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题名EUT对TEM传输室基本特性影响的边界元分析
被引量：1
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作者
胡玉生
蒋全兴
徐加征
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机构
东南大学机械工程系电磁兼容研究室
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2003年第4期79-82,共4页
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文摘
采用边界元法分析了不同尺寸的良导体受试设备 (EquipmentUnderTest ,EUT)对TEM传输室特性阻抗和场分布的影响 ,并估算了敏感度测试中EUT所承受暴露场强的大小。计算结果表明 :与空载时相比当EUT满足“1/ 3准则”时 ,TEM传输室的特性阻抗下降值小于 2Ω ,EUT上、下方场强增加 3～ 4dB ,EUT上部所承受暴露场强比通常的估算方法高约 4～ 6dB。
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关键词
EUT
边界元法
良导体受试设备
TEM传输室
特性阻抗
场分布
横电磁波
电磁兼容
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Keywords
Equipment under test, Characteristic impedance, Field distribution, TEM cell, Bo undary element method(BEM)
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分类号
TN015
[电子电信—物理电子学]
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