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Al_2O_3:V^(2+)晶体自旋哈密顿参量的理论解释
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作者 魏群 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期224-227,236,共5页
在考虑微小磁相互作用(包括SS、SOO和OO作用)的基础上,采用全组态完全对角化方法,建立了A l2O3晶体中V2+离子的局域结构与自旋哈密顿参量定量关系,对A l2O3:V2+晶体基态和激发态零场分裂以及基态g因子等自旋哈密顿(SH)参量给出了统一的... 在考虑微小磁相互作用(包括SS、SOO和OO作用)的基础上,采用全组态完全对角化方法,建立了A l2O3晶体中V2+离子的局域结构与自旋哈密顿参量定量关系,对A l2O3:V2+晶体基态和激发态零场分裂以及基态g因子等自旋哈密顿(SH)参量给出了统一的解释。结果表明,V2+离子进入A l2O3晶体后,上下配体氧平面分别沿C3轴向远离三角中心的方向移动了0.0021nm和0.0020nm。理论计算结果与实验值符合甚好。 展开更多
关键词 Al2O3:V^2+晶体 自旋哈密顿参量 局域结构
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晶体(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO^(2+)的自旋哈密顿参数及局域结构
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作者 涂超 谢林华 杜香容 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2130-2134,共5页
基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d^1离子在D_(4h)对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO^(2+)晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量。本文不仅考虑了晶场机制,... 基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d^1离子在D_(4h)对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO^(2+)晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量。本文不仅考虑了晶场机制,同时也考虑了电荷转移机制。计算结果与实验数据是一致的。说明电荷转移机制对(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO^(2+)晶体的自旋哈密顿参量的结果有不可忽略的作用。 展开更多
关键词 自旋哈密顿参量 晶体场理论 电荷转移机制 (ZnKPO4·6H2O)∶VO^2+
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K_2PdX_4:Cu^(2+)超超精细参量研究
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作者 邬劭轶 姚劲松 +1 位作者 鲁广铎 张志红 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期727-729,共3页
利用离子簇模型,建立了四角伸长八面体中3d9体系超超精细参量的微扰公式;在理论上得到了轨道混合系数、未配对自旋密度、平均共价因子等参量的关系,并应用于K2PdX4(X=Cl,Br)中的四角[CuX4]2?中心,理论与实验比较符合。与文献[4]相比,该... 利用离子簇模型,建立了四角伸长八面体中3d9体系超超精细参量的微扰公式;在理论上得到了轨道混合系数、未配对自旋密度、平均共价因子等参量的关系,并应用于K2PdX4(X=Cl,Br)中的四角[CuX4]2?中心,理论与实验比较符合。与文献[4]相比,该文在计算公式上有所简化,并且调节参量数目进一步地减少,因而具有较好的适用性。 展开更多
关键词 晶体场理论 自旋哈密顿参量 配体超超精细结构参量 CU^2+
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NINO晶体的电子自旋共振
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作者 郭胜利 贺从佩 《南京气象学院学报》 CSCD 1999年第3期428-432,共5页
报道了 N I N O 晶体在 T= 1.5 K 温度和 101 G Hz 频率下的电子自旋共振( E S R)实验。建立了d8 离子基态3 A2 ( F)自旋哈密顿参量 D、 E 和g 因子与斜方对称晶场势参量间的关系,并对 N I N... 报道了 N I N O 晶体在 T= 1.5 K 温度和 101 G Hz 频率下的电子自旋共振( E S R)实验。建立了d8 离子基态3 A2 ( F)自旋哈密顿参量 D、 E 和g 因子与斜方对称晶场势参量间的关系,并对 N I N O 晶体进行了计算。所得结果与实验一致,表明所给关系式是合理的。 展开更多
关键词 电子自旋共振 自旋哈密顿参量 NINO 晶体
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激光、激光技术 激光工作物质
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《中国光学与应用光学》 2007年第4期16-17,共2页
关键词 激光晶体 氧化镧 Nd 镧化合物 激光 锁模技术 被动锁模 激光材料 激光工作物质 YAG 自旋哈密顿参量 电子技术 激光技术
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