。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 滤波器 C波段 一维Mason模型 空气隙 芯片

在线阅读 下载PDF 职称材料

杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析 被引量：1

4

作者 罗恩雄 张必壮 +2 位作者 吴坤 马晋毅 李思忍 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期159-163,共5页

该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件... 该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件。测试结果表明,当该阶梯结构凸起宽度为3μm,凹陷宽度为1.5μm时,谐振器杂波被有效抑制,反谐振频率处的品质因数约增大100。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 阶梯结构 杂模抑制 有限元

在线阅读 下载PDF 职称材料

薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振特性的模拟分析 被引量：2

5

作者 汤亮 郝震宏 乔东海 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1911-1916,1919,共7页

主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影... 主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响进行了详细分析.结果表明,薄膜体声波谐振器谐振频率主要由压电材料和厚度决定但电极的影响也是很大的.在制作高频FBAR器件(5GHz以上)时,采用氮化铝作压电材料比用氧化锌作压电材料更合适. 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason等效电路模型 微波振荡器 双工器 射频微机电系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备

6

作者 吴高米 马晋毅 +5 位作者 李尚志 司美菊 唐小龙 蒋世义 江洪敏 张祖伟 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期285-289,共5页

针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体... 针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。 展开更多

关键词 压电微机电系统(MEMS)器件 C波段射频滤波器 横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR) 多频率 高集成

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器 被引量：3

7

作者 刘娅 马晋毅 +7 位作者 孙科 张必壮 罗方活 徐阳 蒋平英 谭发曾 许东辉 田本朗 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第3期299-302,共4页

该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBA... 该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤波器裸芯片的中心频率为2.993 GHz,中心插损为1.69 dB;覆膜后滤波器的中心频率为2.997 GHz,中心插损为1.51 dB。对覆膜的影响和覆膜前后的差异进行了分析。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason模型 裸芯片 覆膜 插入损耗

在线阅读 下载PDF 职称材料

高阻带抑制FBAR滤波器

8

作者 唐小龙 陈艳兵 +3 位作者 金中 吴高米 张必壮 蒋平英 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期24-27,共4页

采用一维Mason模型,研究了薄膜体声波谐振器(FBAR)压电层/电极膜厚比对有效机电耦合系数的影响。随着压电层膜厚占比的增加,谐振器有效机电耦合系数逐渐增大,通过膜厚优化和流片实现了高频FBAR谐振器的研制。在采用梯形电路结构的基础上... 采用一维Mason模型,研究了薄膜体声波谐振器(FBAR)压电层/电极膜厚比对有效机电耦合系数的影响。随着压电层膜厚占比的增加,谐振器有效机电耦合系数逐渐增大,通过膜厚优化和流片实现了高频FBAR谐振器的研制。在采用梯形电路结构的基础上,研究了滤波器级数、串并联谐振器静态电容比、并联谐振器串联电感对滤波器阻带抑制的影响,通过工艺流片,制备了一款中心频率为4.4 GHz、通带最低损耗为2.3 dB、-1 dB带宽为112 MHz、通带两侧带外抑制优于50 dBc的FBAR滤波器芯片,为高频高抑制FBAR滤波器的研制提供了参考。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 滤波器 高阻带抑制 Mason模型 高频

在线阅读 下载PDF 职称材料

L波段薄膜体声波谐振器纵波谐振频率计算 被引量：5

9

作者 何移 高杨 +2 位作者 周斌 何婉婧 李君儒 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第3期331-334,共4页

薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素,确定各层的厚度和材料可得到期望的谐振频率。通过推导FBAR纵向运动应力方程,得到各层厚度、材料、频率参数与角频率相关的公式;采用MATLAB对FBAR各层应力... 薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素,确定各层的厚度和材料可得到期望的谐振频率。通过推导FBAR纵向运动应力方程,得到各层厚度、材料、频率参数与角频率相关的公式;采用MATLAB对FBAR各层应力和位移的边界、连续性条件方程组的行列式进行牛顿迭代,得到各层的频率参数。将确定的各层厚度、材料参数值及由牛顿迭代得到的频率参数值代入公式,可以得出谐振频率为1.453 8GHz。采用ADS对具有与公式计算相同厚度、材料的FBAR进行纵向振动Mason模型等效电路仿真,得到仿真模型的谐振频率为1.463GHz。仿真验证结果表明,谐振频率公式计算值和模型仿真值较近,可采用频率公式计算L波段FBAR纵波谐振频率。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 谐振频率 牛顿迭代 MATLAB Mason模型 ADS仿真

在线阅读 下载PDF 职称材料

1.8GHz AlN薄膜体声波谐振器的研制 被引量：5

10

作者 王胜福 许悦 +1 位作者 郑升灵 韩东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期146-149,共4页

