-
题名反应磁控溅射氧化镍薄膜的自旋塞贝克效应
被引量：2
- 1
-
-
作者
罗健
张小伟
代波
-
机构
西南科技大学材料科学与工程学院
-
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第9期1668-1674,共7页
-
基金
西南科技大学环境友好能源材料国家重点实验室资助项目(20fksy23)。
-
文摘
自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微观结构和表面形貌的影响,实验中反应磁控溅射最适工艺条件为溅射功率110 W、氧氩比例0.15(O_(2)15 mL/min;Ar 100 mL/min)、溅射气压0.3 Pa、衬底温度400℃。研究了Si/NiO/Pt结构中温度梯度(温差)、磁场角度、NiO厚度变化和Pt厚度变化对自旋塞贝克电压的影响。结果表明,自旋塞贝克电压与温差呈简单的线性关系,温差越大测得的自旋塞贝克电压越高;磁场角度与自旋塞贝克电压之间满足余弦函数关系式,即在0°和180°时所得自旋塞贝克电压最大,90°和270°时为零;反铁磁性绝缘层NiO的厚度越大,所测得的自旋塞贝克电压信号越强;顺磁金属层Pt的厚度越大,自旋塞贝克电压信号越弱。
-
关键词
氧化镍薄膜
自旋塞贝克效应
反应磁控溅射
热自旋电子学器件
反铁磁体
-
Keywords
nickel oxide thin film
spin Seebeck effect
reactive magnetron sputtering
thermal spintronics device
antiferromagnet
-
分类号
O472
[理学—半导体物理]
-
-
题名3d过渡族铁磁金属的自旋热输运研究
- 2
-
-
作者
张兵兵
杨凡黎
易立志
许云丽
黄秀峰
-
机构
三峡大学理学院
-
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第S02期280-283,共4页
-
基金
国家自然科学基金(51371105)。
-
文摘
关于铁磁金属体系中的自旋热输运实验研究,目前遇到的困难有:温度梯度的不均匀、铁磁金属中自旋流的分布不均匀,以及界面的各种散射等,这都会对铁磁金属多层膜体系的自旋塞贝克效应(SSE)产生显著影响,另外,诸多热相关效应引起的干扰信号,也会导致测量结果不准确。以上问题的存在是相关实验研究很少,且实验结果备受争议的原因。这些问题的解决,对于深入理解自旋热输运过程以及成功将自旋塞贝克效应于自旋电子器件中,均具有重要的理论和实践价值。本工作研究了FM/NM、FM_(1)/FM_(2)/NM结构中的纵向自旋塞贝克效应(LSSE),通过差分方法,扣除了研究体系中FM自身的反常能斯特信号和FM自身所产生的逆自旋霍尔效应信号,从而得到了体系的单一自旋塞贝克效应(SSE)信号。在此基础上,进一步研究了SSE信号对温度及铁磁层厚度的依赖关系。结果表明,SSE信号随温度升高而减小,随厚度增加而增大,值得注意的是,相较于单层FM体系,双层FM体系的信号并非各FM层信号的简单叠加;通过与文献的对比研究发现,采用本实验方法提取的SSE信号与理论模型计算值符合较好。
-
关键词
3d过渡族铁磁金属
自旋塞贝克效应
反常能斯特效应
逆自旋霍尔效应
-
Keywords
3d transition group ferromagnetic metals
spin Seebeck effect
anomalous Nernst effect
inverse spin Hall effect
-
分类号
O469
[理学—凝聚态物理]
-
