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Kossel-Möllenstedt衍射花样特征及薄晶体厚度测定
被引量：
2
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作者
娄艳芝
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期234-241,共8页
本文利用会聚束电子衍射(CBED)技术测定了晶体Si的局部厚度和消光距离ξ,讨论了关键参数n_(1)取不同值时的数据特点及对分析结果的影响规律,明确了n_(1)的确定方法,总结了Kossel-Möllenstedt(K-M)衍射花样特征及影响因素,给出了Si...
本文利用会聚束电子衍射(CBED)技术测定了晶体Si的局部厚度和消光距离ξ,讨论了关键参数n_(1)取不同值时的数据特点及对分析结果的影响规律,明确了n_(1)的确定方法,总结了Kossel-Möllenstedt(K-M)衍射花样特征及影响因素,给出了Si晶体(400)晶面K-M衍射花样的暗条纹位置预测图。结论如下:当n_(1)<真值时,在数据点较少(≤5)的情况下,数据近似符合直线关系且拟合直线斜率为正;当n_(1)=真值时,拟合直线斜率为负;当n_(1)>真值时,在数据点较少(≤5)的情况下,数据近似符合直线关系且拟合直线斜率为负,数据点较多时,远离衍射盘中心的数据会落在拟合直线的上方;如果n_(1)的取值偏大,会导致消光距离的分析结果偏小,同时试样厚度的分析结果偏大;加速电压的差异会影响K-M花样的衬度;K-M花样暗条纹之间的距离随着距离衍射盘中心距离的增大而逐渐减小;第一暗条纹距衍射盘中心的距离Δθ_(1)和第一暗条纹对应的n_(1)值均与消光距离ξ和试样厚度t有关。
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关键词
透射电子显微术
会聚束电子衍射
K-M衍射花样
薄晶体厚度
消光距离
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职称材料
题名
Kossel-Möllenstedt衍射花样特征及薄晶体厚度测定
被引量：
2
1
作者
娄艳芝
机构
中国航发北京航空材料研究院
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期234-241,共8页
文摘
本文利用会聚束电子衍射(CBED)技术测定了晶体Si的局部厚度和消光距离ξ,讨论了关键参数n_(1)取不同值时的数据特点及对分析结果的影响规律,明确了n_(1)的确定方法,总结了Kossel-Möllenstedt(K-M)衍射花样特征及影响因素,给出了Si晶体(400)晶面K-M衍射花样的暗条纹位置预测图。结论如下:当n_(1)<真值时,在数据点较少(≤5)的情况下,数据近似符合直线关系且拟合直线斜率为正;当n_(1)=真值时,拟合直线斜率为负;当n_(1)>真值时,在数据点较少(≤5)的情况下,数据近似符合直线关系且拟合直线斜率为负,数据点较多时,远离衍射盘中心的数据会落在拟合直线的上方;如果n_(1)的取值偏大,会导致消光距离的分析结果偏小,同时试样厚度的分析结果偏大;加速电压的差异会影响K-M花样的衬度;K-M花样暗条纹之间的距离随着距离衍射盘中心距离的增大而逐渐减小;第一暗条纹距衍射盘中心的距离Δθ_(1)和第一暗条纹对应的n_(1)值均与消光距离ξ和试样厚度t有关。
关键词
透射电子显微术
会聚束电子衍射
K-M衍射花样
薄晶体厚度
消光距离
Keywords
transmission electron microscopy
convergent-beam electron diffraction
Kossel-M9llenstedt(K-M)patterns
thin foil thickness
extinction distance
分类号
TB303 [一般工业技术—材料科学与工程]
TG115.215.3 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Kossel-Möllenstedt衍射花样特征及薄晶体厚度测定
娄艳芝
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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