提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究。采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟。给出了采用半导体加工工艺制备器件的工艺流程,并实际制做谐振器样品,样品的测试结... 提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究。采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟。给出了采用半导体加工工艺制备器件的工艺流程,并实际制做谐振器样品,样品的测试结果:器件的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp分别为1.781和1.794 GHz,相应的有效机电耦合系数为1.8%;串联谐振频率处和并联谐振频率处的Q值分别为308和246。该谐振器样品实际尺寸为0.45 mm×0.21 mm×0.5 mm,可以用来制备高性能的滤波器、双工器和低相噪射频振荡器等。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器 滤波器 振荡器 Q值 有效机电耦合系数(Keff 2)

在线阅读 下载PDF 职称材料

C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证 被引量：2

11

作者 蒋世义 蒋平英 +4 位作者 马晋毅 陈彦光 徐阳 刘娅 徐溢 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第4期535-539,共5页

介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微... 介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 宽带 高抑制度

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnO薄膜体声波谐振器性能分析和研制 被引量：2

12

作者 汤亮 郝震宏 +1 位作者 乔东海 汪承灏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第4期387-389,413,共4页

采用射频网络法分析了ZnO薄膜体声波谐振器的谐振特性,并考虑了介质声损耗对品质因数Q值的影响。采用硅体刻蚀工艺在硅基片上制备了以ZnO薄膜为压电膜的薄膜体声波谐振器,并对器件的性能进行了测试。将实验与理论分析结果进行对比,发现... 采用射频网络法分析了ZnO薄膜体声波谐振器的谐振特性,并考虑了介质声损耗对品质因数Q值的影响。采用硅体刻蚀工艺在硅基片上制备了以ZnO薄膜为压电膜的薄膜体声波谐振器,并对器件的性能进行了测试。将实验与理论分析结果进行对比,发现实验器件的谐振频率与理论值一致,但器件Q值却比理论值低,进一步的分析揭示了实际器件Q值偏低的原因。 展开更多

关键词 滤波器 双工器 振荡器 射频微机电系统 薄膜体声波谐振器

在线阅读 下载PDF 职称材料

AlN薄膜体声波梯形滤波器的制备与性能分析 被引量：1

13

作者 熊娟 顾豪爽 +2 位作者 胡宽 吴小鹏 吴雯 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第6期833-835,共3页

用Mason一维等效电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器的传输特性。讨论了谐振器级联数对滤波器插入损耗和带外抑制的影响。以AlN薄膜为压电材料,采用微机电系统(MEMS)工艺流程制备了3级梯形结构的滤波器,用扫描电镜照片(SEM)和网... 用Mason一维等效电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器的传输特性。讨论了谐振器级联数对滤波器插入损耗和带外抑制的影响。以AlN薄膜为压电材料,采用微机电系统(MEMS)工艺流程制备了3级梯形结构的滤波器,用扫描电镜照片(SEM)和网络分析仪表征了器件的结构和传输响应特性,测试结果表明,所制备的滤波器结构完整,图形整齐,并得到滤波器的带宽为180MHz,带外衰减为-10.12dB,插入损耗为-5.15dB。 展开更多

关键词 滤波器 薄膜体声波谐振器 Mason模型 ALN

在线阅读 下载PDF 职称材料

低温漂薄膜体声波谐振器研究 被引量：1

14

作者 蒋世义 蒋平英 +4 位作者 刘娅 甄静怡 徐阳 彭霄 唐中剑 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期171-174,共4页

该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR)。通过在压电层上方生长SiO_(2)温度补偿层,实现谐振器的低温漂。未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为-25×10^(-6)/℃。通过适当的膜层结构设计... 该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR)。通过在压电层上方生长SiO_(2)温度补偿层,实现谐振器的低温漂。未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为-25×10^(-6)/℃。通过适当的膜层结构设计,可使其频率温度系数在±3×10^(-6)/℃。结果表明,由于温度补偿层的增加,导致器件总体压电效应降低,使谐振器的有效机电耦合系数降低。低温漂谐振器的实现,为窄带低温漂滤波器的研制提供了有效的设计和工艺技术支撑。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 频率温度系数 低温漂 温度补偿

在线阅读 下载PDF 职称材料

高性能温补型薄膜体声波滤波器的研制 被引量：1

15

作者 刘娅 陈凤 +4 位作者 黄晶 黄龙 吕峻豪 孙明宝 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第6期795-799,共5页

该文研制了一种高性能温补型薄膜体声波谐振(TC-FBAR)滤波器。采用COMSOL软件对高性能温补型结构的谐振器进行建模和仿真,在常规一维Mason等效电路模型的基础上进行修正,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的TC-FBAR滤... 该文研制了一种高性能温补型薄膜体声波谐振(TC-FBAR)滤波器。采用COMSOL软件对高性能温补型结构的谐振器进行建模和仿真,在常规一维Mason等效电路模型的基础上进行修正,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的TC-FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出温补型FBAR滤波器芯片,同时在常规TC-FBAR基础上制备空气桥和凸起层结构,得到双空气桥结构的高性能TC-FBAR滤波器。测试结果表明,滤波器的中心频率为2.43 GHz,最小插损为1.02 dB,1 dB带宽为70.5 MHz,频率温度系数为1.82×10^(-6)/℃。 展开更多

