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自对准硅化物SOI／CMOS技术研究: 1; 作者徐立奚雪梅 +2 位作者武国英李映雪王阳元《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期15-17,共3页; 在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实．验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地... 展开更多; 关键词自对准硅化物 SOI CMOS 集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

亚微米自对准硅化物工艺开发: 2; 作者刘允陈海峰《电子与封装》 2006年第3期37-39,共3页; 文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述。文中以实际生产为目标, 以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RTP1 温度,并开发出适合自对准硅化物薄膜的工艺标准。; 关键词自对准硅化物硅化物桥电阻率转移曲线 RTP退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

集成电路中金属硅化物的发展与演变: 3; 作者方志军汤继跃许志《集成电路应用》 2008年第9期51-52,共2页; 金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物（self-aligned silicide）工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。; 关键词大规模集成电路金属硅化物 VLSI/ULSI 演变自对准硅化物制造工艺器件技术 CMOS; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米金属硅化技术及其在设计中的应用: 4; 作者沈磊《集成电路应用》 2003年第4期76-81,共6页; 本文在引入金属硅化物基本特性的基础上,阐述了当今深亚微米工艺制程中广泛应用的两种金属硅化物-TiSi_2和CoSi_2在深亚微米技术中形成的机理及关键点,特别介绍了所谓"自对准硅化物"形成方式(Self-Aligned Silicide-salicide... 展开更多; 关键词金属硅化物深亚微米技术自对准硅化物窄线宽效应集成电路设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究: 5; 作者奚雪梅徐立 +3 位作者闫桂珍孟宪馨李映雪王阳元《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期13-14,17,共3页; 在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明，采用ＴＣｏ：ＴＳｉ≈... 展开更多; 关键词 SOI 自对准硅化物薄膜厚度最佳化; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温浸入和尖峰快速热处理对NiSi生成的影响: 6; 作者 Eun-Ha Kim Hali Forstner +2 位作者 Norman Tam Sundar Ramamurthy Susan Felch 《集成电路应用》 2007年第3期58-62,共5页; 自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻（Rs）和硅源／漏（S／D）区域的接触电阻。对于90nm以下的器件，S／D区域还要求是重掺杂的超浅结．以抑制短沟道效应并尽量减小结的Rs。Ni的硅化物（NiSi）与其它的常见硅化物（例如TiSi2和... 展开更多; 关键词 NISI 快速热处理自对准硅化物短沟道效应浸入低温器件结构 SIGE; 在线阅读下载PDF 职称材料

