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弹性压接型IGBT器件封装结构对芯片内部电场的影响研究 被引量:4
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作者 刘招成 崔翔 +6 位作者 李学宝 刘相辰 李超 赵志斌 金锐 唐新灵 和峰 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期274-283,共10页
高压大功率电力电子器件内部电场的准确计算,是保证器件绝缘设计满足要求的基本条件。首先,在静态场下建立考虑封装绝缘结构和芯片半导体载流子输运过程的耦合电场计算模型,并利用高压芯片反向特性测量平台,测量获得3300V高压芯片的耐... 高压大功率电力电子器件内部电场的准确计算,是保证器件绝缘设计满足要求的基本条件。首先,在静态场下建立考虑封装绝缘结构和芯片半导体载流子输运过程的耦合电场计算模型,并利用高压芯片反向特性测量平台,测量获得3300V高压芯片的耐受电压,与文中所建立模型的计算结果相对比,结果表明,计及芯片和封装耦合后,芯片耐受电压的计算结果与测量结果之间的误差由不考虑封装时的4.96%降低为0.8%。此外,以文中所使用的3300V高压芯片终端结构为例,应用耦合电场计算模型,计算在不同电压下的弹性压接封装结构下电场的分布分布特性,计算结果表明在2000V下,计及封装和芯片耦合后,芯片内部最大电场为不考虑封装结构时的1.24倍,且最大电场由终端区中部转移到末端。随着施加电压的增加,封装绝缘结构对于芯片电场的影响逐渐增大,芯片终端区表面电场显著增加甚至超过芯片内的最大电场。最后,利用部分电容模型,给出外部封装对于芯片电场影响的机理解释,并分析半导体–绝缘体界面电荷密度以及外部封装绝缘材料的介电常数对于芯片电场的影响规律,该文的结果可为高压大功率器件绝缘设计提供参考。 展开更多
关键词 IGBT器件绝缘 弹性压接型IGBT 封装结构 边界条件 芯片终端
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时间触发光纤通道协议芯片的设计与实现 被引量:1
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作者 谭小虎 王勇 +1 位作者 褚文奎 刘安 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期51-57,共7页
为支持光纤通道(FC)协议在航电系统中的应用并提高消息传输的时间确定性,将时间触发机制作为消息调度策略引入FC协议中,基于FPGA数字逻辑平台设计实现一种时间触发的FC终端协议芯片,并根据相关性能指标对其中的主要模块FC IP核、发送/... 为支持光纤通道(FC)协议在航电系统中的应用并提高消息传输的时间确定性,将时间触发机制作为消息调度策略引入FC协议中,基于FPGA数字逻辑平台设计实现一种时间触发的FC终端协议芯片,并根据相关性能指标对其中的主要模块FC IP核、发送/接收缓存管理模块以及IRIG-B编解码模块进行逻辑设计。测试结果表明,该协议芯片端口状态机、帧发送和帧接收模块工作正常,且时域信号波形正常,数据消息能够按时间调度表依次调度,满足设计要求。 展开更多
关键词 光纤通道协议 时间触发机制 时间确定性 光纤通道终端协议芯片 时间调度表
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高压大功率IGBT器件绝缘结构的电场计算研究综述 被引量:4
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作者 刘招成 崔翔 +2 位作者 李学宝 马楚萱 赵志斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期214-230,I0018,共18页
随着高压直流输电技术的发展,高压大功率绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件被广泛应用于各类高压大容量电力换流和控制装备中。然而,在高压大功率IGBT器件的研制过程以及工程应用中,器件内部局部放电现... 随着高压直流输电技术的发展,高压大功率绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件被广泛应用于各类高压大容量电力换流和控制装备中。然而,在高压大功率IGBT器件的研制过程以及工程应用中,器件内部局部放电现象乃至击穿现象频繁发生,给器件绝缘设计带来巨大挑战。要想实现良好器件绝缘设计,就需要获得器件内部的电场分布,因此实现器件内部电场的准确计算至关重要。文中全面回顾器件内部绝缘结构的建模和计算方法的发展历程,从封装绝缘电场计算、芯片绝缘电场计算以及芯片和封装绝缘耦合电场计算3个方面介绍相关研究的发展历程、适用范围以及相应的不足,最后展望未来器件内绝缘结构电场计算的发展方向。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管器件绝缘 封装结构 芯片终端 电场计算模型 边值问题
