利用电子束荷电效应评价致密储集层储集空间——以准噶尔盆地吉木萨尔凹陷二叠系芦草沟组为例 被引量：21

1

作者 王晓琦 孙亮 +5 位作者 朱如凯 金旭 李建明 吴松涛 毕丽娜 刘晓丹 《石油勘探与开发》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期472-480,共9页

根据对致密储集层含油样品荷电现象的研究,提出基于电子束荷电效应的扫描电镜背散射截面二次成像法,研究储集层中残留油(未在实验真空条件下散失的原油)分布,并采用荷电显影剂注入法研究致密储集层孔隙连通性,形成有效储集空间的定量评... 根据对致密储集层含油样品荷电现象的研究,提出基于电子束荷电效应的扫描电镜背散射截面二次成像法,研究储集层中残留油(未在实验真空条件下散失的原油)分布,并采用荷电显影剂注入法研究致密储集层孔隙连通性,形成有效储集空间的定量评价方法。对准噶尔盆地吉木萨尔凹陷二叠系芦草沟组致密油储集层样品进行研究发现,储集层含油样品强烈的荷电效应来源于孔隙中填充的残留油,有机质裂解生成的原油广泛存在于有机质附近孔隙中,贫有机质区也有残留油存在。背散射截面二次成像法分析面积大,能克服样品非均质性导致的分析区代表性差的问题。荷电显影剂注入法刻画孔隙连通性更加准确有效,芦草沟组致密储集层含油样品总面孔率为12.56%,总孔隙连通率达90%,储集空间有效性好。 展开更多

关键词 电子束荷电效应 背散射截面二次成像 有效储集空间 孔隙连通性 致密油 准噶尔盆地 吉木萨尔凹陷 芦草沟组

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非导电样品荷电效应的吸收电流评价方法 被引量：8

2

作者 吉元 张虹 +5 位作者 史佳新 何焱 吕长志 徐学东 张隐奇 郭汉生 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期265-268,共4页

在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流Ia,评价非导电样品的荷电效应。对于非导电样品,Ia的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映。此外,Ia还可用... 在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流Ia,评价非导电样品的荷电效应。对于非导电样品,Ia的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映。此外,Ia还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)的效果。 展开更多

关键词 扫描电镜 荷电效应 吸收电流 非导电材料 荷电补偿

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BCN薄膜XPS结构分析时荷电效应的校正 被引量：5

3

作者 徐淑艳 马欣新 孙明仁 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2006年第1期16-20,共5页

采用X射线光电子谱(XPS)对BCN非晶纳米薄膜的结构进行表征。分别采用氩峰、污染碳和沉积单层金3种元素峰位来校正在XPS测试过程中由荷电效应引起的峰位移动,并与傅立叶红外光谱(FTIR)进行比较,讨论了这3种校正荷电效应的元素峰位选取对... 采用X射线光电子谱(XPS)对BCN非晶纳米薄膜的结构进行表征。分别采用氩峰、污染碳和沉积单层金3种元素峰位来校正在XPS测试过程中由荷电效应引起的峰位移动,并与傅立叶红外光谱(FTIR)进行比较,讨论了这3种校正荷电效应的元素峰位选取对正确表征BCN膜结构的影响。分析结果表明:采用不同校正元素得到的BCN薄膜中元素的结合能差别很大,只有采用合适的元素校正荷电效应才能正确的表征薄膜结构;采用氩校正结合能得到的键结构拟合结果最接近薄膜的真实结构,该方法适用于溅射气氛中含Ar气的BCN膜,且对分析膜内结构同样有效;采用污染碳法和沉积单层金校正的结合能与真实值偏差较大。 展开更多

关键词 BCN膜 XPS 化学结构 荷电效应

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氧环境扫描电子显微分析:消除绝缘材料荷电效应的新方法 被引量：3

4

作者 张虹 吉元 +3 位作者 权雪玲 徐学东 张隐奇 郭汉生 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期344-349,共6页

