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一种适用于自旋磁随机存储器的低压写入电路被引量：6: 1; 作者张丽庄奕琪 +1 位作者赵巍胜汤华莲《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期131-137,共7页; 为了降低自旋转移力矩磁随机存储器的写入功耗,提出了一种低电源电压写入电路.该电路利用列选和读写隔离相结合的方法,减小了写入支路上的电阻,写入电源电压由1.8V降低为1.2V,写入功耗降低了近33%.同时,该电路减小了读取电流对磁隧道结... 展开更多; 关键词自旋转移力矩磁随机存储器磁隧道结低功耗高可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述被引量：2: 2; 作者张明喆张法刘志勇《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期677-691,共15页; 作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系... 展开更多; 关键词非易失存储器相变存储器自旋转移力矩存储器忆阻器动态权衡; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于强化学习的混合缓存能耗优化与评价被引量：2: 3; 作者范浩徐光平 +2 位作者薛彦兵高赞张桦《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1125-1139,共15页; 新兴的非易失存储器STT-RAM具有低泄漏功率、高密度和快速读取速度、高写入能量等特点;而SRAM具有高泄漏功率、低密度、快速读取写入速度、低写入能量等特点.SRAM和STT-RAM相结合组成的混合缓存充分发挥了两者的性能,提供了比SRAM更低... 展开更多; 关键词强化学习混合缓存架构缓存自旋转移力矩随机存取存储器分配策略; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应被引量：15: 4; 作者韩秀峰刘厚方 +6 位作者张佳师大伟刘东屏丰家峰魏红祥王守国詹文山《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第6期339-353,共15页; 典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿... 展开更多; 关键词巨磁电阻效应隧穿磁电阻效应磁性隧道结第一性原理计算自旋转移力矩效应库仑阻塞磁电阻磁随机存储器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SRAM和STT-RAM的混合指令Cache设计: 5; 作者皇甫晓妍樊晓桠黄小平《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2015年第12期43-48,共6页; 随着工艺尺寸减小,传统基于SRAM的片上Cache的漏电流功耗成指数增长,阻碍了片上Cache容量的增加。基于牺牲者Cache的原理,利用SRAM写速度快,STT-RAM的非易失性、高密度、极低漏电流功耗等特性设计了一种基于SRAM和STT-RAM的混合型指令Ca... 展开更多; 关键词自旋转移力矩随机存储器(STT-RAM) 指令CACHE 混合Cache; 在线阅读下载PDF 职称材料

CoFeB/MgO磁隧道结的低电流密度磁矩翻转特性: 6; 作者郭园园蒿建龙 +1 位作者薛海斌刘喆颉《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期571-576,共6页; 基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程,研究平面型Co Fe B/Mg O磁隧道结的磁矩翻转特性.数值计算结果表明,Co Fe B与Mg O间的界面各向异性,可降低磁矩翻转的阈值电流密度,达到106A/cm2量级.固定层磁矩方向和类场自旋转移... 展开更多; 关键词表面与界面物理学磁隧道结自旋转移力矩磁随机存储器磁动力学方程自旋电子学电流藏应磁化翻转; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种适用于自旋磁随机存储器的低压写入电路被引量：6: 1; 作者张丽庄奕琪赵巍胜汤华莲; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室巴黎第十一大学; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期131-137,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61204092) 国家重大科技专项资助项目(2012ZX03001018-003) 中央高校基本科研业务费资助项目(K5051225017); 文摘为了降低自旋转移力矩磁随机存储器的写入功耗,提出了一种低电源电压写入电路.该电路利用列选和读写隔离相结合的方法,减小了写入支路上的电阻,写入电源电压由1.8V降低为1.2V,写入功耗降低了近33%.同时,该电路减小了读取电流对磁隧道结存储信息的干扰,可有效提高自旋转移力矩磁随机存储器的存储可靠性.利用65nm的磁隧道结器件模型和商用CMOS器件模型进行了电路仿真,仿真结果表明,低电源电压写入电路能有效降低自旋转移力矩磁随机存储器写入功耗,提高其可靠性.; 关键词自旋转移力矩磁随机存储器磁隧道结低功耗高可靠性; Keywords spin transfer torque magnetic random access memory magnetic tunnel junction low power high reliability; 分类号 TN45 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述被引量：2: 2; 作者张明喆张法刘志勇; 机构中国科学院大学计算机体系结构国家重点实验室(中国科学院计算技术研究所); 出处《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期677-691,共15页; 基金国家自然科学基金项目(61520106005 61761136014) 国家重点研发计划项目(2017YFB1010000)~~; 文摘作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系结构的方法,通过增加层或者调度的方式加以避免或隐藏.但是,这类解决方案往往存在软硬件开销大、无法同时针对不同问题进行优化等问题.近年来,随着对新型非易失存储材料研究的深入,一系列器件自身所包含的动态权衡特性被陆续发现,这也为体系结构研究提供了新的机遇.基于这些器件自身的动态权衡特性,研究人员提出了一系列新的动态非易失存储器优化方案.与传统的优化方案相比,这类新型方案具有额外硬件开销小、可同时针对多个目标进行优化等优点.首先对非易失存储器存在的问题及传统的优化方案进行了概括;然后对非易失存储器件中3个重要的动态权衡关系进行了介绍;在此基础上,对近年来出现的一系列基于非易失存储器动态权衡特性的体系结构优化方案进行梳理;最后,对此类研究的特点进行了总结,并对未来的发展方向进行了展望.; 关键词非易失存储器相变存储器自旋转移力矩存储器忆阻器动态权衡; Keywords non-volatile memory(NVM) phase change memory spin-transfer torque RAM memristor dynamical trade-off; 分类号 TP391 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于强化学习的混合缓存能耗优化与评价被引量：2: 3; 作者范浩徐光平薛彦兵高赞张桦; 机构天津理工大学计算机科学与工程学院智能计算及软件新技术天津市重点实验室(天津理工大学) 天津中德应用技术大学; 出处《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1125-1139,共15页; 基金国家自然科学基金项目(61971309) 天津自然科学基金项目(17JCYBJC15600,18JCYBJC84800)。