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一种适用于自旋磁随机存储器的低压写入电路
被引量:
6
1
作者
张丽
庄奕琪
+1 位作者
赵巍胜
汤华莲
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期131-137,共7页
为了降低自旋转移力矩磁随机存储器的写入功耗,提出了一种低电源电压写入电路.该电路利用列选和读写隔离相结合的方法,减小了写入支路上的电阻,写入电源电压由1.8V降低为1.2V,写入功耗降低了近33%.同时,该电路减小了读取电流对磁隧道结...
为了降低自旋转移力矩磁随机存储器的写入功耗,提出了一种低电源电压写入电路.该电路利用列选和读写隔离相结合的方法,减小了写入支路上的电阻,写入电源电压由1.8V降低为1.2V,写入功耗降低了近33%.同时,该电路减小了读取电流对磁隧道结存储信息的干扰,可有效提高自旋转移力矩磁随机存储器的存储可靠性.利用65nm的磁隧道结器件模型和商用CMOS器件模型进行了电路仿真,仿真结果表明,低电源电压写入电路能有效降低自旋转移力矩磁随机存储器写入功耗,提高其可靠性.
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关键词
自旋
转移
力矩
磁随机
存储器
磁隧道结
低功耗
高可靠性
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职称材料
基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述
被引量:
2
2
作者
张明喆
张法
刘志勇
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2019年第4期677-691,共15页
作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系...
作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系结构的方法,通过增加层或者调度的方式加以避免或隐藏.但是,这类解决方案往往存在软硬件开销大、无法同时针对不同问题进行优化等问题.近年来,随着对新型非易失存储材料研究的深入,一系列器件自身所包含的动态权衡特性被陆续发现,这也为体系结构研究提供了新的机遇.基于这些器件自身的动态权衡特性,研究人员提出了一系列新的动态非易失存储器优化方案.与传统的优化方案相比,这类新型方案具有额外硬件开销小、可同时针对多个目标进行优化等优点.首先对非易失存储器存在的问题及传统的优化方案进行了概括;然后对非易失存储器件中3个重要的动态权衡关系进行了介绍;在此基础上,对近年来出现的一系列基于非易失存储器动态权衡特性的体系结构优化方案进行梳理;最后,对此类研究的特点进行了总结,并对未来的发展方向进行了展望.
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关键词
非易失
存储器
相变
存储器
自旋转移力矩存储器
忆阻器
动态权衡
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职称材料
一种基于强化学习的混合缓存能耗优化与评价
被引量:
2
3
作者
范浩
徐光平
+2 位作者
薛彦兵
高赞
张桦
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2020年第6期1125-1139,共15页
新兴的非易失存储器STT-RAM具有低泄漏功率、高密度和快速读取速度、高写入能量等特点;而SRAM具有高泄漏功率、低密度、快速读取写入速度、低写入能量等特点.SRAM和STT-RAM相结合组成的混合缓存充分发挥了两者的性能,提供了比SRAM更低...
新兴的非易失存储器STT-RAM具有低泄漏功率、高密度和快速读取速度、高写入能量等特点;而SRAM具有高泄漏功率、低密度、快速读取写入速度、低写入能量等特点.SRAM和STT-RAM相结合组成的混合缓存充分发挥了两者的性能,提供了比SRAM更低的泄漏功率和更高的单元密度,比STT-RAM更高的写入速度和更低的写入能量.混合缓存结构主要是通过把写密集数据放入SRAM中、读密集型数据放入STT-RAM中发挥这2种存储器的性能.因此如何识别并分配读写密集型数据是混合缓存设计的关键挑战.利用缓存访问请求的写入强度和重用信息,提出一种基于强化学习的缓存管理方法,设计缓存分配策略优化能耗.关键思想是使用强化学习对得到的缓存行(cache line)集合的能耗进行学习,得到该集合分配到SRAM或者STT-RAM的权重,将集合中的缓存行分配到权重大的区域.实验评估表明:提出的策略与以前的策略相比,在单核(四核)系统中能耗平均降低了16.9%(9.7%).