关键词 温补型薄膜体声波谐振器(TC-fbar) 滤波器 温补层 频率温度系数(TCF)

在线阅读 下载PDF 职称材料

薄膜体声波滤波器的发展现状 被引量：8

16

作者 徐学良 陆玉姣 +3 位作者 杨柳 杜波 蒋欣 马晋毅 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期163-166,共4页

薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器具有体积小,性能高,一致性及可制造性好等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。通过对FBAR技术的基本原理和器件结构,讨论了FBAR技术的现状及发展趋势,表明其未来向宽带化,高功率化,高温度稳定性及小... 薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器具有体积小,性能高,一致性及可制造性好等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。通过对FBAR技术的基本原理和器件结构,讨论了FBAR技术的现状及发展趋势,表明其未来向宽带化,高功率化,高温度稳定性及小型化等方向发展。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振(fbar)滤波器 发展趋势 宽带化 高功率化 高温度稳定性 小型化

在线阅读 下载PDF 职称材料

薄膜体声波滤波器的材料、设计及应用 被引量：5

17

作者 蒋松涛 吴孟强 +1 位作者 吴勇 张树人 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期21-24,共4页

薄膜体声波谐振器及滤波器具有工作频率高、工艺简单、尺寸小、易于集成等优点,成为目前应用于高频通信前置滤波器的首选。系统介绍了用于薄膜体声波谐振器的几种主要材料(AlN、ZnO、PZT)的具体特点、制备工艺及薄膜体声波谐振器与滤波... 薄膜体声波谐振器及滤波器具有工作频率高、工艺简单、尺寸小、易于集成等优点,成为目前应用于高频通信前置滤波器的首选。系统介绍了用于薄膜体声波谐振器的几种主要材料(AlN、ZnO、PZT)的具体特点、制备工艺及薄膜体声波谐振器与滤波器的结构、设计及其应用。 展开更多

关键词 体声波 谐振器 滤波器 压电薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制 被引量：5

18

作者 刘娅 孙科 +3 位作者 马晋毅 谢征珍 蒋平英 杜雪松 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期260-263,共4页

该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结... 该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason模型 晶圆极封装(WLP) 覆膜 插入损耗

在线阅读 下载PDF 职称材料

薄膜体声波谐振器Mason模型参数的提取方法 被引量：4

19

作者 张必壮 唐小龙 +4 位作者 蒋平英 李华莉 廖书丹 刘娅 刘繁 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期215-219,共5页

为了正确分析和设计薄膜体声波谐振器(FBAR)器件,需要对谐振器Mason模型中的仿真参数(如机电耦合系数、介电常数及粘滞系数等)进行准确提取。通过简谐近似,在Mason模型中引入了厚度方向位移的横向分量,提高了参数提取的准确性。使用谐... 为了正确分析和设计薄膜体声波谐振器(FBAR)器件,需要对谐振器Mason模型中的仿真参数(如机电耦合系数、介电常数及粘滞系数等)进行准确提取。通过简谐近似,在Mason模型中引入了厚度方向位移的横向分量,提高了参数提取的准确性。使用谐振器开路和短路图形的散射参数,提取了探针及测试焊盘的等效电路参数,对谐振器进行去嵌。根据拟合得到的模型参数,仿真了中心频率为5.43 GHz的滤波器。结果表明,采用该方法提取的模型参数仿真结果和滤波器探针测试曲线的通带形状吻合较好。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason模型 参数提取 开路和短路去嵌

在线阅读 下载PDF 职称材料

薄膜体声波谐振器的研究与仿真 被引量：5

20

作者 陈鹏光 王瑞 +1 位作者 马琨 陈剑鸣 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第3期378-382,共5页

随着5G通信技术的发展,射频前端器件趋向于集成化、微型化,使得薄膜体声波谐振器(FBAR)技术成为通信领域的研究热点之一。该文对FBAR谐振单元选择不同阶数的梯形级联方式,通过射频仿真软件ADS建立MBVD等效电路模型,实验仿真其性能参数... 随着5G通信技术的发展,射频前端器件趋向于集成化、微型化,使得薄膜体声波谐振器(FBAR)技术成为通信领域的研究热点之一。该文对FBAR谐振单元选择不同阶数的梯形级联方式,通过射频仿真软件ADS建立MBVD等效电路模型,实验仿真其性能参数输出曲线,设计出频带区间在工信部规划的5G通信频段(4.8~5.0GHz)标准内的高频窄带滤波器。实验仿真结果表明,所设计的FBAR频带在4.849~4.987GHz,增加FBAR单元的级联阶数可以提高带外抑制,其插入损耗很小,满足5G通信系统对滤波器的性能参数要求。 展开更多

关键词 5G通信 薄膜体声波谐振器 高频窄带滤波器 设计 仿真

在线阅读 下载PDF 职称材料