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高频薄膜体声波滤波器设计方法
1
作者 赵睿 刘莹玉 +1 位作者 杨宇军 吴道伟 《现代电子技术》 北大核心 2025年第8期25-29,共5页
针对无线通信系统对高频化和集成化滤波器的需求,提出一种高频薄膜体声波滤波器设计方法。基于空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)结构,在空气腔上方建立有效压电复合薄膜结构模型,通过COMSOL Multiphysics仿真分析FBAR各层结构对频率特性的... 针对无线通信系统对高频化和集成化滤波器的需求,提出一种高频薄膜体声波滤波器设计方法。基于空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)结构,在空气腔上方建立有效压电复合薄膜结构模型,通过COMSOL Multiphysics仿真分析FBAR各层结构对频率特性的影响。结果显示,电极和压电层厚度显著影响谐振器性能,支撑层在高频下对频率偏移也有显著影响。通过多物理场仿真得到谐振器在6~9 GHz的阻抗特性并提取模型参数;然后基于先进设计系统(ADS)电路仿真软件搭建了谐振器的MBVD等效电路模型,通过场-路拟合修正了模型中的电路参数;再将修正后的MBVD电路模型封装为谐振器模块,用于后续滤波器的快速设计。采用封装好的谐振器模块搭建一阶滤波器电路,分析不同滤波器结构的优点,为高频FBAR滤波器的设计和优化提供了理论支持。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 高频滤波器 多物理场仿真 等效电路模型 先进设计系统 MBVD
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空气隙型横向激励薄膜体声波滤波器工艺研究
2
作者 舒平 李桦林 +3 位作者 梁柳洪 谭发曾 冷峻林 陈兴 《压电与声光》 北大核心 2025年第2期220-224,共5页
随着通信技术的发展,对射频前端滤波器的高频化和小型化需求愈发强烈。横向激励薄膜体声波滤波器(XBAR)是一种适用于高频应用的器件,其中空气隙型XBAR因结构设计而在高频段表现出优异的性能。通过研究空气隙型XBAR的制作工艺与结构特点... 随着通信技术的发展,对射频前端滤波器的高频化和小型化需求愈发强烈。横向激励薄膜体声波滤波器(XBAR)是一种适用于高频应用的器件,其中空气隙型XBAR因结构设计而在高频段表现出优异的性能。通过研究空气隙型XBAR的制作工艺与结构特点,研制出空气隙型横向激励薄膜体声波滤波器芯片样品。基于探针测试,该滤波器芯片样品的顶部插入损耗为1.27 dB,通带带宽为808 MHz,通带相对带宽为15.9%。这对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 横向激励薄膜体声波滤波器(XBAR) 光刻 刻蚀 横向激励
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金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究 被引量：2
3
作者 金中 张基钦 +5 位作者 吕峻豪 阮文彪 刘娅 甑静怡 孙明宝 孙彦红 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期339-342,共4页
薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性... 薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。 展开更多
关键词 薄膜体声波滤波器 晶圆级封装 金锡键合
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薄膜体声波谐振器的梯形射频滤波器设计 被引量：5
4
作者 汤亮 郝震宏 +1 位作者 乔东海 汪承灏 《声学技术》 CSCD 北大核心 2008年第2期145-149,共5页
从Mason等效电路模型出发,研究了基于薄膜体声波谐振器的梯形结构射频滤波器的设计。以往的研究中都没有考虑到介质的声损耗,这样得到的滤波器频响中就未计入插入损耗的影响。采用射频网络方法对薄膜体声波谐振器建模,并在模型中加入了... 从Mason等效电路模型出发,研究了基于薄膜体声波谐振器的梯形结构射频滤波器的设计。以往的研究中都没有考虑到介质的声损耗,这样得到的滤波器频响中就未计入插入损耗的影响。采用射频网络方法对薄膜体声波谐振器建模,并在模型中加入了介质声损耗的影响,然后就基于薄膜体声波谐振器的梯形射频滤波器的传输响应、带宽、插入损耗、阻带抑制以及带内波纹情况进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 滤波器 双工器 振荡器 射频微机电系统 薄膜体声波谐振器
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用于C波段的薄膜体声波谐振器滤波器 被引量：4
5
作者 李丽 赵益良 李宏军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期951-955,共5页
研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器进行电路原理图以及版图设计优化。仿... 研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器进行电路原理图以及版图设计优化。仿真结果表明,滤波器的中心频率为5.5 GHz,中心插损为1.79 dB,1 dB带宽为115 MHz,5.3 GHz处抑制为40.29 dBc,5.7 GHz处抑制为64.32 dBc。采用空气隙结构实现了C波段FBAR滤波器芯片,并采用陶瓷外壳进行气密封装。测试结果显示,滤波器的中心插损为2.19 dB,1 dB带宽为111 MHz,5.3 GHz处抑制为26.88 dBc,5.7 GHz处抑制为60.96 dBc。对测试结果与仿真结果的差异进行了分析。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 滤波器 C波段 一维Mason模型 空气隙 芯片
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框架结构对薄膜体声波谐振器性能提升的研究 被引量：1
6
