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半导体激光器: 1; 《中国光学》 EI CAS 2000年第6期16-17,共2页; TN248.4 2000063843高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器=High power 1.31μm AlGaInAs strain multiquantumwell DFB lasers[刊,中]/杨新民,李同宁,刘涛,周宁,金锦炎,李晓良(武汉邮电科学研究院.湖北,武汉(430074))//光通信研... 展开更多; 关键词分布反馈半导体激光器蓝绿色半导体激光器金属有机化学汽相淀积应变多量子阱激光自混合干涉武汉邮电科学研究院量子电子学脊型波导光通信垂直腔面发射半导体激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制: 2; 作者王善忠谢绳武 +10 位作者庞乾骏郑杭夏宇兴姬荣斌巫艳杨建荣乔怡敏于梅芳杜美容郭世平何力《量子电子学报》 CAS CSCD 2000年第2期139-144,共6页; 为研制ＺｎＳｅ基蓝绿色半导体激光器，必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长，包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等．ＺｎＳｅ是制备蓝绿激光器的基础材料，本文报道利用ＭＢＥ技术对ＺｎＳｅ材料进行生长控制和... 展开更多; 关键词蓝绿色半导体激光器 ZNSE 生长控制单晶薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

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