自旋电子学、自旋电子器件及GaAs中电子自旋弛豫研究 被引量：1

1

作者 赖天树 刘鲁宁 +3 位作者 寿倩 雷亮 文锦辉 林位株 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期189-192,共4页

评述了自旋电子学及自旋电子器件的发展,自旋电子器件的应用,半导体自旋电子学的研究内容及目前的研究现状.给出了我们的有关GaAs中电子自旋偏振与相干弛豫的研究结果.

关键词 自旋电子学 自旋电子器件 GAAS 半导体 相干弛豫

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自旋电子学和自旋电子器件 被引量：3

2

作者 陈培毅 邓宁 《微纳电子技术》 CAS 2004年第3期1-5,20,共6页

自旋电子学是近年来发展起来的微电子学和磁学的交叉学科,主要研究自旋极化电流的注入、控制和检测。本文介绍了自旋电子学和器件的研究进展,着重讨论了自旋注入和检测的问题,分析了自旋电子器件研究的核心问题和难点。自旋电子学的研... 自旋电子学是近年来发展起来的微电子学和磁学的交叉学科,主要研究自旋极化电流的注入、控制和检测。本文介绍了自旋电子学和器件的研究进展,着重讨论了自旋注入和检测的问题,分析了自旋电子器件研究的核心问题和难点。自旋电子学的研究有着重要的理论意义,自旋器件在信息科学领域也具有十分广阔的应用前景。 展开更多

关键词 自旋电子学 自旋电子器件 自旋注入 自旋输运 自旋极化电流

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铁电-自旋电子器件的研究与进展 被引量：1

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作者 方梅 郭旺 +5 位作者 李郁泉 夏华艳 宋克睿 王宇泰 古子洋 李柯铭 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2021年第10期729-736,761,共9页

自旋电子器件是操控和利用电子自旋属性的器件,相比微电子器件具有能耗更低、密度更高、响应更快和非易失性等特点,是新一代信息器件发展和取得突破的一个重要方向。基于自旋电子器件的基本原理,如自旋极化、自旋注入、自旋传输、自旋... 自旋电子器件是操控和利用电子自旋属性的器件,相比微电子器件具有能耗更低、密度更高、响应更快和非易失性等特点,是新一代信息器件发展和取得突破的一个重要方向。基于自旋电子器件的基本原理,如自旋极化、自旋注入、自旋传输、自旋弛豫、自旋探测等,综述了近10年来铁电材料应用于自旋电子器件领域的相关研究工作,主要包括多铁隧道结、铁电有机自旋阀、铁电调控自旋轨道耦合等,论述了自旋电子器件外场调控和多功能化相关的工作进展。由于铁电材料晶格-电荷-自旋-轨道4者之间的相互作用,铁电-自旋电子器件可通过外加电场调控电极化率、外加磁场调控自旋极化率以及外加电场调控界面效应(如晶格、界面电场、应力)等,对器件性能进行调制,有望应用于忆阻器、多阻态存储器、逻辑器件等。 展开更多

关键词 自旋电子器件 铁电调控 磁阻 自旋-轨道耦合 自旋注入 自旋探测

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半导体自旋电子学的研究与应用进展

4

作者 刘林生 刘肃 +7 位作者 王文新 赵宏鸣 刘宝利 蒋中伟 高汉超 王佳 陈弘 周均铭 《电子器件》 CAS 2007年第3期1125-1128,共4页

自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋... 自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用. 展开更多

关键词 半导体自旋电子学 自旋电子器件 磁性半导体

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基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运

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作者 李健文 梁文斯钰 +3 位作者 朱昊天 赖伊倩 吴子明 吴琦 《宜春学院学报》 2023年第6期36-40,101,共6页

本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导... 本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。 展开更多

关键词 磁纳米结构 Δ掺杂 自旋极化 自旋电子器件

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自旋电子学研究的最新进展 被引量：2

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作者 鲁楠 刘之景 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期10-13,24,共5页

自旋极化电子的高效注入、自旋霍尔效应和自旋流的产生与探测都是目前自旋电子学中热门研究专题,世界一些著名学术刊物屡见报道。对这些重要内容的理论和实验的最新研究成果进行了介绍。通过自旋极化电子高效注入方法和材料的研究,人们... 自旋极化电子的高效注入、自旋霍尔效应和自旋流的产生与探测都是目前自旋电子学中热门研究专题,世界一些著名学术刊物屡见报道。对这些重要内容的理论和实验的最新研究成果进行了介绍。通过自旋极化电子高效注入方法和材料的研究,人们期望研制出新一代自旋电子器件,进而实现应用电子自旋传输、记录和存储信息的目标。近期实验给出,自旋极化电子从铁磁金属注入半导体和金属都获得较高的极化率。各种注入方法中,自旋流直接注入法目前备受关注,因为自旋霍尔效应为自旋流的产生与探测提供了新的途径,即自旋霍尔效应可以产生自旋流,但因无霍尔电压故不容易测量;而逆自旋霍尔效应又将自旋流转化为电流,使得难以测量的自旋流又可以直接用电学方法测量。 展开更多