作者 吴永乐 吴昊鹏 +5 位作者 赖志国 蔡洵 唐滨 杨清华 杨雨豪 王卫民 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期407-413,共7页
本文研究了框架结构(Frame)对薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)提升性能的作用,从两种Frame结构对体声波能量的反射匹配基础理论出发,针对其功能特点,以实验的方式确定了低频和高频多组框架微结构的组合,对多组FBA... 本文研究了框架结构(Frame)对薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)提升性能的作用,从两种Frame结构对体声波能量的反射匹配基础理论出发,针对其功能特点,以实验的方式确定了低频和高频多组框架微结构的组合,对多组FBAR进行了版图绘制以及光刻流片,最终通过片上测试得到了所有分组的谐振器性能.对测试得到的性能进行了分组统计筛选,从测试结果来看,经过优选之后的Frame结构分组无论是对低频还是高频FBAR谐振器都具有提升性能的作用.对低频(1.7 GHz附近)FBAR来说,并联谐振品质因数可以提升1000以上.对高频(5.5 GHz附近)FBAR来说,并联谐振品质因数可以提升300以上.对横向寄生模式较强的高频FBAR,优选的Frame结构可以提升谐振器的横向寄生模式抑制,使串联谐振频率之下的阻抗相位波动减少5°以上. 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 框架结构 流片实验 阻抗相位波动
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背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究 被引量：1
7
作者 徐阳 司美菊 +5 位作者 吴高米 刘文怡 巩乐乐 甄静怡 余奇 陈金琳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期296-299,共4页
随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背... 随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 干法刻蚀 刻蚀速率 横向激励 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器
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基于PMN-PT融合结构的体声波谐振器设计
8
作者 赵昕子 吴坤 +1 位作者 田明玉 蒋平英 《压电与声光》 北大核心 2025年第3期545-549,共5页
研究了一种机电耦合系数约为39.2%的新型压电材料PMN-PT作为体声波器件的压电材料时的性能。采用有限元仿真方法,在空气隙型以及凹凸层结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)的基础上提出了融合结构FBAR的二维有限元仿真模型。通过有限元仿真分... 研究了一种机电耦合系数约为39.2%的新型压电材料PMN-PT作为体声波器件的压电材料时的性能。采用有限元仿真方法,在空气隙型以及凹凸层结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)的基础上提出了融合结构FBAR的二维有限元仿真模型。通过有限元仿真分析对比了上述两种结构的FBAR的导纳及品质因数(Q)值曲线,验证融合结构对S波段、C波段器件的杂波抑制以及Q值提升能力,完成了基于PMN-PT的低杂波高Q值FBAR设计。仿真结果表明,融合结构的设计能够有效抑制空气隙型FBAR所产生的杂波,同时S波段、C波段器件的Q值分别提升了101.8%,350.4%。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 低杂波高品质因数(Q)值 多层结构 有限元仿真 空气桥结构 融合结构 大机电耦合系数
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高阻带抑制FBAR滤波器
9
作者 唐小龙 陈艳兵 +3 位作者 金中 吴高米 张必壮 蒋平英 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期24-27,共4页
采用一维Mason模型,研究了薄膜体声波谐振器(FBAR)压电层/电极膜厚比对有效机电耦合系数的影响。随着压电层膜厚占比的增加,谐振器有效机电耦合系数逐渐增大,通过膜厚优化和流片实现了高频FBAR谐振器的研制。在采用梯形电路结构的基础上... 采用一维Mason模型,研究了薄膜体声波谐振器(FBAR)压电层/电极膜厚比对有效机电耦合系数的影响。随着压电层膜厚占比的增加,谐振器有效机电耦合系数逐渐增大,通过膜厚优化和流片实现了高频FBAR谐振器的研制。在采用梯形电路结构的基础上,研究了滤波器级数、串并联谐振器静态电容比、并联谐振器串联电感对滤波器阻带抑制的影响,通过工艺流片,制备了一款中心频率为4.4 GHz、通带最低损耗为2.3 dB、-1 dB带宽为112 MHz、通带两侧带外抑制优于50 dBc的FBAR滤波器芯片,为高频高抑制FBAR滤波器的研制提供了参考。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 滤波器 高阻带抑制 Mason模型 高频
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Si基薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究 被引量：5
10
作者 韩东 胡顺欣 +3 位作者 冯彬 王胜福 邓建国 许悦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期456-459,469,共5页
