期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究
1
作者
李传皓
李忠辉
+3 位作者
彭大青
张东国
杨乾坤
罗伟科
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第2期252-257,共6页
本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力...
本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力及电学性能等之间的关联。提出了一种基于AlN/AlGaN复合成核技术的应力调控方案,首次实现了大尺寸范德瓦耳斯(vdW)异质外延材料应力的有效管控,研制的GaN微波材料的弯曲度(Bow)为+20.4μm,(002)/(102)面半峰全宽为471.6/933.5 arcsec,表面均方根粗糙度为0.52 nm,电子迁移率达到2000 cm^(2)/(V·s)。最后,基于机械剥离实现了大尺寸晶圆级GaN微波材料与蓝宝石衬底的分离,为高导热衬底转移提供便利,为大功率射频器件的制作创造条件。
展开更多
关键词
范德瓦耳斯异质外延
金属有机化学气相沉积
GaN微波材料
少层BN
应力调控
在线阅读
下载PDF
职称材料
柔性无机铁电薄膜的制备及其在存储器领域应用研究进展
被引量：
1
2
作者
戚佳斌
谢欣瑜
李忠贤
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第3期380-393,共14页
与传统硅基电子相比,柔性电子因其独特的便携性、折叠卷曲性和生物相容性被广泛研究。柔性存储器作为柔性电子重要分支,在可穿戴设备、智慧医疗、电子皮肤等领域展现出良好的应用前景。同时随着5G、人工智能、物联网等新一代信息技术深...
与传统硅基电子相比,柔性电子因其独特的便携性、折叠卷曲性和生物相容性被广泛研究。柔性存储器作为柔性电子重要分支,在可穿戴设备、智慧医疗、电子皮肤等领域展现出良好的应用前景。同时随着5G、人工智能、物联网等新一代信息技术深入应用,市场对高密度、非易失、超低功耗柔性存储器的需求持续释放,催生了柔性铁电存储器件的研究热潮。本文综述了近年来柔性无机铁电薄膜的制备及其在存储器领域应用进展。首先介绍了柔性铁电薄膜制造技术的发展情况,包括柔性基板上的范德瓦耳斯异质外延、刚性基板上的化学蚀刻分层、新型二维(2D)铁电材料生长等,然后介绍了基于无机铁电薄膜的柔性存储器的研究进展,最后对柔性铁电存储器的未来发展进行了展望。
展开更多
关键词
柔性
无机材料
铁电薄膜
范德瓦耳斯异质外延
化学蚀刻
二维铁电材料
存储器
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究
1
作者
李传皓
李忠辉
彭大青
张东国
杨乾坤
罗伟科
机构
南京电子器件研究所
中国电科碳基电子重点实验室
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第2期252-257,共6页
文摘
本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力及电学性能等之间的关联。提出了一种基于AlN/AlGaN复合成核技术的应力调控方案,首次实现了大尺寸范德瓦耳斯(vdW)异质外延材料应力的有效管控,研制的GaN微波材料的弯曲度(Bow)为+20.4μm,(002)/(102)面半峰全宽为471.6/933.5 arcsec,表面均方根粗糙度为0.52 nm,电子迁移率达到2000 cm^(2)/(V·s)。最后,基于机械剥离实现了大尺寸晶圆级GaN微波材料与蓝宝石衬底的分离,为高导热衬底转移提供便利,为大功率射频器件的制作创造条件。
关键词
范德瓦耳斯异质外延
金属有机化学气相沉积
GaN微波材料
少层BN
应力调控
Keywords
vdW heteroepitaxy
MOCVD
GaN microwave material
few-layer BN
stress modulation
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
柔性无机铁电薄膜的制备及其在存储器领域应用研究进展
被引量：
1
2
作者
戚佳斌
谢欣瑜
李忠贤
机构
中国电子科技南湖研究院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第3期380-393,共14页
基金
浙江省“领雁”研发攻关计划(2022C01098)。
文摘
与传统硅基电子相比,柔性电子因其独特的便携性、折叠卷曲性和生物相容性被广泛研究。柔性存储器作为柔性电子重要分支,在可穿戴设备、智慧医疗、电子皮肤等领域展现出良好的应用前景。同时随着5G、人工智能、物联网等新一代信息技术深入应用,市场对高密度、非易失、超低功耗柔性存储器的需求持续释放,催生了柔性铁电存储器件的研究热潮。本文综述了近年来柔性无机铁电薄膜的制备及其在存储器领域应用进展。首先介绍了柔性铁电薄膜制造技术的发展情况,包括柔性基板上的范德瓦耳斯异质外延、刚性基板上的化学蚀刻分层、新型二维(2D)铁电材料生长等,然后介绍了基于无机铁电薄膜的柔性存储器的研究进展,最后对柔性铁电存储器的未来发展进行了展望。
关键词
柔性
无机材料
铁电薄膜
范德瓦耳斯异质外延
化学蚀刻
二维铁电材料
存储器
Keywords
flexible
inorganic material
ferroelectric thin film
van der Waals heteroepitaxy
chemical etching
2D ferroelectric material
memory
分类号
O484 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究
李传皓
李忠辉
彭大青
张东国
杨乾坤
罗伟科
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
柔性无机铁电薄膜的制备及其在存储器领域应用研究进展
戚佳斌
谢欣瑜
李忠贤
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