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全球首款40nm商用TD-SCDMA多模芯片发布
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《现代电子技术》 2011年第4期191-191,共1页
1月19日,“全球首款40nm低功耗商用TD-HSDPA/TD-SCDMA多模通信芯片报告会”在北京举行。这代表着全球首款40nm低功耗商用TD-HSDPA/TD-SCDMA多模通信芯片正式发布,是TD-SCDMA商用终端芯片发展历程中一个新的里程碑。工业和信息化部... 1月19日,“全球首款40nm低功耗商用TD-HSDPA/TD-SCDMA多模通信芯片报告会”在北京举行。这代表着全球首款40nm低功耗商用TD-HSDPA/TD-SCDMA多模通信芯片正式发布,是TD-SCDMA商用终端芯片发展历程中一个新的里程碑。工业和信息化部副部长杨学山、科技部副部长曹健林等参加了报告会。该款芯片由展讯通信有限公司推出。 展开更多
关键词 TD-SCDMA 通信芯片 多模 终端芯片 报告会 低功耗 副部长 商用
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罗德与施瓦茨联手华为共同演示最新4.5 G芯片平台1.6 Gbps高速下载
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《电子测量技术》 2018年第5期5-5,共1页
2018年2月19日,中国,深圳。罗德与施瓦茨公司(以下简称R&S公司)和华为技术有限公司共同宣布,使用华为最新的巴龙765芯片平台(Balong 765)成功演示了1.6 Gbps高速下载,这是业界首款支持LTE-A-Pro Category19(1.6Gbps)的移动终端... 2018年2月19日,中国,深圳。罗德与施瓦茨公司(以下简称R&S公司)和华为技术有限公司共同宣布,使用华为最新的巴龙765芯片平台(Balong 765)成功演示了1.6 Gbps高速下载,这是业界首款支持LTE-A-Pro Category19(1.6Gbps)的移动终端芯片平台。 展开更多
关键词 华为技术有限公司 终端芯片 GBPS 平台 演示 下载 罗德与施瓦茨公司 R&S公司
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应用于智能芯片的可视化反馈系统研究 被引量:2
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作者 李欣致 董胜波 +2 位作者 崔向阳 刘志哲 郭广浩 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1494-1502,共9页
当前,市场上普遍使用的负责推理的终端人工智能(AI)芯片使用训练好的参数对数据进行快速高效运算。但在通常训练过程中使用的数据集和真实数据的分布不一致,由此获得的参数会导致终端AI芯片识别准确度降低。为此,提出了一种基于终端AI... 当前,市场上普遍使用的负责推理的终端人工智能(AI)芯片使用训练好的参数对数据进行快速高效运算。但在通常训练过程中使用的数据集和真实数据的分布不一致,由此获得的参数会导致终端AI芯片识别准确度降低。为此,提出了一种基于终端AI芯片的可视化反馈系统架构方法。使用反卷积特征可视化方法,在具有高效计算性能的终端AI芯片上,对卷积核参数进行迭代优化,达到可识别该图像目的。相比于CPU/GPU和FPGA,所提架构在卷积神经网络模型里,更具有高效处理能力和灵活可塑性。实验表明,该研究有效提高了终端AI芯片的普适性、识别准确度和处理效率。 展开更多
关键词 深度学习 终端人工智能(AI)芯片 卷积层可视化 卷积核参数优化 小样本
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基于凯明TD—SCDMA解决方案推出四款手机
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期78-78,共1页
TD—SCDMA终端解决方案提供商凯明信息科技股份有限公司日前联合其合作伙伴在北京钓鱼台国宾馆发布了其完整的TD—SCDMA终端芯片解决方案,该解决方案已经过了与所有网络设备的一致性测试。发布会上,基于凯明方案的四款TD—SCDMA终端... TD—SCDMA终端解决方案提供商凯明信息科技股份有限公司日前联合其合作伙伴在北京钓鱼台国宾馆发布了其完整的TD—SCDMA终端芯片解决方案,该解决方案已经过了与所有网络设备的一致性测试。发布会上,基于凯明方案的四款TD—SCDMA终端分别从位于北京的鼎桥通信、大唐移动、普天通信以及上海的中兴通讯四处的网络设备到现场进行了通话和3G数据业务演示。 展开更多
关键词 SCDMA 解决方案 TD 手机 推出 钓鱼台国宾馆 股份有限公司 网络设备 一致性测试 终端芯片 合作伙伴 信息科技 数据业务 中兴通讯 提供商 发布会 北京 通信 3G 通话
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