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300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势 被引量:7
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作者 翁寿松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期27-29,55,共4页
采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律。300mm晶圆与90nm工艺是互动的。90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等。本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势。
关键词 300MM晶圆 芯片制造技术 发展趋势 90nm工艺 光刻 铜互连 低k绝缘层 应变硅
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基于系统结构再造的芯片制造技术集成创新机理研究 被引量:4
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作者 张贝贝 李娜 李存金 《科技进步与对策》 CSSCI 北大核心 2022年第5期11-21,共11页
芯片制造技术攻关是国家发展战略的迫切需求,提升该类技术自主创新水平是扭转我国集成电路产业核心技术受制于人的关键。以技术系统结构变化为切入点,基于结构再造原理,构建芯片制造技术集成创新机理理论框架,并以芯片光刻工艺专利数据... 芯片制造技术攻关是国家发展战略的迫切需求,提升该类技术自主创新水平是扭转我国集成电路产业核心技术受制于人的关键。以技术系统结构变化为切入点,基于结构再造原理,构建芯片制造技术集成创新机理理论框架,并以芯片光刻工艺专利数据为例进行实证研究。结果发现:①系统结构再造是实现技术集成创新的一种有效途径,在技术市场需求引导下,调整或重构芯片制造技术系统中技术元素之间的线性或非线性集成规则,使系统各部分间的关系更加协调、相互配合更加高效,从而推动原技术系统向高良品率、高集成度和低能耗芯片制造新技术系统转变;②芯片制造技术系统结构变化包括技术元素种类变化、元素间关联关系变化和元素比重变化3种原因;③根据系统结构变化程度,将结构再造分成结构调整和结构重组两类。该结论有助于加深相关企业和技术人员对芯片制造技术创新原理的理解,同时对复杂技术系统创新实践具有重要借鉴意义。 展开更多
关键词 系统结构再造 芯片制造技术 集成创新
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“超越摩尔定律的科学与工程”计划
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《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期745-745,共1页
美国国家科学基金会将继续为“超越摩尔定律的科学与工程”计划(Science and Engineering Beyond Moore’s Law)拨款9618万美元,资助这项整合了纳米科技、计算科学、材料科学和物理学的多学科研究课题.该计划简称为SEBML,目标是通... 美国国家科学基金会将继续为“超越摩尔定律的科学与工程”计划(Science and Engineering Beyond Moore’s Law)拨款9618万美元,资助这项整合了纳米科技、计算科学、材料科学和物理学的多学科研究课题.该计划简称为SEBML,目标是通过支持那些可改进或取代现有半导体集成技术的研究项目,打破现有技术上的极限,突破摩尔定律,使纳米技术、计算方法、软件设计和芯片结构方面的基础研究能够推动新一代芯片制造技术的开发,进而保持美国在通信和计算领域的前沿地位. 展开更多
关键词 美国国家科学基金会 摩尔定律 工程 计算科学 芯片制造技术 集成技术 纳米科技 材料科学
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