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半导体漂移-扩散方程解的上下界整体估计
1
作者 邢家省 周毅 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 2002年第4期1-9,共9页
考虑漂移 -扩散半导体方程瞬态解的整体有界性估计问题 .在迁移率和产生 -复合满足适当条件下 ,应用 Stampacchia的最大模估计方法 。
关键词 漂移-扩散方程 解 上下界整体估计 半导体方程 整体有界性 最大模估计方法
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半导体漂移-扩散方程速度饱和情形的稳态解
2
作者 邢家省 肖玲 《应用数学》 CSCD 北大核心 2002年第4期109-113,共5页
考虑半导体方程稳态模型的混合边值问题 ,应用Schauder不动点定理证明了逼近解的存在性 ,通过一系列先验估计的获得 ,利用紧致性原理证明了稳态解的存在性 .
关键词 半导体漂移-扩散方程 稳态解 存在性 速度饱和
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半导体漂移-扩散方程解的整体有界性
3
作者 任华国 《应用数学》 CSCD 北大核心 2003年第4期65-70,共6页
研究半导体方程解的整体性质 ,应用Stampacchia的最大模估计方法 。
关键词 半导体 漂移-扩散方程 解 整体有界性 最大模估计 载流子输运
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Fe/GaAs中自旋注入效率的研究
4
作者 张余洋 刘之景 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期58-61,共4页
自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注。文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁... 自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注。文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析。如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率。 展开更多
关键词 自旋电子学 自旋的漂移-扩散方程 自旋注入效率
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一类半导体方程整体弱解的存在性 被引量：2
5
作者 管平 邱建龙 《高校应用数学学报（A辑）》 CSCD 北大核心 2002年第2期145-152,共8页
考虑激光照射的半导体方程组 ,在初值 n0 ,p0 ∈L2+( Ω)的条件下 。
关键词 半导体方程 漂移-扩散模型 整体弱解 紧性原理
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半导体方程解的整体上下界(英文)
6
作者 郭秀兰 王秀梅 《应用数学》 CSCD 北大核心 2008年第2期308-316,共9页
研究半导体方程混合初边值解的整体性质,应用Stampacchia的最大模估计方法,对问题解的上下界分别作出估计.
关键词 半导体方程 漂移-扩散 整体上下界
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考虑热效应时半导体方程整体弱解的存在性
7
作者 赵君平 管平 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期226-231,共6页
研究半导体物理中出现的漂移扩散模型 ,在考虑热效应时 ,这是一个关于带电粒子浓度n ,p ,静电位 ψ和温度θ的抛物 椭圆耦合方程组 ,并带有混合初边值条件 .对温度效应项H = ·(a( ψ)Jn+b( ψ)Jp)时讨论了初值分别在L∞+(Ω)和L2 +... 研究半导体物理中出现的漂移扩散模型 ,在考虑热效应时 ,这是一个关于带电粒子浓度n ,p ,静电位 ψ和温度θ的抛物 椭圆耦合方程组 ,并带有混合初边值条件 .对温度效应项H = ·(a( ψ)Jn+b( ψ)Jp)时讨论了初值分别在L∞+(Ω)和L2 +(Ω)时该方程组的可解性 .利用正则化方法和适当的函数变换 ,使抛物型方程的解具有正下界n ,p≥δ >0 ,同时得出一系列先验估计 .然后利用紧性引理和Schauder不动点定理 。 展开更多
关键词 整体弱解 存在性 先验估计 紧性引理 热效应 半导体物理 抛物-椭圆耦合方程组 漂移-扩散模型
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具热效应的半导体方程组的混合初边值问题
8
作者 孙福芹 管平 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期111-116,共6页
讨论考虑热效应时半导体器件中电子电流、空穴电流和静电位等载流子运动的数学模型 ,这是一个非线性抛物椭圆型耦合偏微分方程组的混合初边值问题 .在假定初值n0 (x) ,p0 (x) ∈L∞+(Ω) ,边值n ,p ,θ∈H1 (Ω) ∩L∞+(Ω) ,ψ∈W1 ,3(... 讨论考虑热效应时半导体器件中电子电流、空穴电流和静电位等载流子运动的数学模型 ,这是一个非线性抛物椭圆型耦合偏微分方程组的混合初边值问题 .在假定初值n0 (x) ,p0 (x) ∈L∞+(Ω) ,边值n ,p ,θ∈H1 (Ω) ∩L∞+(Ω) ,ψ∈W1 ,3(Ω) ∩L∞+(Ω)等正则性条件下 ,利用先验估计、紧性原理和Schauder不动点定理 ,证明了弱解的整体存在性 . 展开更多
关键词 漂移-扩散模型 整体弱解 紧性原理 热效应 半导体器件 半导体方程组 混合初边值
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异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真 被引量：1
9
作者 胡媛 代月花 +2 位作者 陈军宁 柯导明 刘琦 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1406-1411,共6页
对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG... 对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式,并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响,建立了基于物理的沟道电流模型.最后比较了Medici器件仿真结果和所建立的沟道电流模型,验证了该模型的可用性. 展开更多
关键词 异质双栅场效应晶体管 速度过冲效应 漂移-扩散的扩展方程 LDMOS器件
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OLED器件电学物理理论综述 被引量：1
10
作者 于立帅 苏煜皓 +3 位作者 杨菲玲 杨奕琯 刘飞龙 周国富 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期980-996,共17页
以有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)等为代表的新型显示技术已成为新一代信息技术的先导性支柱产业。尽管OLED在材料与器件叠层设计工艺等核心技术上已取得巨大突破,但目前业界研发仍然主要依靠试错法(trial-and-erro... 以有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)等为代表的新型显示技术已成为新一代信息技术的先导性支柱产业。尽管OLED在材料与器件叠层设计工艺等核心技术上已取得巨大突破,但目前业界研发仍然主要依靠试错法(trial-and-error),对于器件内部物理机理的理解仍然处于定性、经验性的阶段。本文系统性地阐述了OLED器件物理理论,特别是对如何从物理上描述组成OLED器件的非晶无序分子体系、如何描述电荷传输和激子过程、如何计算器件光电性能、以及如何将物理理论应用于实验OLED研发,进行了详细的介绍。 展开更多
关键词 OLED 高斯无序模型 三维动力学蒙特卡罗模拟 三维主方程 漂移-扩散模型
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