; 文摘新兴的非易失存储器STT-RAM具有低泄漏功率、高密度和快速读取速度、高写入能量等特点;而SRAM具有高泄漏功率、低密度、快速读取写入速度、低写入能量等特点.SRAM和STT-RAM相结合组成的混合缓存充分发挥了两者的性能,提供了比SRAM更低的泄漏功率和更高的单元密度,比STT-RAM更高的写入速度和更低的写入能量.混合缓存结构主要是通过把写密集数据放入SRAM中、读密集型数据放入STT-RAM中发挥这2种存储器的性能.因此如何识别并分配读写密集型数据是混合缓存设计的关键挑战.利用缓存访问请求的写入强度和重用信息,提出一种基于强化学习的缓存管理方法,设计缓存分配策略优化能耗.关键思想是使用强化学习对得到的缓存行(cache line)集合的能耗进行学习,得到该集合分配到SRAM或者STT-RAM的权重,将集合中的缓存行分配到权重大的区域.实验评估表明:提出的策略与以前的策略相比,在单核(四核)系统中能耗平均降低了16.9%(9.7%).; 关键词强化学习混合缓存架构缓存自旋转移力矩随机存取存储器分配策略; Keywords reinforcement learning hybrid cache architecture cache spin transfer torque random access memory allocation policy; 分类号 TP303 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应被引量：15: 4; 作者韩秀峰刘厚方张佳师大伟刘东屏丰家峰魏红祥王守国詹文山; 机构中国科学院物理研究所; 出处《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第6期339-353,共15页; 文摘典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80%。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1 000%,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200%的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604%的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点。对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍。; 关键词巨磁电阻效应隧穿磁电阻效应磁性隧道结第一性原理计算自旋转移力矩效应库仑阻塞磁电阻磁随机存储器; Keywords giant magnetoresistance tunneling magnetoresistance magnetic tunnel junction first-principles calcula-tion spin transfer torque effect coulomb blockade Magneto-resistance magnetic random access memory; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SRAM和STT-RAM的混合指令Cache设计: 5; 作者皇甫晓妍樊晓桠黄小平; 机构西北工业大学计算机学院; 出处《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2015年第12期43-48,共6页; 基金国家自然科学基金(No.60773223 No.61003037 +3 种基金 No.60736012 No.61173047) No.JC201212); 文摘随着工艺尺寸减小,传统基于SRAM的片上Cache的漏电流功耗成指数增长,阻碍了片上Cache容量的增加。基于牺牲者Cache的原理,利用SRAM写速度快,STT-RAM的非易失性、高密度、极低漏电流功耗等特性设计了一种基于SRAM和STT-RAM的混合型指令Cache。通过实验证明,该混合型指令Cache与传统基于SRAM的指令Cache相比,在不增加指令Cache面积的情况下,增加了指令Cache容量,并显著提高了指令Cache的命中率。; 关键词自旋转移力矩随机存储器(STT-RAM) 指令CACHE 混合Cache; Keywords Spin-Transfer Torque Random Access Memory（ STT-RAM） instruction Cache hybrid Cache; 分类号 TP303 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CoFeB/MgO磁隧道结的低电流密度磁矩翻转特性: 6; 作者郭园园蒿建龙薛海斌刘喆颉; 机构太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室太原理工大学物理与光电工程学院新加坡国立大学电气与计算机工程系; 出处《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期571-576,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(11204203 61274089)~~; 文摘基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程,研究平面型Co Fe B/Mg O磁隧道结的磁矩翻转特性.数值计算结果表明,Co Fe B与Mg O间的界面各向异性,可降低磁矩翻转的阈值电流密度,达到106A/cm2量级.固定层磁矩方向和类场自旋转移力矩对自由层磁矩的翻转时间有重要影响.当固定层磁矩与自由层磁矩之间有一个小角度时,可显著加快自由层磁矩翻转.当类场自旋转移力矩与自旋转移力矩之比为负值时,类场自旋转移力矩与自旋转移力矩将促进自由层磁矩翻转;当相应的类场自旋转移力矩与自旋转移力矩之比为正值时,类场自旋转移力矩将阻碍自由层磁矩翻转.该研究可供自旋转移力矩驱动的磁性随机存储器件设计借鉴.; 关键词表面与界面物理学磁隧道结自旋转移力矩磁随机存储器磁动力学方程自旋电子学电流藏应磁化翻转; Keywords surface and interface physics magnetic tunnel junction spin transfer torque magnetoresistive random access memory magnetic dynamic equation spin electronics curreut induced magnetization reversal; 分类号 O469 [理学—凝聚态物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种适用于自旋磁随机存储器的低压写入电路	张丽庄奕琪赵巍胜汤华莲	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述	张明喆张法刘志勇	《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种基于强化学习的混合缓存能耗优化与评价	范浩徐光平薛彦兵高赞张桦	《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应	韩秀峰刘厚方张佳师大伟刘东屏丰家峰魏红祥王守国詹文山	《中国材料进展》 CAS CSCD	2013	15	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于SRAM和STT-RAM的混合指令Cache设计	皇甫晓妍樊晓桠黄小平	《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	CoFeB/MgO磁隧道结的低电流密度磁矩翻转特性	郭园园蒿建龙薛海斌刘喆颉	《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料