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Fe/GaAs中自旋注入效率的研究
1
作者
张余洋
刘之景
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期58-61,共4页
自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注。文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁...
自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注。文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析。如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率。
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关键词
自旋
电子学
自旋
的漂移-扩散方程
自旋注入效率
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职称材料
磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应
2
作者
马军
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第3期482-485,共4页
利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低。这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升...
利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低。这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升高自旋反转隧穿增加。
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关键词
稀磁半导体
自旋注入效率
隧道哈密顿
线性响应
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职称材料
完全自旋极化电子器件TiCl3/RhCl3/TiCl3的量子输运性质的第一性原理研究
被引量：
1
3
作者
张珍
黄强
+1 位作者
胜献雷
郑庆荣
《中国科学院大学学报（中英文）》
CSCD
北大核心
2020年第4期458-464,共7页
基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化...
基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化电流曲线。发现在小偏压范围内,器件的隧穿磁电阻(tunneling magnetoresistance,TMR)高达100%,并在这一偏压范围内维持稳定;在电极极化方向平行构型(parallel configuration,PC)下的自旋注入效率也高达100%,具有很强的稳定性。在大偏压范围内,随着偏压的增加TMR逐渐减小,PC构型下的自旋注入效率一直保持100%不变。最后,通过对器件投影态密度图的分析,解释上述物理现象。
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关键词
隧穿磁电阻
自旋
过滤
I-V曲线
自旋注入效率
(SIE)
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职称材料
题名
Fe/GaAs中自旋注入效率的研究
1
作者
张余洋
刘之景
机构
中国科学技术大学近代物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期58-61,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60377004)
文摘
自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注。文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析。如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率。
关键词
自旋
电子学
自旋
的漂移-扩散方程
自旋注入效率
Keywords
spintronics
spin drift-diffusion equation
spin injection efficiency
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应
2
作者
马军
机构
中国药科大学基础部
出处
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第3期482-485,共4页
文摘
利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低。这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升高自旋反转隧穿增加。
关键词
稀磁半导体
自旋注入效率
隧道哈密顿
线性响应
Keywords
diluted magnetic semiconductor spin injection efficiency tunneling hamilton linear response
分类号
O472.7 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
完全自旋极化电子器件TiCl3/RhCl3/TiCl3的量子输运性质的第一性原理研究
被引量：
1
3
作者
张珍
黄强
胜献雷
郑庆荣
机构
中国科学院大学物理科学学院
北京航空航天大学物理科学与核能工程学院
出处
《中国科学院大学学报（中英文）》
CSCD
北大核心
2020年第4期458-464,共7页
基金
国家自然科学基金(11574309,11504013)
国家重点研发计划(2018YFA0305800)资助。
文摘
基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化电流曲线。发现在小偏压范围内,器件的隧穿磁电阻(tunneling magnetoresistance,TMR)高达100%,并在这一偏压范围内维持稳定;在电极极化方向平行构型(parallel configuration,PC)下的自旋注入效率也高达100%,具有很强的稳定性。在大偏压范围内,随着偏压的增加TMR逐渐减小,PC构型下的自旋注入效率一直保持100%不变。最后,通过对器件投影态密度图的分析,解释上述物理现象。
关键词
隧穿磁电阻
自旋
过滤
I-V曲线
自旋注入效率
(SIE)
Keywords
tunneling magnetoresistance(TMR)
spin filter
I-V curves
spin injection efficiency(SIE)
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Fe/GaAs中自旋注入效率的研究
张余洋
刘之景
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应
马军
《科学技术与工程》
北大核心
2012
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
完全自旋极化电子器件TiCl3/RhCl3/TiCl3的量子输运性质的第一性原理研究
张珍
黄强
胜献雷
郑庆荣
《中国科学院大学学报（中英文）》
CSCD
北大核心
2020
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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引证文献
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