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LiCl掺杂PEDOT∶PSS提高蓝光量子点发光二极管的性能
1
作者 王艳林 曹松 +2 位作者 余春燕 周利通 翟光美 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期771-780,共10页
基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率... 基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率、透光性以及所制备QLEDs器件性能的影响规律。实验结果表明,Li Cl的掺杂浓度(质量分数)为2%时蓝光QLED器件性能的提升效果最佳,这主要归因于Li Cl掺杂后的PEDOT∶PSS薄膜导电率和透光性的增强以及器件中空穴注入效率的提高。相较于未掺杂的PEDOT∶PSS基QLED器件,基于Li Cl掺杂的蓝光QLED器件的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率分别从5 083 cd·m^(-2)、0.91 cd·A^(-1)、0.59 lm·W^(-1)和2.31%提升到7 451 cd·m^(-2)、1.38 cd·A^(-1)、0.89 lm·W^(-1)和3.51%。结果表明,采用Li Cl掺杂PEDOT∶PSS空穴注入层是提高蓝光QLED性能的一种有效策略。 展开更多
关键词 蓝光量子点发光二极管 PEDOT∶PSS LiCl掺杂 空穴注入层 空穴注入
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氯化锌修饰蓝光量子点发光二极管 被引量：1
2
作者 张玉玲 肖毅 +5 位作者 王俊杰 罗宇 郭标 李丹阳 许伟 彭俊彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期238-246,共9页
采用氯化锌(ZnCl_(2))修饰镉基CdSe/ZnS蓝光量子点(B-QD)薄膜,发现与量子点表面结合力更强的ZnCl_(2)能够部分取代量子点长链配体油酸,有效钝化量子点表面缺陷,提高薄膜的荧光量子效率(PLQY)。此外,由于ZnCl_(2)具有偶极作用,使量子点... 采用氯化锌(ZnCl_(2))修饰镉基CdSe/ZnS蓝光量子点(B-QD)薄膜,发现与量子点表面结合力更强的ZnCl_(2)能够部分取代量子点长链配体油酸,有效钝化量子点表面缺陷,提高薄膜的荧光量子效率(PLQY)。此外,由于ZnCl_(2)具有偶极作用,使量子点真空能级提高0.2 eV,一方面可改善电子和空穴载流子注入平衡,另一方面可有效降低发光器件的启亮电压,提高器件的发光寿命。这种无机配体修饰量子点薄膜的方法可能为解决蓝光量子点发光二极管(B-QLEDs)因空穴注入困难和量子点表面缺陷导致器件性能不高的问题提供一个有效思路。 展开更多
关键词 氯化锌修饰层 无机配体取代 蓝光量子点发光二极管 载流子平衡 效率滚降减缓
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基于有机-无机混合配体置换的蓝光量子点发光二极管性能
3
作者 高懿韦 翟光美 +6 位作者 王北恒 王艳林 曹松 余春燕 苗艳勤 王华 许并社 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第9期1393-1404,共12页
相较于红光和绿光量子点发光二极管(QLED),制备高效蓝光QLED仍然具有挑战性。比较研究了有机配体(辛硫醇,OT)、无机配体(ZnCl_(2))和有机-无机混合配体(OT和ZnCl_(2))置换原始油酸配体对量子点(QD)的光致和电致发光性能的影响规律及机... 相较于红光和绿光量子点发光二极管(QLED),制备高效蓝光QLED仍然具有挑战性。比较研究了有机配体(辛硫醇,OT)、无机配体(ZnCl_(2))和有机-无机混合配体(OT和ZnCl_(2))置换原始油酸配体对量子点(QD)的光致和电致发光性能的影响规律及机制。实验结果表明,有机-无机混合配体置换对蓝光QLED的发光性能的提升效果最佳,ZnCl_(2)配体次之,辛硫醇配体最小,这主要归因于三种配体置换后量子点表面缺陷钝化以及量子点价带顶能级上移程度方面的差异。相较于原始油酸配体置换QLED,基于有机-无机混合配体置换量子点蓝光QLED的峰值功率效率和最高外量子效率分别约提高了2.08倍和1.89倍,最高亮度从2413 cd/m^(2)提高到了6994 cd/m^(2)。该研究为调控量子点表面化学性质和提高蓝光QLED性能提供了一种有效策略。 展开更多
关键词 蓝光量子点发光二极管(qled) 辛硫醇(OT) 氯化锌(ZnCl_(2)) 配体置换 有机-无机混合配体
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褶皱衍射光栅提升绿光量子点发光二极管的光耦合输出效率
4
作者 戚辉 陈铃 +5 位作者 郭鹏 袁佩玲 臧帅普 丁星星 张莹 曾灏宪 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第10期1572-1577,共6页
