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(Fe_(1-x)Ni_(x))_(5+δ)GeTe_(2)单晶室温磁电阻效应的机制研究及应用展望
1
作者
龙秀敏
潘豪杰
曹桂新
《上海大学学报(自然科学版)》
北大核心
2025年第4期657-665,共9页
据报道,Ni掺杂的Fe_(5)GeTe_(2)单晶居里温度(TC)可达478 K,由于室温铁磁范德瓦尔斯(van der Waals,vdW)材料在自旋电子学应用中具有较大潜力,故为了探究Ni掺杂对Fe_(5)GeTe_(2)单晶室温磁电阻(magnetoresistance,MR)效应的影响,采用化...
据报道,Ni掺杂的Fe_(5)GeTe_(2)单晶居里温度(TC)可达478 K,由于室温铁磁范德瓦尔斯(van der Waals,vdW)材料在自旋电子学应用中具有较大潜力,故为了探究Ni掺杂对Fe_(5)GeTe_(2)单晶室温磁电阻(magnetoresistance,MR)效应的影响,采用化学气相输运(chemical vapor transport,CVT)法生长了一系列(Fe_(1-x)Ni_(x))_(5+δ)GeTe_(2)单晶样品,并采用综合物性测量系统(physical property measurement system,PPMS)和磁性能测量系统(magnetic property measurement system,MPMS)分别对其磁性以及室温MR随着Ni掺杂含量的变化进行了测量.研究结果表明,室温MR随着Ni掺杂含量的变化出现了从线性负磁电阻(negative magnetoresistance,NMR)转变为2种不同类型的非线性NMR、再转变为线性正磁电阻(positive magnetoresistance,PMR)的变化趋势.详细分析了不同MR行为的微观机制并阐述了其在自旋电子学器件的应用前景.
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关键词
范德瓦尔斯铁磁材料
居里温度
磁电阻效应
自旋电子学
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职称材料
题名
(Fe_(1-x)Ni_(x))_(5+δ)GeTe_(2)单晶室温磁电阻效应的机制研究及应用展望
1
作者
龙秀敏
潘豪杰
曹桂新
机构
上海大学材料基因组工程研究院
上海大学量子科技研究院
出处
《上海大学学报(自然科学版)》
北大核心
2025年第4期657-665,共9页
基金
国家重点研发计划资助项目(2024YFA1408000)。
文摘
据报道,Ni掺杂的Fe_(5)GeTe_(2)单晶居里温度(TC)可达478 K,由于室温铁磁范德瓦尔斯(van der Waals,vdW)材料在自旋电子学应用中具有较大潜力,故为了探究Ni掺杂对Fe_(5)GeTe_(2)单晶室温磁电阻(magnetoresistance,MR)效应的影响,采用化学气相输运(chemical vapor transport,CVT)法生长了一系列(Fe_(1-x)Ni_(x))_(5+δ)GeTe_(2)单晶样品,并采用综合物性测量系统(physical property measurement system,PPMS)和磁性能测量系统(magnetic property measurement system,MPMS)分别对其磁性以及室温MR随着Ni掺杂含量的变化进行了测量.研究结果表明,室温MR随着Ni掺杂含量的变化出现了从线性负磁电阻(negative magnetoresistance,NMR)转变为2种不同类型的非线性NMR、再转变为线性正磁电阻(positive magnetoresistance,PMR)的变化趋势.详细分析了不同MR行为的微观机制并阐述了其在自旋电子学器件的应用前景.
关键词
范德瓦尔斯铁磁材料
居里温度
磁电阻效应
自旋电子学
Keywords
van der Waals(vdW)ferromagnetic material
Curie temperature
magne-toresistance(MR)effect
spintronics
分类号
O441 [理学—电磁学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(Fe_(1-x)Ni_(x))_(5+δ)GeTe_(2)单晶室温磁电阻效应的机制研究及应用展望
龙秀敏
潘豪杰
曹桂新
《上海大学学报(自然科学版)》
北大核心
2025
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