CIS生产工艺对暗电流(Dark Current)性能的影响: 7; 作者秋沉沉魏峥颖 +1 位作者钱俊孙昌《集成电路应用》 2021年第8期16-19,共4页; 研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响。通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优化可减少硅氧界面载流子与声子群的散射,可大大减少Si-SiO2界面附近陷阱,从而降低CIS传感器的暗电流(Dark... 展开更多; 关键词集成电路制造 CMOS图形传感器CIS 暗电流干法刻蚀热制程自对准硅化物阻挡层 SAB; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名自对准硅化物SOI／CMOS技术研究: 1; 作者徐立奚雪梅武国英李映雪王阳元; 机构北京大学微电子学研究所; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期15-17,共3页; 文摘在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实．验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间．提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。; 关键词自对准硅化物 SOI CMOS 集成电路; Keywords SALICIDE technology,SOI/CMOS; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名亚微米自对准硅化物工艺开发: 2; 作者刘允陈海峰; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《电子与封装》 2006年第3期37-39,共3页; 文摘文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述。文中以实际生产为目标, 以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RTP1 温度,并开发出适合自对准硅化物薄膜的工艺标准。; 关键词自对准硅化物硅化物桥电阻率转移曲线 RTP退火; Keywords Salicide Silicide Bridge Resistivity Transformation Curve RTP Anneal; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名集成电路中金属硅化物的发展与演变: 3; 作者方志军汤继跃许志; 机构应用材料(中国)公司; 出处《集成电路应用》 2008年第9期51-52,共2页; 文摘金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物（self-aligned silicide）工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。; 关键词大规模集成电路金属硅化物 VLSI/ULSI 演变自对准硅化物制造工艺器件技术 CMOS; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米金属硅化技术及其在设计中的应用: 4; 作者沈磊; 机构上海复旦微电子股份有限公司; 出处《集成电路应用》 2003年第4期76-81,共6页; 文摘本文在引入金属硅化物基本特性的基础上,阐述了当今深亚微米工艺制程中广泛应用的两种金属硅化物-TiSi_2和CoSi_2在深亚微米技术中形成的机理及关键点,特别介绍了所谓"自对准硅化物"形成方式(Self-Aligned Silicide-salicide)的原理及工艺过程,着重讨论了受"窄线宽效应"等影响时,TiSi_2等金属硅化物出现异常情况的原因,并针对性地给出了一些解决策略。与此同时,也讨论了在芯片设计时如何进行合理的单元拓扑结构设计,以期使金属硅化物发挥更大的效用等问题。; 关键词金属硅化物深亚微米技术自对准硅化物窄线宽效应集成电路设计; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究: 5; 作者奚雪梅徐立闫桂珍孟宪馨李映雪王阳元; 机构北京大学微电子研究所; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期13-14,17,共3页; 文摘在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明，采用ＴＣｏ：ＴＳｉ≈１：３．６的近似方法优化粘膜厚度，会得到薄层电阻最低的硅化接触，改善其接触特性。; 关键词 SOI 自对准硅化物薄膜厚度最佳化; Keywords SALICIDE technology,Metal thickness optimization,Sheet resistance; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温浸入和尖峰快速热处理对NiSi生成的影响: 6; 作者 Eun-Ha Kim Hali Forstner Norman Tam Sundar Ramamurthy Susan Felch; 机构 Spansion Inc. Applied Materials Inc.; 出处《集成电路应用》 2007年第3期58-62,共5页; 文摘自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻（Rs）和硅源／漏（S／D）区域的接触电阻。对于90nm以下的器件，S／D区域还要求是重掺杂的超浅结．以抑制短沟道效应并尽量减小结的Rs。Ni的硅化物（NiSi）与其它的常见硅化物（例如TiSi2和CoSi2）相比，具有较低的生成温度和更小的硅消耗量．所以成为90nm以下器件的可选择材料。NiSi还具有与SiGe的超强兼容性。在先进器件结构的PMOSS／D区域，SiGe常被用于引入硅沟道内的应变。; 关键词 NISI 快速热处理自对准硅化物短沟道效应浸入低温器件结构 SIGE; 分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CIS生产工艺对暗电流(Dark Current)性能的影响: 7; 作者秋沉沉魏峥颖钱俊孙昌; 机构上海华力微电子有限公司; 出处《集成电路应用》 2021年第8期16-19,共4页; 基金上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。; 文摘研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响。通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优化可减少硅氧界面载流子与声子群的散射,可大大减少Si-SiO2界面附近陷阱,从而降低CIS传感器的暗电流(Dark Current,DC)。实验数据表明,暗电流可改善30%~82.5%,可适用于不同像素尺寸(0.7~18μm)的CIS产品。; 关键词集成电路制造 CMOS图形传感器CIS 暗电流干法刻蚀热制程自对准硅化物阻挡层 SAB; Keywords integrated circuit manufacturing CMOS image sensor(CIS) dark current(DC) dry etching thermal salicide block layer(SAB); 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	自对准硅化物SOI／CMOS技术研究	徐立奚雪梅武国英李映雪王阳元	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	1995	在线阅读下载PDF 职称材料
2	亚微米自对准硅化物工艺开发	刘允陈海峰	《电子与封装》	2006	在线阅读下载PDF 职称材料
3	集成电路中金属硅化物的发展与演变	方志军汤继跃许志	《集成电路应用》	2008	在线阅读下载PDF 职称材料
4	深亚微米金属硅化技术及其在设计中的应用	沈磊	《集成电路应用》	2003	在线阅读下载PDF 职称材料
5	超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究	奚雪梅徐立闫桂珍孟宪馨李映雪王阳元	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	1995	在线阅读下载PDF 职称材料
6	低温浸入和尖峰快速热处理对NiSi生成的影响	Eun-Ha Kim Hali Forstner Norman Tam Sundar Ramamurthy Susan Felch	《集成电路应用》	2007	在线阅读下载PDF 职称材料
7	CIS生产工艺对暗电流(Dark Current)性能的影响	秋沉沉魏峥颖钱俊孙昌	《集成电路应用》	2021	在线阅读下载PDF 职称材料