介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案。依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002)AlN薄膜作为压电材料,基于FBAR... 介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案。依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002)AlN薄膜作为压电材料,基于FBAR多层立体结构,实现了空气腔型FBAR谐振器的制作工艺,实际制作了FBAR谐振器样品。实测FBAR谐振器样品典型指标:Q值≥300,谐振频率为1.46 GHz,谐振频率覆盖L波段。测试结果验证了设计方案及工艺路径的正确性与可行性,为后续产品的研发提供了技术基础。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 氮化铝薄膜 空气腔 牺牲层技术 谐振器
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采用PZT薄膜的体声波RF滤波器设计 被引量：11
11
作者 刘燕翔 任天令 刘理天 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第1期1-4,共4页
在分析体声波滤波器的原理、结构及相关参数的基础上 ,结合锆钛酸铅薄膜的材料特性 ,提出了一种射频体声波滤波器设计。设计中考虑了衬底、电极的质量加载对中心频点的影响 ,模拟了不同连接方法下滤波器的频率特性 ,探讨了薄膜材料的制... 在分析体声波滤波器的原理、结构及相关参数的基础上 ,结合锆钛酸铅薄膜的材料特性 ,提出了一种射频体声波滤波器设计。设计中考虑了衬底、电极的质量加载对中心频点的影响 ,模拟了不同连接方法下滤波器的频率特性 ,探讨了薄膜材料的制备、退火。 展开更多
关键词 射频滤波器 PZT薄膜 体声波 设计
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薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用 被引量：12
12
作者 何杰 刘荣贵 马晋毅 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第4期379-382,385,共5页
薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数（Q）高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特点,适合于工作在1-10 GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（SAW）器件和微波陶瓷器件。该文综合阐述了薄膜体声... 薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数（Q）高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特点,适合于工作在1-10 GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（SAW）器件和微波陶瓷器件。该文综合阐述了薄膜体声波技术的基本原理、最新发展及应用。分析了FBAR器件的三种结构及其制作方法。还简要讨论了薄膜体声波技术的未来发展趋势及面临的挑战。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 Q值 功率承受能力 高频应用 IC技术
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C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证 被引量：2
13
作者 蒋世义 蒋平英 +4 位作者 马晋毅 陈彦光 徐阳 刘娅 徐溢 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第4期535-539,共5页
介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微... 介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 宽带 高抑制度
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薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振特性的模拟分析 被引量：2
14
作者 汤亮 郝震宏 乔东海 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1911-1916,1919,共7页
主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影... 主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响进行了详细分析.结果表明,薄膜体声波谐振器谐振频率主要由压电材料和厚度决定但电极的影响也是很大的.在制作高频FBAR器件(5GHz以上)时,采用氮化铝作压电材料比用氧化锌作压电材料更合适. 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason等效电路模型 微波振荡器 双工器 射频微机电系统
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AlN薄膜体声波梯形滤波器的制备与性能分析 被引量：1
15
作者 熊娟 顾豪爽 +2 位作者 胡宽 吴小鹏 吴雯 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第6期833-835,共3页
用Mason一维等效电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器的传输特性。讨论了谐振器级联数对滤波器插入损耗和带外抑制的影响。以AlN薄膜为压电材料,采用微机电系统(MEMS)工艺流程制备了3级梯形结构的滤波器,用扫描电镜照片(SEM)和网... 用Mason一维等效电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器的传输特性。讨论了谐振器级联数对滤波器插入损耗和带外抑制的影响。以AlN薄膜为压电材料,采用微机电系统(MEMS)工艺流程制备了3级梯形结构的滤波器,用扫描电镜照片(SEM)和网络分析仪表征了器件的结构和传输响应特性,测试结果表明,所制备的滤波器结构完整,图形整齐,并得到滤波器的带宽为180MHz,带外衰减为-10.12dB,插入损耗为-5.15dB。 展开更多
关键词 滤波器 薄膜体声波谐振器 Mason模型 ALN