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关键词
强化学习
混合缓存架构
缓存
自旋
转移
力矩
随机存取
存储器
分配策略
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职称材料
基于SRAM和STT-RAM的混合指令Cache设计
4
作者
皇甫晓妍
樊晓桠
黄小平
《计算机工程与应用》
CSCD
北大核心
2015年第12期43-48,共6页
随着工艺尺寸减小,传统基于SRAM的片上Cache的漏电流功耗成指数增长,阻碍了片上Cache容量的增加。基于牺牲者Cache的原理,利用SRAM写速度快,STT-RAM的非易失性、高密度、极低漏电流功耗等特性设计了一种基于SRAM和STT-RAM的混合型指令Ca...
随着工艺尺寸减小,传统基于SRAM的片上Cache的漏电流功耗成指数增长,阻碍了片上Cache容量的增加。基于牺牲者Cache的原理,利用SRAM写速度快,STT-RAM的非易失性、高密度、极低漏电流功耗等特性设计了一种基于SRAM和STT-RAM的混合型指令Cache。通过实验证明,该混合型指令Cache与传统基于SRAM的指令Cache相比,在不增加指令Cache面积的情况下,增加了指令Cache容量,并显著提高了指令Cache的命中率。
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关键词
自旋
转移
力矩
随机
存储器
(STT-RAM)
指令CACHE
混合Cache
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职称材料
题名
一种适用于自旋磁随机存储器的低压写入电路
被引量:
6
1
作者
张丽
庄奕琪
赵巍胜
汤华莲
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
巴黎第十一大学
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期131-137,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61204092)
国家重大科技专项资助项目(2012ZX03001018-003)
中央高校基本科研业务费资助项目(K5051225017)
文摘
为了降低自旋转移力矩磁随机存储器的写入功耗,提出了一种低电源电压写入电路.该电路利用列选和读写隔离相结合的方法,减小了写入支路上的电阻,写入电源电压由1.8V降低为1.2V,写入功耗降低了近33%.同时,该电路减小了读取电流对磁隧道结存储信息的干扰,可有效提高自旋转移力矩磁随机存储器的存储可靠性.利用65nm的磁隧道结器件模型和商用CMOS器件模型进行了电路仿真,仿真结果表明,低电源电压写入电路能有效降低自旋转移力矩磁随机存储器写入功耗,提高其可靠性.
关键词
自旋
转移
力矩
磁随机
存储器
磁隧道结
低功耗
高可靠性
Keywords
spin transfer torque magnetic random access memory
magnetic tunnel junction
low power
high reliability
分类号
TN45 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述
被引量:
2
2
作者
张明喆
张法
刘志勇
机构
中国科学院大学
计算机体系结构国家重点实验室(中国科学院计算技术研究所)
出处
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2019年第4期677-691,共15页
基金
国家自然科学基金项目(61520106005
61761136014)
国家重点研发计划项目(2017YFB1010000)~~
文摘
作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系结构的方法,通过增加层或者调度的方式加以避免或隐藏.但是,这类解决方案往往存在软硬件开销大、无法同时针对不同问题进行优化等问题.近年来,随着对新型非易失存储材料研究的深入,一系列器件自身所包含的动态权衡特性被陆续发现,这也为体系结构研究提供了新的机遇.基于这些器件自身的动态权衡特性,研究人员提出了一系列新的动态非易失存储器优化方案.与传统的优化方案相比,这类新型方案具有额外硬件开销小、可同时针对多个目标进行优化等优点.首先对非易失存储器存在的问题及传统的优化方案进行了概括;然后对非易失存储器件中3个重要的动态权衡关系进行了介绍;在此基础上,对近年来出现的一系列基于非易失存储器动态权衡特性的体系结构优化方案进行梳理;最后,对此类研究的特点进行了总结,并对未来的发展方向进行了展望.
