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薄栅氧化层的TDDB研究被引量：3: 1; 作者王晓泉《微纳电子技术》 CAS 2002年第6期12-15,20,共5页; 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本文重点介绍了TDDB的几种主要击穿模型和机理,比较了软击穿和硬击穿过程的联系与区别,并... 展开更多; 关键词薄栅氧化层 TDDB 薄栅氧化层绝缘击穿可靠性超大规模集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄栅氧化层的氮化: 2; 作者林满院孙有民沈文正《航天工艺》 1995年第3期8-10,共3页; 采用对薄栅氧化层在纯ＮＨ３中氮化的技术，通过膜的击穿场强、表面电荷、抗腐蚀性和氮化膜中元素的百分浓度的检测对氧化样品进行分析，经过实验得到了稳定性和电特性都较好的薄栅介质，其中栅氧化层的平均击穿场强可达到１３ＭＶ／ｃｍ。; 关键词薄栅氧化层氮化氮化膜半导体薄膜; 原文传递

薄SiO_2层击穿特性与临界陷阱密度被引量：3: 3; 作者林立谨张敏《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期59-62,共4页; 薄栅氧化层的退化、击穿与氧化层中和界面陷阱的产生相关 .本文研究了在恒电流TDDB(Time Depen dentDielectricBreakdown)应力条件下 8 9nm薄氧化层的电学特性退化、击穿情况 .研究表明 ,电子在穿越SiO2 晶格时与晶格相互作用产生陷阱 ... 展开更多; 关键词薄栅氧化层击穿特性临界陷阱密度二氧化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄栅SiO_2击穿特性的实验分析和机理研究被引量：1: 4; 作者刘红侠郝跃《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第11期1211-1215,共5页; 该文利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和热空穴的数量,定量研究了热电子和热空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和热空穴共同作用导致的新观点,并为薄栅氧化层的经时... 展开更多; 关键词薄栅氧化层击穿机理二氧化硅半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究: 5; 作者刘红侠郝跃《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第7期982-986,共5页; 该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步... 展开更多; 关键词衬底热空穴薄栅介质物理模型薄栅氧化层经时击穿; 在线阅读下载PDF 职称材料

衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1: 6; 作者刘红侠郝跃《电子科技》 2002年第17期36-40,共5页; 该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步... 展开更多; 关键词衬底热空穴经时击穿物理模型热电子注入空穴注入薄栅氧化层; 在线阅读下载PDF 职称材料

总剂量辐照加固的功率VDMOS器件被引量：12: 7; 作者李泽宏张磊谭开洲《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期621-623,共3页; 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据... 展开更多; 关键词功率VDMOS器件薄栅氧化层阈值电压漂移总剂量辐照; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄栅氧化层的TDDB研究被引量：3: 1; 作者王晓泉; 机构浙江大学材料科学与工程学系; 出处《微纳电子技术》 CAS 2002年第6期12-15,20,共5页; 文摘随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本文重点介绍了TDDB的几种主要击穿模型和机理,比较了软击穿和硬击穿过程的联系与区别,并初步分析了TDDB与测试电场、温度以及氧化层厚度的关系。; 关键词薄栅氧化层 TDDB 薄栅氧化层绝缘击穿可靠性超大规模集成电路; Keywords thin gate oxide dielectric breakdown reliability; 分类号 TN470.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄栅氧化层的氮化: 2; 作者林满院孙有民沈文正; 机构西安微电子技术研究所; 出处《航天工艺》 1995年第3期8-10,共3页; 文摘采用对薄栅氧化层在纯ＮＨ３中氮化的技术，通过膜的击穿场强、表面电荷、抗腐蚀性和氮化膜中元素的百分浓度的检测对氧化样品进行分析，经过实验得到了稳定性和电特性都较好的薄栅介质，其中栅氧化层的平均击穿场强可达到１３ＭＶ／ｃｍ。; 关键词薄栅氧化层氮化氮化膜半导体薄膜; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 原文传递

