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纳米集成电路用硅基半导体材料
1
作者
屠海令
石瑛
+1 位作者
肖清华
马通达
《中国集成电路》
2003年第46期105-110,85,共7页
随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经...
随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。
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关键词
纳米集成电路
硅
基半导体材料
绝缘体上
硅
锗
硅
SIGE
SOI
蓝宝石上外延硅
键合
硅
片
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职称材料
题名
纳米集成电路用硅基半导体材料
1
作者
屠海令
石瑛
肖清华
马通达
机构
北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心
出处
《中国集成电路》
2003年第46期105-110,85,共7页
文摘
随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。
关键词
纳米集成电路
硅
基半导体材料
绝缘体上
硅
锗
硅
SIGE
SOI
蓝宝石上外延硅
键合
硅
片
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
纳米集成电路用硅基半导体材料
屠海令
石瑛
肖清华
马通达
《中国集成电路》
2003
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