关键词
非易失
存储器
相变
存储器
自旋转移力矩存储器
忆阻器
动态权衡
Keywords
non-volatile memory(NVM)
phase change memory
spin-transfer torque RAM
memristor
dynamical trade-off
分类号
TP391 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
一种基于强化学习的混合缓存能耗优化与评价
被引量:
2
3
作者
范浩
徐光平
薛彦兵
高赞
张桦
机构
天津理工大学计算机科学与工程学院
智能计算及软件新技术天津市重点实验室(天津理工大学)
天津中德应用技术大学
出处
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2020年第6期1125-1139,共15页
基金
国家自然科学基金项目(61971309)
天津自然科学基金项目(17JCYBJC15600,18JCYBJC84800)。
文摘
新兴的非易失存储器STT-RAM具有低泄漏功率、高密度和快速读取速度、高写入能量等特点;而SRAM具有高泄漏功率、低密度、快速读取写入速度、低写入能量等特点.SRAM和STT-RAM相结合组成的混合缓存充分发挥了两者的性能,提供了比SRAM更低的泄漏功率和更高的单元密度,比STT-RAM更高的写入速度和更低的写入能量.混合缓存结构主要是通过把写密集数据放入SRAM中、读密集型数据放入STT-RAM中发挥这2种存储器的性能.因此如何识别并分配读写密集型数据是混合缓存设计的关键挑战.利用缓存访问请求的写入强度和重用信息,提出一种基于强化学习的缓存管理方法,设计缓存分配策略优化能耗.关键思想是使用强化学习对得到的缓存行(cache line)集合的能耗进行学习,得到该集合分配到SRAM或者STT-RAM的权重,将集合中的缓存行分配到权重大的区域.实验评估表明:提出的策略与以前的策略相比,在单核(四核)系统中能耗平均降低了16.9%(9.7%).
关键词
强化学习
混合缓存架构
缓存
自旋
转移
力矩
随机存取
存储器
分配策略
Keywords
reinforcement learning
hybrid cache architecture
cache
spin transfer torque random access memory
allocation policy
分类号
TP303 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
基于SRAM和STT-RAM的混合指令Cache设计
4
作者
皇甫晓妍
樊晓桠
黄小平
机构
西北工业大学计算机学院
出处
《计算机工程与应用》
CSCD
北大核心
2015年第12期43-48,共6页
基金
国家自然科学基金(No.60773223
No.61003037
+3 种基金
No.60736012
No.61173047)
西北工业大学基础研究基金(No.JC20110224
No.JC201212)
文摘
随着工艺尺寸减小,传统基于SRAM的片上Cache的漏电流功耗成指数增长,阻碍了片上Cache容量的增加。基于牺牲者Cache的原理,利用SRAM写速度快,STT-RAM的非易失性、高密度、极低漏电流功耗等特性设计了一种基于SRAM和STT-RAM的混合型指令Cache。通过实验证明,该混合型指令Cache与传统基于SRAM的指令Cache相比,在不增加指令Cache面积的情况下,增加了指令Cache容量,并显著提高了指令Cache的命中率。
关键词
自旋
转移
力矩
随机
存储器
(STT-RAM)
指令CACHE
混合Cache
Keywords
Spin-Transfer Torque Random Access Memory( STT-RAM)
instruction Cache
hybrid Cache
分类号
TP303 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种适用于自旋磁随机存储器的低压写入电路
张丽
庄奕琪
赵巍胜
汤华莲
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述
张明喆
张法
刘志勇
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
一种基于强化学习的混合缓存能耗优化与评价
范浩
徐光平
薛彦兵
高赞
张桦
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2020
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
基于SRAM和STT-RAM的混合指令Cache设计
皇甫晓妍
樊晓桠
黄小平
《计算机工程与应用》
CSCD
北大核心
2015
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职称材料
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