期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
导电氧化铋薄膜的逆自旋霍尔效应
1
作者
王孟怡
邱志勇
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期756-761,共6页
自旋霍尔效应及其逆效应作为自旋电子学中实现自旋-电荷转换的核心物理效应,对纯自旋流的产生、探测有着重要的应用价值,是自旋电子器件开发与应用的关键技术节点。对高自旋-电荷转换效率材料体系的探索与开发是该领域的核心课题。以导...
自旋霍尔效应及其逆效应作为自旋电子学中实现自旋-电荷转换的核心物理效应,对纯自旋流的产生、探测有着重要的应用价值,是自旋电子器件开发与应用的关键技术节点。对高自旋-电荷转换效率材料体系的探索与开发是该领域的核心课题。以导电氧化铋薄膜为对象,研究其中的逆自旋霍尔效应。采用交流磁控溅射系统,使用氧化铋陶瓷靶制备了不同厚度的导电氧化铋薄膜,并与坡莫合金薄膜构成铁磁/非磁双层自旋泵浦器件,在该器件中首次观测并确认了导电氧化铋薄膜中逆自旋霍尔效应所对应的电压信号。通过逆自旋霍尔电压对氧化铋薄膜厚度的依存关系,定量地估算了氧化铋薄膜的自旋霍尔角及自旋扩散长度。通过提出一种新的具备可观测逆自旋霍尔效应的材料体系,不仅拓展了自旋电子材料的选择空间,也为新型自旋电子器件的设计和应用提供了思路。
展开更多
关键词
氧化铋
导电氧化物
逆
自旋
霍尔效应
自旋
霍尔角
自旋扩散长度
自旋
泵浦
在线阅读
下载PDF
职称材料
Co/Cu多层纳米线阵列的制备与磁性能
被引量：
5
2
作者
姚素薇
宋振兴
王宏智
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期1306-1310,共5页
利用双槽直流电沉积技术在阳极氧化铝(AAO)模板的纳米孔中获得调制波长为50和200nm的Co/C多层纳米线,多层纳米线的调制波长由电沉积时间控制.运用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征纳米线的形貌,Co/Cu多层纳米线的长度约20&...
利用双槽直流电沉积技术在阳极氧化铝(AAO)模板的纳米孔中获得调制波长为50和200nm的Co/C多层纳米线,多层纳米线的调制波长由电沉积时间控制.运用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征纳米线的形貌,Co/Cu多层纳米线的长度约20"m,直径约80nm;用X射线衍射(XRD)研究多层线的结构;用振动样品磁强计(VSM)测试纳米线阵列的磁性能;利用可变磁场结合高灵敏度恒流装置研究巨磁电阻(GMR)特性结果表明,Co/Cu多层纳米线具有磁各向异性.当磁场与纳米线平行和垂直时,调制波长为50nm的多层线的矫顽力分别为87500和34200A·m-1,而调制波长为200nm的多层线阵列的矫顽力分别为28600和8000A·m调制波长为50nm的多层纳米线的磁电阻变化率高达-75%,而调制波长为200nm的多层线未产生明显的GMR效应.
展开更多
关键词
CO/CU
多层纳米线
GMR
自旋扩散长度
XRD
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
导电氧化铋薄膜的逆自旋霍尔效应
1
作者
王孟怡
邱志勇
机构
大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室辽宁省能源材料及器件重点实验室
出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期756-761,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(11874098)
兴辽英才计划资助项目(XLYC1807156)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20LAB111)。
文摘
自旋霍尔效应及其逆效应作为自旋电子学中实现自旋-电荷转换的核心物理效应,对纯自旋流的产生、探测有着重要的应用价值,是自旋电子器件开发与应用的关键技术节点。对高自旋-电荷转换效率材料体系的探索与开发是该领域的核心课题。以导电氧化铋薄膜为对象,研究其中的逆自旋霍尔效应。采用交流磁控溅射系统,使用氧化铋陶瓷靶制备了不同厚度的导电氧化铋薄膜,并与坡莫合金薄膜构成铁磁/非磁双层自旋泵浦器件,在该器件中首次观测并确认了导电氧化铋薄膜中逆自旋霍尔效应所对应的电压信号。通过逆自旋霍尔电压对氧化铋薄膜厚度的依存关系,定量地估算了氧化铋薄膜的自旋霍尔角及自旋扩散长度。通过提出一种新的具备可观测逆自旋霍尔效应的材料体系,不仅拓展了自旋电子材料的选择空间,也为新型自旋电子器件的设计和应用提供了思路。
关键词
氧化铋
导电氧化物
逆
自旋
霍尔效应
自旋
霍尔角
自旋扩散长度
自旋
泵浦
Keywords
bismuth oxide
conductive oxide
inverse spin Hall effect
spin Hall angle
spin diffusion length
spin pumping
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
Co/Cu多层纳米线阵列的制备与磁性能
被引量：
5
2
作者
姚素薇
宋振兴
王宏智
机构
天津大学化工学院应用化学系杉山表面技术研究室
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期1306-1310,共5页
基金
国家自然科学基金(50271046)
教育部博士点基金(20030056034)资助项目
文摘
利用双槽直流电沉积技术在阳极氧化铝(AAO)模板的纳米孔中获得调制波长为50和200nm的Co/C多层纳米线,多层纳米线的调制波长由电沉积时间控制.运用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征纳米线的形貌,Co/Cu多层纳米线的长度约20"m,直径约80nm;用X射线衍射(XRD)研究多层线的结构;用振动样品磁强计(VSM)测试纳米线阵列的磁性能;利用可变磁场结合高灵敏度恒流装置研究巨磁电阻(GMR)特性结果表明,Co/Cu多层纳米线具有磁各向异性.当磁场与纳米线平行和垂直时,调制波长为50nm的多层线的矫顽力分别为87500和34200A·m-1,而调制波长为200nm的多层线阵列的矫顽力分别为28600和8000A·m调制波长为50nm的多层纳米线的磁电阻变化率高达-75%,而调制波长为200nm的多层线未产生明显的GMR效应.
关键词
CO/CU
多层纳米线
GMR
自旋扩散长度
XRD
Keywords
Co/Cu
Multilayer nanowires
GMR
Spin diffusion length （SDL）
XRD
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
导电氧化铋薄膜的逆自旋霍尔效应
王孟怡
邱志勇
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Co/Cu多层纳米线阵列的制备与磁性能
姚素薇
宋振兴
王宏智
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