为了解决绿光量子点发光二极管(QLED)基底模式陷入光问题,首先通过在柔性聚二甲基硅氧烷基底上蒸镀铝层,自发形成了准周期褶皱结构。这种简单、有效的方法可以制作大面积的褶皱结构,所制作的褶皱结构具有随机取向和宽周期分布的特点。然... 为了解决绿光量子点发光二极管(QLED)基底模式陷入光问题,首先通过在柔性聚二甲基硅氧烷基底上蒸镀铝层,自发形成了准周期褶皱结构。这种简单、有效的方法可以制作大面积的褶皱结构,所制作的褶皱结构具有随机取向和宽周期分布的特点。然后,将褶皱结构作为外结构引入到QLED中,构筑了高效的绿光QLED。与参考QLED相比,褶皱QLED的外量子效率(EQE)从12.09%增加到16.06%,提升了32.8%;最大亮度从184600cd·m^(-2)增加到226500cd·m^(-2),在不改变发光峰位的情况下实现了基底模式陷入光的高效提取,为提升绿光QLED性能提供了一种新的选择。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(qled) 褶皱结构 衍射光栅 柔性材料 光耦合输出效率 基底模式陷入光
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面向量子点电致发光二极管的蓝光InP和ZnSe量子点研究现状 被引量：1
5
作者 杨书淇 刘方海 +1 位作者 陈萍 陈雷 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期1631-1644,共14页
作为传统显示器强有力的竞争者之一,量子点发光二极管(QLED)在显示领域备受关注。然而,高性能蓝光QLED器件的发光材料中通常含有镉或铅,这两类重金属有毒元素对人体健康和生态环境不利,也阻碍了QLED器件的规模化商用进程。因此,高质量... 作为传统显示器强有力的竞争者之一,量子点发光二极管(QLED)在显示领域备受关注。然而,高性能蓝光QLED器件的发光材料中通常含有镉或铅,这两类重金属有毒元素对人体健康和生态环境不利,也阻碍了QLED器件的规模化商用进程。因此,高质量无镉无铅型蓝光量子点材料的研发成为推动新型显示产业发展的动力和业界迫切追求的目标。历经数十年发展,InP和ZnSe等无镉无铅量子点材料的蓝光发射性能已取得较大进步,随着合成策略及蓝光材料的进一步优化改进,环境友好型蓝光量子点发光二极管器件性能有望追上传统红、绿光量子点器件的步伐。本文分别从合成优化手段、表面包覆策略、核壳结构类型、发光性能参数等方面进行汇总,系统综述了当前无镉无铅型蓝光InP和ZnSe量子点材料的研究进展,指出了QLED蓝光材料未来的发展方向。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 蓝光量子点 电致发光 ZNSE INP
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CdZnSe/ZnSeS/CdZnS红光量子点的合成及其在发光二极管中的应用 被引量：2
6
作者 田乃氾 关锦城 +3 位作者 吕柏希 孟凡源 李阳 陈钊 《材料研究与应用》 CAS 2022年第6期998-1007,共10页
为实现高荧光量子产率和较浅价带的量子点,选用镉掺硫化锌(CdZnS)和硫掺杂硒化锌(ZnSeS)分别为最外层壳和内层壳,合成了核/壳结构为CdZnSe/ZnSeS/CdZnS的红光量子点。结果表明:内部ZnSeS壳层能有效地将激子限制在量子点的核心内,与CdZnS... 为实现高荧光量子产率和较浅价带的量子点,选用镉掺硫化锌(CdZnS)和硫掺杂硒化锌(ZnSeS)分别为最外层壳和内层壳,合成了核/壳结构为CdZnSe/ZnSeS/CdZnS的红光量子点。结果表明:内部ZnSeS壳层能有效地将激子限制在量子点的核心内,与CdZnSe核和CdZnS外层壳间晶格匹配较小,使量子点具有完美的纳米结构和高光致发光量子产率;CdZnS最外壳层能够调控量子点的价带,减小空穴从聚合物到量子点之间的注入能垒,有利于空穴从空穴传输层注入到红光量子点发光层,实现量子点发光二极管中载流子平衡的复合;基于这些新型量子点的红色量子点发光二极管的最大外部量子效率为18.5%,量子点发光二极管在低外加电压下表现出较高的亮度值,具有较高的功率效率。基于CdZnS壳层的量子点具有较高的光致发光量子产率和较浅的价带能级,其可作为一种极好的最外层壳,以实现高性能的量子点发光二极管。 展开更多
关键词 CdZnS最外壳层 高发光量子产率 价带调控 平衡复合 高效量子点发光二极管
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单基质白光量子点用于WLED发光材料的研究进展 被引量：3
7
作者 邱琦 罗仲宽 +2 位作者 逄艳 吕维忠 王芳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期51-55,共5页
传统照明光源能耗大、寿命短,现有的节能三基色荧光灯存在汞污染,受发光材料限制,技术上难以得到突破,白光二极管(WLED)因为环保、节能、体积小等优点而成为照明材料研究的热点之一。比较了目前已有白光材料的优缺点,重点介绍了单基质... 传统照明光源能耗大、寿命短,现有的节能三基色荧光灯存在汞污染,受发光材料限制,技术上难以得到突破,白光二极管(WLED)因为环保、节能、体积小等优点而成为照明材料研究的热点之一。比较了目前已有白光材料的优缺点,重点介绍了单基质白光量子点(QD),综述了白光QD的合成方法,分析了提高光转化性能的途径和影响因素,讨论了目前存在的技术问题和今后研究的方向。 展开更多
