自组织生长InAs量子点的发光性质研究

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作者 蔡加法 孔令民 +2 位作者 吴正云 陈主荣 牛智川 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期732-735,共4页

通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究,发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变;中间温度区载流子寿命随温度升高而变大;更高温度时,发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降.

关键词 自组织生长砷化铟量子点 发光性质 铟钙砷三元化合物 覆盖层 光致发光 瞬态荧光谱 寿命

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自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究 被引量：2

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作者 孔令民 蔡加法 +2 位作者 陈主荣 吴正云 牛智川 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期208-212,共5页

在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸... 在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果. 展开更多

关键词 INAS量子点 浸润层 时间分辨谱 半导体超薄层生长技术 砷化铟

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InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒

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作者 王海龙 朱海军 +2 位作者 宁东 陈枫 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期397-401,共5页

成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＩＳ）研究了ｐ 型ＩｎＡｓ 自组织生长的量子点的电学性质，测得２．５ 原子层ＩｎＡｓ 量子点空穴基态能级在ＧａＡｓ 价带底上约０．０９ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒，俘获势垒... 成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＩＳ）研究了ｐ 型ＩｎＡｓ 自组织生长的量子点的电学性质，测得２．５ 原子层ＩｎＡｓ 量子点空穴基态能级在ＧａＡｓ 价带底上约０．０９ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒，俘获势垒高度为０．２６ｅＶ．本工作首次利用ＤＬＴＳ测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒。 展开更多

关键词 自组织生长 量子点 DLTS 空穴俘获势垒 砷化铟

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InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒 被引量：2

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作者 陈枫 封松林 +3 位作者 杨锡震 王志明 汪辉 邓元明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期241-244,共4页

成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２... 成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ．本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究． 展开更多

关键词 量子点 DLTS 自组织生长 砷化铟 电子俘获势垒

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MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究 被引量：1

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作者 朱东海 范缇文 +7 位作者 梁基本 徐波 朱战萍 龚谦 江潮 李含轩 周伟 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期228-231,共4页

利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移．这表明由于量子点中载流子波函数的... 利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移．这表明由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生． 展开更多

关键词 量子点 分子束外延 自组织生长 砷化铟

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自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应

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作者 王志明 吕振东 +6 位作者 封松林 赵谦 李树英 吉秀江 陈宗圭 徐仲英 郑厚植 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期455-458,共4页

通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝移．量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩... 通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝移．量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火倾向于产生更多的位错，量子点的发光峰位置不变，但强度减弱． 展开更多

关键词 量子点 退火 砷化铟 自组织生长 砷化镓

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低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究 被引量：3

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作者 王晓东 汪辉 +2 位作者 王海龙 牛智川 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期177-180,共4页

利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点比通常生长的 In As量子点明显变小 ,且密度变大 ,认为是由于低温 Ga As中的点缺陷以及 As沉淀引起的 :... 利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点比通常生长的 In As量子点明显变小 ,且密度变大 ,认为是由于低温 Ga As中的点缺陷以及 As沉淀引起的 :点缺陷释放了部分弹性能 ,使得量子点变小 ,而 As沉淀可能是量子点密度变大的原因 .在光致发光谱 (PL )上 ,退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高 。 展开更多

关键词 外延生长 砷化镓 砷化锢 砷沉淀 低温 量子点

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生长停顿对量子点激光器的影响 被引量：2

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作者 汪辉 王海龙 +2 位作者 王晓东 牛智川 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期347-350,共4页

在 In As自组织量子点的 Ga As覆盖层中引入生长停顿 ,将这种量子点结构作激光器的有源区 ,与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现 :生长停顿可以降低激光器的阈值电流 ,提高其特征温度 ,改善激光波长的温度稳定性 .简单的分析... 在 In As自组织量子点的 Ga As覆盖层中引入生长停顿 ,将这种量子点结构作激光器的有源区 ,与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现 :生长停顿可以降低激光器的阈值电流 ,提高其特征温度 ,改善激光波长的温度稳定性 .简单的分析表明 ,量子点中的能带填充效应影响了激光波长的温度特性 . 展开更多

关键词 自组织量子点 量子点激光器 生长停顿 砷化铟

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Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性 被引量：2

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作者 王海龙 朱海军 +4 位作者 封松林 宁东 汪辉 王晓东 江德生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期20-23,共4页

首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响 ,发光强度明显变弱。相信... 首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响 ,发光强度明显变弱。相信该研究对 In As自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。 展开更多

关键词 量子点 光致发光 掺杂 铍 砷化铟

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杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响 被引量：2

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作者 王海龙 朱海军 +5 位作者 李晴 宁东 汪辉 王晓东 邓元明 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期423-426,共4页