关键词 自旋电子学 自旋霍尔效应 自旋流 自旋极化电子 自旋注入 自旋电子器件

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硅基自旋注入研究进展

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作者 卢启海 黄蓉 +4 位作者 郑礴 李俊 韩根亮 闫鹏勋 李成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期641-646,683,共7页

自旋注入、自旋探测和自旋操控是构建半导体自旋电子器件的基础。在硅基材料上采用电的方式进行自旋注入,有利于自旋器件与微电子芯片的集成化,是当前该领域的研究热点课题之一。简要概述了硅基自旋注入的研究进展,首先介绍了半导体自... 自旋注入、自旋探测和自旋操控是构建半导体自旋电子器件的基础。在硅基材料上采用电的方式进行自旋注入,有利于自旋器件与微电子芯片的集成化,是当前该领域的研究热点课题之一。简要概述了硅基自旋注入的研究进展,首先介绍了半导体自旋注入的原理和方法,着重评述了以磁隧道结(MTJ)结构为核心的硅基自旋注入的研究进程,然后详细论述了硅基自旋注入的测试原理、器件结构和实验方法,最后给出了硅基自旋注入的主要研究目标和发展方向,并展望了硅基自旋电子器件的前景。 展开更多

关键词 自旋电子器件 硅基自旋注入 自旋探测 Hanle曲线 磁隧道结

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铁磁电材料BiFeO_3及研究进展 被引量：8

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作者 刘红日 刘堂昆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期90-93,共4页

BiFeO_3是一种典型的铁磁电材料,因为室温下共存的铁电性与磁性以及在新型存储器件,自旋电子器件方面都有着广泛的应用前景使其受到了广泛的关注。综述了 BiFeO_3陶瓷和薄膜的结构、性能以及制备方法,并提出了研究中需要解决的一些问题。

关键词 BIFEO3 磁电材料 研究进展 自旋电子器件 存储器件 制备方法 铁电性 共存

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Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展 被引量：9

9

作者 闫发旺 梁春广 《半导体情报》 2001年第6期2-7,共6页

Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。

关键词 稀磁半导体 半导体异质结 自旋电子器件 Ⅲ-V族磁半导体 半导体材料

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岩盐结构SrC(111)表面和(111)界面的d^0半金属性

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作者 韩红培 冯团辉 +3 位作者 张春丽 李明 冯志波 姚凯伦 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第4期661-667,共7页

利用第一性原理方法,本文研究了岩盐结构的SrC块材、(111)表面和(111)界面的电子结构和磁性.块材的SrC被证实是一个良好的d^0半金属铁磁体.计算结果显示(111)方向的C表面和Sr表面都保持了块材的半金属性.对于(111)方向四个可能的界面,... 利用第一性原理方法,本文研究了岩盐结构的SrC块材、(111)表面和(111)界面的电子结构和磁性.块材的SrC被证实是一个良好的d^0半金属铁磁体.计算结果显示(111)方向的C表面和Sr表面都保持了块材的半金属性.对于(111)方向四个可能的界面,态密度的计算显示C-Pb界面呈现半金属特性.本文对岩盐结构SrC块材、(111)表面和(111)界面半金属性的研究结果,将为高性能自旋电子器件的实际应用提供一定的理论指导. 展开更多

关键词 半金属性 表面和界面 自旋电子器件 第一性原理

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稀土掺杂GaN基稀磁半导体材料的研究进展

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作者 梁李敏 李英 刘彩池 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第10期789-796,805,共9页

GaN基稀磁半导体材料具有高于室温的铁磁性和优异的光电性能,在半导体电子自旋器件领域有广阔的应用前景。系统地介绍了制备方法对稀土Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料铁磁性的影响,讨论了Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料中铁磁性的起源,介绍了除G... GaN基稀磁半导体材料具有高于室温的铁磁性和优异的光电性能,在半导体电子自旋器件领域有广阔的应用前景。系统地介绍了制备方法对稀土Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料铁磁性的影响,讨论了Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料中铁磁性的起源,介绍了除Gd以外的稀土离子掺杂GaN基稀磁半导体材料中的铁磁性,以及共掺杂对GaN基稀磁半导体材料的铁磁性能的影响。目前,GaN基稀磁半导体材料的铁磁性仍无法满足半导体电子自旋器件的要求。共掺杂工艺可以有效地解决稀土离子掺杂引入的较大晶格应变,促进自旋电子之间的交互作用,是一种改善GaN基稀磁半导体材料的铁磁性能的有效途径。 展开更多