在环境扫描电镜(ESEM)中注入氧气,减少和消除绝缘样品表面在电子束辐照下产生的荷电效应。二次电子像的观察显示,在压力为130Pa^600Pa的ESEM中,氧气对Al2O3、Al(OH)3等氧化物、氢氧化物及生物样品的荷电补偿效果,优于常用的水蒸汽环境... 在环境扫描电镜(ESEM)中注入氧气,减少和消除绝缘样品表面在电子束辐照下产生的荷电效应。二次电子像的观察显示,在压力为130Pa^600Pa的ESEM中,氧气对Al2O3、Al(OH)3等氧化物、氢氧化物及生物样品的荷电补偿效果,优于常用的水蒸汽环境。通过吸收电流Ia的实时测试,评价了氧环境的荷电补偿效果。采用氧气减少表面荷电基于一个新的概念:在电子束的辐照下,电子受激解吸可造成表面氧亏损,使能带产生畸变,形成捕获电子的势阱。氧环境提供的氧离子可实现对氧空位的修复,从而消除了荷电效应。 展开更多

关键词 荷电效应 氧环境 环境扫描电镜 AL2O3 AL(OH)3

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脉冲偏压作用下MgO薄膜表面的荷电效应 被引量：1

5

作者 朱道云 郑昌喜 +3 位作者 王明东 陈弟虎 何振辉 闻立时 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期48-52,共5页

采用脉冲偏压电弧离子沉积技术在玻璃基片上制备了透明的、具有择优取向的MgO薄膜。针对绝缘性薄膜表面的荷电效应,比较了脉冲偏压作用下鞘层对离子的加速时间（即鞘层的寿命）与脉冲宽度的大小以及偏压鞘层的初始厚度与离子穿越的距离... 采用脉冲偏压电弧离子沉积技术在玻璃基片上制备了透明的、具有择优取向的MgO薄膜。针对绝缘性薄膜表面的荷电效应,比较了脉冲偏压作用下鞘层对离子的加速时间（即鞘层的寿命）与脉冲宽度的大小以及偏压鞘层的初始厚度与离子穿越的距离的大小,讨论了不同占空比下偏压鞘层对离子的加速效应。利用X射线衍射及扫描电子显微镜对样品的观察结果表明,由于荷电效应,脉冲偏压幅值为-150 V,占空比在10%~40%的范围内,占空比的变化并不能改变MgO薄膜的微观结构和表面形貌。 展开更多

关键词 脉冲偏压 电弧离子 荷电效应 MgO薄膜

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基于同轴电子全息定量表征水环境中Pd颗粒的荷电效应 被引量：1

6

作者 汪雨轩 任天星 +4 位作者 于洪杨 张婉如 田鹤 李吉学 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期379-383,共5页

纳米尺度上的电荷分布表征一直充满挑战,因为纳米结构中往往电荷量极低且易受外场影响而变化。例如:电子束辐照下样品会因荷电效应产生电荷积累,进而表现出不同的物理性质并干扰样品的表征结果。由于荷电效应积累的电荷量微小难以测量,... 纳米尺度上的电荷分布表征一直充满挑战,因为纳米结构中往往电荷量极低且易受外场影响而变化。例如:电子束辐照下样品会因荷电效应产生电荷积累,进而表现出不同的物理性质并干扰样品的表征结果。由于荷电效应积累的电荷量微小难以测量,对荷电效应的研究大多停留在定性分析层面。本文通过同轴电子全息的方法,定量表征了Pd颗粒及周围水环境受电子束辐照产生的荷电效应,并分析了不同束流密度下荷电效应对电荷密度与电荷量的影响。实验结果表明,低束流密度下,荷电效应不会导致Pd颗粒及周围水环境中产生明显的电荷积累;束流密度增大时,Pd颗粒呈负电,而周围水层表现为正电;并且随着束流密度增大,积累的正负电荷密度也随之增大。实验研究了荷电效应产生的电荷积累现象,从定量角度揭示了荷电效应对样品的影响,为排除荷电效应引入的非本征电荷提供了指导。并且同轴电子全息不但对实验条件高普适性,更展现出对电荷分布的高精度高灵敏度表征能力。 展开更多

