-
题名光调制技术及器件
- 1
-
-
-
出处
《中国光学》
EI
CAS
1996年第6期47-48,共2页
-
文摘
TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启明(中科院半导体所国家集成光电子学联合实验室.北京(100083))//光子学报.-1995,24(5).-388-392采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自由光效应器件的实验结果。
-
关键词
多量子阱
自电光效应器件
光调制器
分布布喇格反射器
反射型
分子束外延技术
斯塔克效应
集成光电子学
自由光效应器件
量子限制
-
分类号
TN761
[电子电信—电路与系统]
-
