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SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究
1
作者
李强
杨贝贝
+1 位作者
左安友
杨永明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期1705-1710,共6页
热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用。本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件。发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化...
热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用。本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件。发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化取向的电流,即为自旋相关塞贝克效应。而且,在热电荷流中还存在着热负微分电阻效应。这些发现为设计基于SiN-SiC纳米薄膜的高效率热自旋电子学器件提供了理论指导。
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关键词
自旋相关塞贝克效应
SiN-SiC纳米薄膜
热
自旋
电子学器件
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职称材料
题名
SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究
1
作者
李强
杨贝贝
左安友
杨永明
机构
湖北民族学院新材料与机电工程学院
湖北民族学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期1705-1710,共6页
基金
湖北省自然科学基金(2014CFB619,2014CFB342)
湖北民族学院博士科研启动基金(MY2012B006)
湖北民族学院院内青年科研基金(MY2017Q006)。
文摘
热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用。本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件。发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化取向的电流,即为自旋相关塞贝克效应。而且,在热电荷流中还存在着热负微分电阻效应。这些发现为设计基于SiN-SiC纳米薄膜的高效率热自旋电子学器件提供了理论指导。
关键词
自旋相关塞贝克效应
SiN-SiC纳米薄膜
热
自旋
电子学器件
Keywords
spin-dependent Seebeck effect
SiN-SiC nano thin film
spin caloritronics device
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究
李强
杨贝贝
左安友
杨永明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
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