研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的... 研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点.该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义. 展开更多

关键词 自组织量子点 硅 杂质 砷化锢 均匀性

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InAs/GaAs自组织量子点的DLTS谱 被引量：1

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作者 杨锡震 陈枫 封松林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期357-359,共3页

将ＤＬＴＳ用于对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓＱＤ结构样品的测量，测定了ＱＤ能级发射载流子的热激活能；获得了ＱＤ能级俘获电子过程伴随有多声子发射（ＭＰＥ）、ＱＤ能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下，存在亚稳生长构形... 将ＤＬＴＳ用于对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓＱＤ结构样品的测量，测定了ＱＤ能级发射载流子的热激活能；获得了ＱＤ能级俘获电子过程伴随有多声子发射（ＭＰＥ）、ＱＤ能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下，存在亚稳生长构形的实验证据． 展开更多

关键词 量子点 深能级 瞬态谱 DLTS谱 砷化镓 砷化铟

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MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用 被引量：1

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作者 李树玮 缪国庆 +5 位作者 蒋红 元光 宋航 金亿鑫 小池一步 矢野满明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期554-558,共5页

用MBE设备以Stranski Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能... 用MBE设备以Stranski Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)对InAs量子点进行观测。所用Al0 5Ga0 5As势垒外延层,对镶嵌在其中的InAs量子点有很强的量子限制作用,并产生强量子限制效应,可以把InAs量子点的电子和空穴能级的热激发当作"深能级"的热激发来研究,这样可用DLTS方法进行测量。在垂直堆垛的InAs量子点的HFET器件中,由充电和放电过程的IDS VGS曲线可以看到阈值电压有非常大的移动,这样便产生存储效应。 展开更多

关键词 MBE 垂直堆垛 INAS量子点 HFET存储器件 分子束外延 深能级瞬态谱 场效应管 FET 非挥发存储器 半导体材料 外延生长 砷化铟

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InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点 被引量：1

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作者 王本忠 刘式墉 +3 位作者 赵方海 孙洪波 彭宇恒 李正廷 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1997年第2期70-72,共3页

报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um^1700um范围内。

关键词 砷化铟 自组装量子点 MOCVD 磷化铟 衬底

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GaAs层引入InAs/Inp量子点有序生长机制的研究

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作者 殷景志 王新强 +1 位作者 杜国同 杨树人 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第11期1021-1023,共3页

本文对张应变 Ga As层引入使 In As/ Inp量子点有序化排列的机制进行了分析 .为提高 In As/ Inp自组装量子点特性提供了理论依据 .

关键词 自组装量子点 有序生长 张应变砷化铟层

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高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs量子线阵列

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作者 闫发旺 张文俊 +3 位作者 张荣桂 崔立奇 梁春广 刘式墉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期74-77,共4页

利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在高面指数（５５３）Ｂ ＧａＡｓ衬底上自组织生长了应变Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ量子线阵列结构。通过原子力显微镜（ＡＦＭ）对 Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ外延层的表面形貌进行了观... 利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在高面指数（５５３）Ｂ ＧａＡｓ衬底上自组织生长了应变Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ量子线阵列结构。通过原子力显微镜（ＡＦＭ）对 Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ外延层的表面形貌进行了观测。测试结果表明量子线的密度高达４×１０~５／ｃｍ。研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱（ＰＰＬ），发现其发光峰半高宽（ＦＷＨＭ）最小为 ９．２ ＭｅＶ，最大偏振度可达０．２２，这些测试结果表明制各出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构。 展开更多

关键词 分子束外延 量子线阵列 砷化镓 自组织生长

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自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究 被引量：3

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作者 王志明 吕振东 +7 位作者 封松林 杨小平 陈宗圭 徐仲英 郑厚植 王凤莲 韩培德 段晓峰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期335-338,共4页

报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表... 报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表明在这种结构中出现了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为ＩｎＡｓ材料的俘获陷阱．随着停顿时间加长，ＩｎＡｓ岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化． 展开更多

关键词 量子点 生长停顿 自组织 砷化铟/砷化镓

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大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱 被引量：2

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作者 马宝珊 王晓东 +5 位作者 骆军委 苏付海 方再利 丁琨 牛智川 李国华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期207-212,共6页

在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明... 在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁. 展开更多

关键词 凝聚态物理学 光致发光 压力 砷化铟 量子点

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InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究

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作者 张冶金 王新强 +4 位作者 陈维友 刘彩霞 汪爱军 杨树人 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期57-60,共4页

用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 PL谱的能级分布 ,分析PL谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 PL峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 PL谱峰值有明显红移 。

关键词 自组装量子点 室温PL谱 能级分布 半导体 外延层 砷化铟 砷化钙 磷化铟

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