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边缘空气层薄膜体声波谐振器的设计与制备
16
作者 朱宇涵 段兰燕 +4 位作者 陈志鹏 许锴镔 胡晗 衣新燕 李国强 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期11-15,共5页
压电薄膜存在固有的对压电效应的非线性迟滞响应,并且声波有向边缘传播的横波分量,二者都会产生声波的能量损耗。该文设计了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器,可以减小非线性迟滞的机电损耗并阻止横波能量泄露,提高... 压电薄膜存在固有的对压电效应的非线性迟滞响应,并且声波有向边缘传播的横波分量,二者都会产生声波的能量损耗。该文设计了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器,可以减小非线性迟滞的机电损耗并阻止横波能量泄露,提高谐振器的品质因数。使用COMSOL对设计的器件进行有限元模拟仿真,并成功制备出具有边缘空气层结构的谐振器进行测试验证。 展开更多
关键词 单晶氮化铝薄膜体声波谐振器 边缘空气层 有限元仿真 压电非线性效应
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杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析 被引量：1
17
作者 罗恩雄 张必壮 +2 位作者 吴坤 马晋毅 李思忍 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期159-163,共5页
该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件... 该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件。测试结果表明,当该阶梯结构凸起宽度为3μm,凹陷宽度为1.5μm时,谐振器杂波被有效抑制,反谐振频率处的品质因数约增大100。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 阶梯结构 杂模抑制 有限元
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高性能温补型薄膜体声波滤波器的研制 被引量：1
18
作者 刘娅 陈凤 +4 位作者 黄晶 黄龙 吕峻豪 孙明宝 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第6期795-799,共5页
该文研制了一种高性能温补型薄膜体声波谐振(TC-FBAR)滤波器。采用COMSOL软件对高性能温补型结构的谐振器进行建模和仿真,在常规一维Mason等效电路模型的基础上进行修正,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的TC-FBAR滤... 该文研制了一种高性能温补型薄膜体声波谐振(TC-FBAR)滤波器。采用COMSOL软件对高性能温补型结构的谐振器进行建模和仿真,在常规一维Mason等效电路模型的基础上进行修正,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的TC-FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出温补型FBAR滤波器芯片,同时在常规TC-FBAR基础上制备空气桥和凸起层结构,得到双空气桥结构的高性能TC-FBAR滤波器。测试结果表明,滤波器的中心频率为2.43 GHz,最小插损为1.02 dB,1 dB带宽为70.5 MHz,频率温度系数为1.82×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 温补型薄膜体声波谐振器(TC-fbar) 滤波器 温补层 频率温度系数(TCF)
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薄膜体声波滤波器的发展现状 被引量：8
19
作者 徐学良 陆玉姣 +3 位作者 杨柳 杜波 蒋欣 马晋毅 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期163-166,共4页
薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器具有体积小,性能高,一致性及可制造性好等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。通过对FBAR技术的基本原理和器件结构,讨论了FBAR技术的现状及发展趋势,表明其未来向宽带化,高功率化,高温度稳定性及小... 薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器具有体积小,性能高,一致性及可制造性好等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。通过对FBAR技术的基本原理和器件结构,讨论了FBAR技术的现状及发展趋势,表明其未来向宽带化,高功率化,高温度稳定性及小型化等方向发展。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振(fbar)滤波器 发展趋势 宽带化 高功率化 高温度稳定性 小型化
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C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备
20
作者 吴高米 马晋毅 +5 位作者 李尚志 司美菊 唐小龙 蒋世义 江洪敏 张祖伟 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期285-289,共5页
针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体... 针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。 展开更多
关键词 压电微机电系统(MEMS)器件 C波段射频滤波器 横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR) 多频率 高集成
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