关键词 同轴电子全息 电荷分布表征 电子束辐照 荷电效应

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铝焊垫俄歇分析中荷电效应影响及其降低方法 被引量：2

7

作者 虞勤琴 李明 段淑卿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期74-80,共7页

铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果。铝焊垫分析过程中,消... 铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果。铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提。从优化俄歇电子能谱仪分析条件(比如降低入射电压、倾斜样品载物台、Ar+离子中和)和使用辅助方法改善样品导电性两大方面,介绍了几种减少荷电效应的有效方法,提出了铝焊垫俄歇分析的基本流程。结果表明,此分析流程能有效提高分析效率,为业内俄歇分析人员提供借鉴。 展开更多

关键词 铝焊垫 俄歇电子能谱 荷电效应 表面分析 样品处理

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扫描电子显微镜中巧用低角电子成像 被引量：1

8

作者 李琳 刘丽月 陈燕 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第1期29-35,共7页

利用扫描电子显微镜对不导电样品的成像过程中,荷电效应会导致图像产生畸变、漂移、亮点亮线等缺陷。二次电子成像形貌立体感较好但是容易产生荷电现象,背散射电子成像受荷电影响较小但是一般形貌衬度较差。文章借助Apreo2S场发射扫描电... 利用扫描电子显微镜对不导电样品的成像过程中,荷电效应会导致图像产生畸变、漂移、亮点亮线等缺陷。二次电子成像形貌立体感较好但是容易产生荷电现象,背散射电子成像受荷电影响较小但是一般形貌衬度较差。文章借助Apreo2S场发射扫描电镜,针对不导电样品在不镀膜的情况下,通过优化工作模式、探测器和工作距离等参数来调控电子信号,巧用低角电子,得到形貌衬度明显的高分辨图像。从二次电子角度出发,使用Optipan模式配合T2探测器通过缩短工作距离以收集低角二次电子从而减弱荷电效应。从背散射电子角度出发,放大倍数较低时可使用Optipan模式配合ETD探测器获得形貌立体感好的高分辨图像,放大倍数高时可使用Immersion模式配合T1探测器缩短工作距离下以得到最佳图像。 展开更多

关键词 扫描电子显微镜 荷电效应 形貌衬度 低角电子

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X射线光电子能谱测试技术应用中常见问题探究 被引量：1

9

作者 潘燕芳 杨文超 +3 位作者 李晓静 林晓倩 贺舜 许燕娜 《中国无机分析化学》 北大核心 2025年第1期73-85,共13页

X射线光电子能谱(XPS)已在新能源、催化和半导体等领域中得到广泛应用,然而XPS数据的可靠性与真实性与测试工程师的经验有关,是一种考验测试经验的表面分析技术。为归纳X射线光电子能谱测试技术的应用,主要从测试原理、制样方法、测试... X射线光电子能谱(XPS)已在新能源、催化和半导体等领域中得到广泛应用,然而XPS数据的可靠性与真实性与测试工程师的经验有关,是一种考验测试经验的表面分析技术。为归纳X射线光电子能谱测试技术的应用,主要从测试原理、制样方法、测试参数设定、仪器校正及测试常见问题等方面进行了总结:在测试原理上概述了荷电效应及补偿方法、采样深度及靶材的选择;在制样上详细介绍样品要求、样品台的选择及制样要领;测试参数上阐述了表面采谱和深剖采谱的参数设定,并着重强调测试通能和能量分辨率的相互关系,举例说明X射线和溅射对某些物质的还原作用;在仪器校正上分述能量分辨率检验和非线性校正的物质;最后汇总XPS数据常见问题。希望未来能开发出空间分辨率好,能量分辨率高、功能更多更稳定的仪器,以满足更多的测试需求。 展开更多

关键词 X射线光电子能谱(XPS) 深度剖析 能量分辨率 半高宽(FMHW) 荷电效应 非线性校正 刻蚀还原

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纳滤膜孔结构、荷电性质、分离机理及动电性质研究进展 被引量：37

10

作者 王晓琳 涂丛慧 +2 位作者 方彦彦 肖燕 周波 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期127-134,共8页