关键词 GaN基稀磁半导体 稀土掺杂 自旋电子器件 铁磁性 磁性机理

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P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究

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作者 毕艳军 郭志友 于敏丽 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期784-785,795,共3页

介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考。

关键词 自旋电子器件 子带间跃迁 GaMnAs/AlGaAs量子阱 红外探测器

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具有半金属磁性的过渡金属氢化物分子纳米线

13

作者 方维海 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1512-1513,共2页

自旋电子器件基于电子的自旋进行信息的传递、处理与存储，具有目前传统半导体电子器件无法比拟的快速、高效和低能耗等优势，是未来信息技术的重要载体。寻找具有高自旋极化率与居里温度的磁性材料，是制备自旋电子器件的一个基础。其... 自旋电子器件基于电子的自旋进行信息的传递、处理与存储，具有目前传统半导体电子器件无法比拟的快速、高效和低能耗等优势，是未来信息技术的重要载体。寻找具有高自旋极化率与居里温度的磁性材料，是制备自旋电子器件的一个基础。其中，半金属磁性材料可以提供完全极化的载流子， 展开更多

关键词 金属磁性材料 金属氢化物 纳米线 自旋电子器件 半导体电子器件 分子 信息技术 自旋极化率

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美军研制新型智能军用传感器 被引量：1

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《电子产品可靠性与环境试验》 2015年第1期65-65,共1页

据报道．美国北卡罗莱纳州立大学最近宣布，其最新的研究进展为多功能自旋电子智能传感器在军事上的应用和下一代自旋电子器件的使用铺平了道路。二氧化钒（VO2）可以将更智能的传感器集成到硅芯片上．并可利用激光来使该材料具备磁性。

关键词 智能传感器 军用传感器 自旋电子器件 美军 传感器集成 州立大学 二氧化钒 多功能

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几何结构对电流驱动纳米带内磁斯格明子移动特性的影响

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作者 张光富 谭伟石 +1 位作者 张赛文 文兵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期39-43,共5页

研发新一代自旋电子器件要求精确操控纳米带内磁斯格明子的移动。磁斯格明子存在横向移动且移动速度慢是影响新一代自旋电子器件开发应用的主要因素。基于微磁学模拟研究了不同结构纳米带中磁斯格明子在电流驱动作用下的移动特性。电流... 研发新一代自旋电子器件要求精确操控纳米带内磁斯格明子的移动。磁斯格明子存在横向移动且移动速度慢是影响新一代自旋电子器件开发应用的主要因素。基于微磁学模拟研究了不同结构纳米带中磁斯格明子在电流驱动作用下的移动特性。电流驱动纳米带内磁斯格明子移动过程中存在横向移动,因此存在最大的注入电流J_(max)和最大移动速度V_(max)。在矩形纳米带内,J_(max)和V_(max)相对较小。通过裁剪矩形纳米带中央形成凹槽纳米带,J_(max)和V_(max)可显著提高,但反映驱动效率的速度V_(x)与注入电流J的比值(V_(x)/J)不大。提出利用裁剪纳米带边缘形成引导型纳米带来增大V_(x)/J。相对于矩形纳米带,电流驱动的引导纳米带中磁斯格明子移动时,V_(x)/J显著增大,且在一定程度上增大了J_(max)和V_(max)。电流驱动纳米带中磁斯格明子移动的最优方案是集合了引导和凹槽纳米带优势的组合纳米带,可获得更大的电流驱动效率、更大的移动速度。这些研究结果可为开发设计新一代自旋电子器件提供理论依据。 展开更多

关键词 磁斯格明子 纳米带 微磁学模拟 自旋极化电流 自旋电子器件

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一种氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法

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《稀有金属快报》 CSCD 2008年第4期6-6,共1页

本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将rri氧化物和co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备Co4Ti1-4O2材料，然后将co小。舶：材料压制成片，在含有氢... 本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将rri氧化物和co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备Co4Ti1-4O2材料，然后将co小。舶：材料压制成片，在含有氢气的气氛下进行退火处理，退火后的CoaTi。一p：材料具有室温铁磁性。采用本发明制得的室温铁磁． 展开更多

关键词 半导体材料 制备方法 氧化钛 室温 掺钴 自旋电子器件 退火处理 铁磁性

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