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GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响
被引量：
2
1
作者
戴宪起
郑冬梅
黄凤珍
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期38-42,共5页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位...
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移.
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关键词
类氢杂质
量子点
自发极化和压电极化
激子结合能
发光波长
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职称材料
应变GaN量子点中激子态的研究(英文)
被引量：
2
2
作者
戴宪起
黄凤珍
史俊杰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期130-135,共6页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能...
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效带隙减小,电子、空穴产生明显分离,从而影响量子点的光学性质。理论计算的光跃迁能和实验结果一致。
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关键词
GaN量子点
激子结合能
自发极化和压电极化
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职称材料
题名
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响
被引量：
2
1
作者
戴宪起
郑冬梅
黄凤珍
机构
河南师范大学物理与信息工程学院
出处
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期38-42,共5页
基金
国家自然科学基金(60476047)
文摘
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移.
关键词
类氢杂质
量子点
自发极化和压电极化
激子结合能
发光波长
Keywords
Hydrogenie impurity
quantum dots
Piezoelectricity and spontaneous polarization
Exciton binding energy
Emission wavelength
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
应变GaN量子点中激子态的研究(英文)
被引量：
2
2
作者
戴宪起
黄凤珍
史俊杰
机构
河南师范大学物理与信息工程学院
北京大学物理系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期130-135,共6页
基金
ProjectsupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(60476047,60276004)
NaturalSci-enceFoundationofHenanprovince(974051900)
文摘
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效带隙减小,电子、空穴产生明显分离,从而影响量子点的光学性质。理论计算的光跃迁能和实验结果一致。
关键词
GaN量子点
激子结合能
自发极化和压电极化
Keywords
CaN quantum dots, exciton binding energy, piezoelectricity and spontaneous polarization
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响
戴宪起
郑冬梅
黄凤珍
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
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职称材料
2
应变GaN量子点中激子态的研究(英文)
戴宪起
黄凤珍
史俊杰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
统计分析
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