纳滤膜拥有介于反渗透膜和超滤膜之间的截留分子量,同时对无机盐的截留率随着盐的种类和浓度而改变,广泛应用于各种水净化处理和产品精制分离过程.文章从纳滤膜孔结构和荷电性质、纳滤膜分离机理及其模型、纳滤膜动电性质等三个方面对... 纳滤膜拥有介于反渗透膜和超滤膜之间的截留分子量,同时对无机盐的截留率随着盐的种类和浓度而改变,广泛应用于各种水净化处理和产品精制分离过程.文章从纳滤膜孔结构和荷电性质、纳滤膜分离机理及其模型、纳滤膜动电性质等三个方面对纳滤膜分离技术20多年来的基础及应用研究进展进行回顾和总结,简要分析了今后纳滤膜分离技术的发展方向及趋势. 展开更多

关键词 纳滤膜 结构模型 非平衡热力学 筛分效应 荷电效应 动电性质

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场发射扫描电镜中荷电现象研究 被引量：35

11

作者 华佳捷 刘紫微 +2 位作者 林初城 吴伟 曾毅 《电子显微学报》 CAS CSCD 2014年第3期226-232,共7页

荷电效应是导致扫描电子显微镜(SEM)图像产生缺陷最重要原因之一,它使图像出现异常反差、畸变等现象,严重影响图像质量。镀膜可以有效避免荷电现象,但镀膜不可避免地会一定程度上掩盖样品的真实显微结构。如何在不镀膜的情况下,最大程... 荷电效应是导致扫描电子显微镜(SEM)图像产生缺陷最重要原因之一,它使图像出现异常反差、畸变等现象,严重影响图像质量。镀膜可以有效避免荷电现象,但镀膜不可避免地会一定程度上掩盖样品的真实显微结构。如何在不镀膜的情况下,最大程度减少荷电现象以获得不导电材料真实显微结构特征是材料科学工作者和电镜工作者的共同追求。本文从荷电效应产生的机理出发,阐述了采用合适的加速电压、探测器以及扫描方式等实验参数,对常见的不导电样品,如聚丙烯球、氧化镧粉体、SiO2球以及羟基磷灰石粉末等样品进行显微结构表征。结果表明若选择合适的实验参数,在不镀膜的情形下可以显著减少荷电甚至使荷电完全消失,从而得到高质量的材料真实显微结构信息。 展开更多

关键词 扫描电镜 荷电效应 低加速电压 背散射像

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非导电材料的荷电衬度的探讨 被引量：2

12

作者 吉元 张隐奇 +2 位作者 权雪玲 张虹 钟涛兴 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期376-376,共1页

关键词 非导电材料 荷电效应 微观结构特征 电子束辐照 衬度 物理性能 成像条件 微分析技术 EPMA

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氧化铝的加热荷电补偿研究 被引量：1

13

作者 王丽 付景永 +3 位作者 吉元 张隐奇 徐学东 钱鹏翔 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期531-534,共4页

在环境扫描电镜（ESEM）中配置加热台，对Al2O3样品进行加热实验。结果表明，Al2O3表面的荷电效应随温度的稳定升高而逐渐减小。当温度上升至～360℃时，荷电效应完全消除，得到清晰的二次电子（SE）像。在加热过程中，Al2O3样品的吸收... 在环境扫描电镜（ESEM）中配置加热台，对Al2O3样品进行加热实验。结果表明，Al2O3表面的荷电效应随温度的稳定升高而逐渐减小。当温度上升至～360℃时，荷电效应完全消除，得到清晰的二次电子（SE）像。在加热过程中，Al2O3样品的吸收电流（Iα）值不断提高，在～360℃时达到2．67×10^-7A。这个值相当于Al样品台的乇值，表明加热可增加Al2O3表面的导电率。此外，在高真空环境中通过加热消除荷电后，得到的Al2O3样品的SE像衬度优于通常在低真空环境中通过电子-离子中和作用得到的图像衬度。 展开更多

关键词 荷电效应 加热 AL2O3 环境扫描电镜(ESEM)

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非导电材料元素X-射线显微分析的补偿和校正方法 被引量：1

14

作者 张隐奇 吉元 +4 位作者 王丽 卫斌 戴琳 史佳新 张虹 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期102-106,共5页