关键词 白光量子点 掺杂 荧光产率 白色发光二极管
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利用ZnCl_(2)原位钝化电子传输层提高量子点发光二极管性能 被引量：1
8
作者 王北恒 高懿韦 +3 位作者 王艳林 曹松 余春燕 翟光美 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第12期1928-1936,共9页
在量子点发光二极管(QLED)中,电子-空穴注入不平衡和量子点层/电子传输层间界面的荧光猝灭限制着QLED效率的提升。基于此,采用金属卤化物(ZnCl_(2))原位处理电子传输层方法来减少氧化锌(ZnO)电子传输层的氧空位,同时有效钝化其表面不饱... 在量子点发光二极管(QLED)中,电子-空穴注入不平衡和量子点层/电子传输层间界面的荧光猝灭限制着QLED效率的提升。基于此,采用金属卤化物(ZnCl_(2))原位处理电子传输层方法来减少氧化锌(ZnO)电子传输层的氧空位,同时有效钝化其表面不饱和键,因此在一定程度上实现抑制量子点/电子传输层界面的荧光猝灭和提高QLED中的电子-空穴注入平衡的目的,最终得到了高亮度、高效率的QLED。原位钝化处理后的ZnO基QLED的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率(EQE)分别从未处理QLED的176800 cd/m^(2)、9.86 cd/A、8.38 lm/W和7.42%提高到219200 cd/m^(2)、15.14 cd/A、12.66 lm/W和11.65%。结果表明,ZnCl_(2)原位钝化ZnO电子传输层对QLED性能的提升起到重要的作用。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(qled) ZNO 原位钝化 ZnCl_(2) 电子传输层
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高效率钙钛矿量子点发光二极管研究进展 被引量：12
9
作者 皮慧慧 李国辉 +1 位作者 周博林 崔艳霞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期650-667,共18页
钙钛矿量子点具有光致发光量子产率高、发光光谱可调、光谱宽度窄、缺陷容忍度高以及独特的量子限域效应等优点,因此成为研制新型高效率发光二极管(LED)的热门材料。本文介绍了近几年基于钙钛矿量子点LED的研究最新进展。首先,介绍了钙... 钙钛矿量子点具有光致发光量子产率高、发光光谱可调、光谱宽度窄、缺陷容忍度高以及独特的量子限域效应等优点,因此成为研制新型高效率发光二极管(LED)的热门材料。本文介绍了近几年基于钙钛矿量子点LED的研究最新进展。首先,介绍了钙钛矿量子点独特的晶体结构及钙钛矿发光器件的工作原理。然后,阐述了合成高光致发光量子产率(PLQY)量子点的方法及提高钙钛矿量子点LED效率的若干方法。最后,分析了当前钙钛矿量子点LED所面临的挑战如不稳定性及毒性,以及可应用在显示和照明方面的高效率LED所展现的前景。本综述为研制更高效率以及更加安全的钙钛矿量子点发光器件提供了有益的见解。 展开更多
关键词 量子点 钙钛矿发光二极管 光致发光量子产率 外量子效率 电流效率
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旋涂法制备量子点LED功能层材料的研究进展 被引量：2
10
作者 崔贺凤 李晓云 郭美玲 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第4期225-233,共9页
综述了采用旋涂法制备的量子点发光二极管（QLED）中各功能层材料的研究进展,对可旋涂制备的多种载流子注入层和传输层材料的特性及应用进行了对比总结。多项研究表明：对于电子传输层（ETL）,ZnO和TiO2等无机金属氧化物材料在电子迁移... 综述了采用旋涂法制备的量子点发光二极管（QLED）中各功能层材料的研究进展,对可旋涂制备的多种载流子注入层和传输层材料的特性及应用进行了对比总结。多项研究表明：对于电子传输层（ETL）,ZnO和TiO2等无机金属氧化物材料在电子迁移率及器件可靠性方面都要优于有机材料;对于空穴传输层（HTL）,则是具有较高空穴迁移率及成膜质量好的聚[双（4-苯基）（4-丁基苯基）胺]（Poly-TPD）、聚（9-乙烯咔唑）（PVK）等有机聚合物材料应用更为广泛;而MoOx和WOx等无机金属氧化物材料则由于其能级匹配和可靠性方面的优势更多用于空穴注入层。随着技术的成熟及QLED应用中对高效率和高可靠性的要求,无机金属氧化物材料在QLED中的应用将越来越广泛,结合成本低廉的旋涂法,将有力地推动QLED的商业化。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(qled) 旋涂法 电子传输层(ETL) 空穴传输层(HTL) 电子迁移率 空穴迁移率
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