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题名SiGe材料系自组织Ge量子点研究(英文)
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作者
黄昌俊
王启明
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机构
中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室
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出处
《中国科学院研究生院学报》
CAS
CSCD
2003年第4期510-516,共7页
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基金
supportedbythemajorstatebasicresearchprogram(973)(G2 0 0 0 0 3 660 3),"863 "ResearchPlan
andNationalNaturalScienceFoundationofChina(698762 60)
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文摘
在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一。Ge在Si上 4.2 %的晶格失配可以制造大小尺寸不同的纳米结构,还可适应其他多种器件需要。对自组织Ge量子点的形成过程、形貌演化、光学和电学性质,以及提高量子点平面排布有序性的方法进行了系统的分析和研究,并着重介绍了实验中发现的新现象、新模型和新方法,其中包括量子点的反常形状跃迁、自覆盖效应、Ge/Si量子点的II型能带结构。
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关键词
GE量子点
Si基光电子
自组织纳米微结构
异质外延生长
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Keywords
Ge quantum dots, Si-based optoelectronics, self-assembled nanostructure, heteroepitaxial crystal growth
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分类号
O47
[理学—半导体物理]
TN2
[电子电信—物理电子学]
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