本文分析了在环境扫描电镜中,Al2O3等非导电陶瓷样品的荷电效应和环境压力对X-射线能谱仪(EDS)元素分析造成的影响。研究了相应的补偿和校正方法。在高真空模式下,荷电效应使氧含量明显增加。采用低真空模式(LV)消除了荷电效应和减小了... 本文分析了在环境扫描电镜中,Al2O3等非导电陶瓷样品的荷电效应和环境压力对X-射线能谱仪(EDS)元素分析造成的影响。研究了相应的补偿和校正方法。在高真空模式下,荷电效应使氧含量明显增加。采用低真空模式(LV)消除了荷电效应和减小了表面电势,因而减小了EDS的测量误差。在LV模式中采用X-射线压力限制光阑(PLA)杯,减小了电子束的裙散效应,使EDS的测量误差进一步减小。较高的压力环境增加了对电子束和低能X-射线的散射作用,使EDS的测量误差明显增加。 展开更多

关键词 环境扫描电镜(ESEM) X-射线能量分散谱(EDS) 荷电效应 非导电陶瓷

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制浆造纸学科的扫描电镜样品制备及成像探讨 被引量：5

15

作者 黄滟波 王若韫 《中国造纸学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期46-52,共7页

介绍了制浆造纸学科常见样品如纸张、纸浆、粉末(造纸填料及助剂等)、膜等样品的扫描电镜(SEM)制样技术,并探讨了SEM成像过程中的常见问题。结果表明,采用粘贴碳导电胶条、使用银导电胶液等方法可增加样品表面的导电性;对于横截面样品,... 介绍了制浆造纸学科常见样品如纸张、纸浆、粉末(造纸填料及助剂等)、膜等样品的扫描电镜(SEM)制样技术,并探讨了SEM成像过程中的常见问题。结果表明,采用粘贴碳导电胶条、使用银导电胶液等方法可增加样品表面的导电性;对于横截面样品,利用离子束切割技术可以有效避免机械切割引起的样品形变;通过优化镀膜时间、加速电压等扫描电镜参数可显著改善由荷电效应、边缘效应及电子束损伤等引起的SEM图像异常。 展开更多

关键词 扫描电镜 制浆造纸 样品制备 荷电效应

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俄歇电子谱仪(AES)在天然风化普通角闪石研究中的应用

16

作者 David W.M. 毛水和 《地质科技情报》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期115-120,共6页

用俄歇电子谱仪对天然风化普通角冈石头表面化学进广了分析研究.AES具有很高的空问分辨率和进行深度截面分析的功能,从而能对亚微米级深度区间中的微米级面积中的阳离子相对浓度变化进行测定.所获数据表明,在化学风化过程中有如特征:(1)... 用俄歇电子谱仪对天然风化普通角冈石头表面化学进广了分析研究.AES具有很高的空问分辨率和进行深度截面分析的功能,从而能对亚微米级深度区间中的微米级面积中的阳离子相对浓度变化进行测定.所获数据表明,在化学风化过程中有如特征:(1)在12×10^(-8)m厚度范围内表面化学特征存在系统的变化;(2)并未发生表面层阳离子耗尽现象;(3)不同组分以不同程度渗漏到不同深度;(4)并不一定生成粘土或蒙脱石新的矿物相、非稳态扩散模型与这些数据最为吻合. 展开更多

关键词 俄歇电子谱 AES 普通角闪石 亚微米级 截面分析 非稳态 扩散模型 化学特征 荷电效应 厚度范围

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XPS分析中使用样品磁透镜引起的谱峰位移和峰形畸变 被引量：3

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作者 刘芬 邱丽美 赵良仲 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期65-67,共3页

发现当使用Mg/Al双阳极和样品磁透镜进行非导电样品(或与样品托绝缘的导电样品)的X射线光电子能谱分析时,谱峰出现异常大的位移和谱形出现畸变;在同时使用电子中和枪时谱峰位移变小,当导电样品与样品托有良好的电接触时谱峰位移消失;作... 发现当使用Mg/Al双阳极和样品磁透镜进行非导电样品(或与样品托绝缘的导电样品)的X射线光电子能谱分析时,谱峰出现异常大的位移和谱形出现畸变;在同时使用电子中和枪时谱峰位移变小,当导电样品与样品托有良好的电接触时谱峰位移消失;作者提出这种异常大的位移来自样品荷电效应 。 展开更多

关键词 XPS 分析 谱峰位移 峰形畸变 X射线光电子能谱 磁透镜 荷电效应

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