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InAlN/AlN/GaN HEMT器件特性研究
被引量：
3
1
作者
刘海琪
周建军
+1 位作者
董逊
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期120-123,共4页
通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结构制备了0.15μm栅长InAlN/AlN/GaN HEMT器件,获得了相关的电学特性:最大电流密度为1.3 A/mm,峰值跨导为2...
通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结构制备了0.15μm栅长InAlN/AlN/GaN HEMT器件,获得了相关的电学特性:最大电流密度为1.3 A/mm,峰值跨导为260 mS/mm,电流增益截止频率为65 GHz,最大振荡频率为85 GHz。对比于相应的AlGaN/AlN/GaN HEMT器件,InAlN/AlN/GaN HEMT器件由于具有高的二维电子气面密度和薄的势垒层厚度,其最大电流密度和峰值跨导特性有了很大的改善,同时频率特性也有显著提高。
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关键词
铟铝氮/氮化镓
高电子迁移率晶体管
二维电子气
薄势垒层厚度
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职称材料
题名
InAlN/AlN/GaN HEMT器件特性研究
被引量：
3
1
作者
刘海琪
周建军
董逊
陈堂胜
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期120-123,共4页
文摘
通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结构制备了0.15μm栅长InAlN/AlN/GaN HEMT器件,获得了相关的电学特性:最大电流密度为1.3 A/mm,峰值跨导为260 mS/mm,电流增益截止频率为65 GHz,最大振荡频率为85 GHz。对比于相应的AlGaN/AlN/GaN HEMT器件,InAlN/AlN/GaN HEMT器件由于具有高的二维电子气面密度和薄的势垒层厚度,其最大电流密度和峰值跨导特性有了很大的改善,同时频率特性也有显著提高。
关键词
铟铝氮/氮化镓
高电子迁移率晶体管
二维电子气
薄势垒层厚度
Keywords
InAlN/GaN
HEMT
2DEG
thin barrier layer
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
操作
1
InAlN/AlN/GaN HEMT器件特性研究
刘海琪
周建军
董逊
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
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