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题名半导体微腔激光器中的自发辐射耦合增强效应
被引量：1
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作者
潘炜
张晓霞
罗斌
陈建国
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机构
西南交通大学计算机与通信工程学院
四川大学光电系
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期216-218,224,共4页
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基金
国家自然科学基金项目 ( 697770 19)
铁道部科技发展计划基金 ( 97× 2 1)资助项目
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文摘
针对半导体微腔激光器的结构特点 ,以及腔量子电动力学中自发辐射增强效应 ,采用光增益与载流子密度的对数关系 ,引入增益饱和项和非辐射复合项的贡献 ,指出即便是对于理想的封闭微腔 ,由于非辐射衰减速率的影响 ,光输出并不随泵浦线性变化。结合频谱和相图分析 ,给出了自发辐射耦合因子与微腔激光器的激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量关系的仿真结果 ,这对于微腔激光器的理论研究和优化器件结构有所裨益。
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关键词
半导体微腔激光器
自发辐射耦合因子
瞬态响应
增强效应
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Keywords
semiconductor microcavity lasers
spontaneous emission
threshold
transient response.
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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