题名薄SiO_2层击穿特性与临界陷阱密度被引量：3: 3; 作者林立谨张敏; 机构中科院上海冶金研究所微电子学分部--上海微电子研究开发基地; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期59-62,共4页; 基金上海 -AM研究与发展基金资助; 文摘薄栅氧化层的退化、击穿与氧化层中和界面陷阱的产生相关 .本文研究了在恒电流TDDB(Time Depen dentDielectricBreakdown)应力条件下 8 9nm薄氧化层的电学特性退化、击穿情况 .研究表明 ,电子在穿越SiO2 晶格时与晶格相互作用产生陷阱 ,当陷阱密度达到某一临界密度Nbd时 ,氧化层就击穿 .Nbd可以用来表征氧化层的质量 ,与测试电流密度无关 .击穿电量Qbd随测试电流密度增大而减小可用陷阱产生速率的增长解释 .临界陷阱密度Nbd随测试MOS电容面积增大而减小 ,这与统计理论相符 .统计分析表明 ,对于所研究的薄氧化层 ,可看作由面积为 2 5 6× 10 -14cm2 的“元胞”构成 ,当个别“元胞”中陷阱数目达到 13个时 ,电子可通过陷阱直接隧穿 ,“元胞”内电流突然增大 ,产生大量焦耳热 ,形成欧姆通道 ,氧化层击穿 .; 关键词薄栅氧化层击穿特性临界陷阱密度二氧化硅; Keywords Thin film oxide TDDB critical trap density N_(bd) trap charge to breakdown; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄栅SiO_2击穿特性的实验分析和机理研究被引量：1: 4; 作者刘红侠郝跃; 机构西安电子科技大学微电子研究所; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第11期1211-1215,共5页; 基金国家部级预研基金(OOJ8.4.3.D201); 文摘该文利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和热空穴的数量,定量研究了热电子和热空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和热空穴共同作用导致的新观点,并为薄栅氧化层的经时击穿建立了一个新的物理模型。; 关键词薄栅氧化层击穿机理二氧化硅半导体材料; Keywords Thin gate oxide, Substrate hot holes, Time dependent dielectric breakdown, Breakdown mechanism; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究: 5; 作者刘红侠郝跃; 机构西安电子科技大学微电子研究所; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第7期982-986,共5页; 基金国家部级资助项目; 文摘该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。; 关键词衬底热空穴薄栅介质物理模型薄栅氧化层经时击穿; Keywords Thin gate oxide, Time Dependent Dielectric Breakdown(TDDB), Substrate Hot Holes(SHH), Model; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1: 6; 作者刘红侠郝跃; 机构西安电子科技大学微电子研究所; 出处《电子科技》 2002年第17期36-40,共5页; 文摘该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。; 关键词衬底热空穴经时击穿物理模型热电子注入空穴注入薄栅氧化层; Keywords Thingateoxide,TimeDependentDielectricBreakdown(TDDB),SubstrateHotHoles(SHH),Model; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名总剂量辐照加固的功率VDMOS器件被引量：12: 7; 作者李泽宏张磊谭开洲; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期621-623,共3页; 基金国防科技重点实验室基金项目(9140C904010606); 文摘采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。; 关键词功率VDMOS器件薄栅氧化层阈值电压漂移总剂量辐照; Keywords power VDMOS device thin gate SiO2 threshold voltage shift total dose radiation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	薄栅氧化层的TDDB研究	王晓泉	《微纳电子技术》 CAS	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	薄栅氧化层的氮化	林满院孙有民沈文正	《航天工艺》	1995	0	原文传递
3	薄SiO_2层击穿特性与临界陷阱密度	林立谨张敏	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	薄栅SiO_2击穿特性的实验分析和机理研究	刘红侠郝跃	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究	刘红侠郝跃	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1	刘红侠郝跃	《电子科技》	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	总剂量辐照加固的功率VDMOS器件	李泽宏张磊谭开洲	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	12	在线阅读下载PDF 职称材料