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In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合
被引量：
1
1
作者
周远明
舒承志
+4 位作者
梅菲
刘凌云
徐进霞
王远
张冉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期160-164,共5页
利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数...
利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11eV·m减小到0.19×10-11eV·m,零场自旋分裂能Δ0高达4.63meV。结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料。
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关键词
自旋
电子学
自旋
场效应
晶体管
量子阱
Rashba
自旋
-轨道耦合
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职称材料
低维磁性耦合体系的新物性及电/光场调控进展
2
作者
王学锋
徐永兵
张荣
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期309-319,共11页
简要介绍了3种不同的低维磁性耦合材料体系(即磁体/半导体、石墨烯、拓扑绝缘体形成的异质结构体系)的研究进展,重点讨论了其新物性、电/光场调控以及存在的若干问题,并提出了一些可能的解决方法.
关键词
自旋
电子学
量子调控
异质结
自旋
场效应
晶体管
(
sfet
)
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职称材料
题名
In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合
被引量：
1
1
作者
周远明
舒承志
梅菲
刘凌云
徐进霞
王远
张冉
机构
湖北工业大学电气与电子工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期160-164,共5页
基金
国家自然科学基金(11304092)
湖北省教育厅科学研究计划项目(Q20131404)
文摘
利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11eV·m减小到0.19×10-11eV·m,零场自旋分裂能Δ0高达4.63meV。结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料。
关键词
自旋
电子学
自旋
场效应
晶体管
量子阱
Rashba
自旋
-轨道耦合
Keywords
spintronics
spin field effect transistor
quantum well
rashba spin-orbit coupling
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
低维磁性耦合体系的新物性及电/光场调控进展
2
作者
王学锋
徐永兵
张荣
机构
南京大学电子科学与工程学院
南京大学自旋电子学国际联合中心
出处
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期309-319,共11页
基金
国家重大科学研究计划(2014CB921100)
国家自然科学基金(11274003
+1 种基金
61176088
61274102)
文摘
简要介绍了3种不同的低维磁性耦合材料体系(即磁体/半导体、石墨烯、拓扑绝缘体形成的异质结构体系)的研究进展,重点讨论了其新物性、电/光场调控以及存在的若干问题,并提出了一些可能的解决方法.
关键词
自旋
电子学
量子调控
异质结
自旋
场效应
晶体管
(
sfet
)
Keywords
spintronics
quantum manipulation
heterostructure
分类号
O413.1 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合
周远明
舒承志
梅菲
刘凌云
徐进霞
王远
张冉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
低维磁性耦合体系的新物性及电/光场调控进展
王学锋
徐永兵
张荣
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
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