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自旋场效应晶体管的电学特性研究(英文)
1
作者
张华鑫
王燕
王伟
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2013年第2期112-118,共7页
用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行...
用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行)的条件下,考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小(大)。研究结果揭示了该器件的物理机制,为该器件的优化设计提供了理论指导。
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关键词
自旋场效应晶体管
器件仿真
输运特性
非平衡格林函数
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职称材料
In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合
被引量：
1
2
作者
周远明
舒承志
+4 位作者
梅菲
刘凌云
徐进霞
王远
张冉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期160-164,共5页
利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数...
利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11eV·m减小到0.19×10-11eV·m,零场自旋分裂能Δ0高达4.63meV。结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料。
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关键词
自旋
电子学
自旋场效应晶体管
量子阱
Rashba
自旋
-轨道耦合
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职称材料
题名
自旋场效应晶体管的电学特性研究(英文)
1
作者
张华鑫
王燕
王伟
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2013年第2期112-118,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(60806027)
江苏省自然科学基金资助项目(10KJD510005,10KJD510006)
南京邮电大学自然科学基金资助项目(NY211094)
文摘
用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行)的条件下,考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小(大)。研究结果揭示了该器件的物理机制,为该器件的优化设计提供了理论指导。
关键词
自旋场效应晶体管
器件仿真
输运特性
非平衡格林函数
Keywords
spin field effect transistor
device simulation
transport properties
non-equilib- rium green＇s functions
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合
被引量：
1
2
作者
周远明
舒承志
梅菲
刘凌云
徐进霞
王远
张冉
机构
湖北工业大学电气与电子工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期160-164,共5页
基金
国家自然科学基金(11304092)
湖北省教育厅科学研究计划项目(Q20131404)
文摘
利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11eV·m减小到0.19×10-11eV·m,零场自旋分裂能Δ0高达4.63meV。结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料。
关键词
自旋
电子学
自旋场效应晶体管
量子阱
Rashba
自旋
-轨道耦合
Keywords
spintronics
spin field effect transistor
quantum well
rashba spin-orbit coupling
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
自旋场效应晶体管的电学特性研究(英文)
张华鑫
王燕
王伟
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2013
0
在线阅读
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职称材料
2
In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合
周远明
舒承志
梅菲
刘凌云
徐进霞
王远
张冉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
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