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基于腔体SOI的CMUT工艺方法及性能研究
1
作者
曾祥铖
陈佳琪
+3 位作者
孙佳丽
王任鑫
贾利成
杨玉华
《压电与声光》
北大核心
2025年第2期343-351,共9页
针对目前水下超声检测对超声探头结构尺寸、灵敏度及可靠性等方面的更高要求,提出了一种基于腔体绝缘体上硅工艺设计并制备微小电容式微机械超声换能器(CMUT)的方法,并通过封装完成了CMUT电学性能测试以及水下性能表征。测试结果表明,...
针对目前水下超声检测对超声探头结构尺寸、灵敏度及可靠性等方面的更高要求,提出了一种基于腔体绝缘体上硅工艺设计并制备微小电容式微机械超声换能器(CMUT)的方法,并通过封装完成了CMUT电学性能测试以及水下性能表征。测试结果表明,此方法制备的CMUT具有更高的良品率与一致性,且其发送电压响应级为169.03 dB、接收灵敏度为−211.31 dB、相对带宽为121%,表现出优异的灵敏度特性与指向性(−6 dB波束宽度为8°)。这种新型的CMUT制备方法为未来CMUT高密度集成及水下超声检测提供了理论支持与依据。
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关键词
电容式微机械超声换能器
晶圆键合工艺
腔体绝缘体上硅
灵敏度
带宽
指向性
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职称材料
MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
2
作者
刘福民
杨静
+3 位作者
梁德春
吴浩越
马骁
王学锋
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第3期58-61,共4页
微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究...
微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究,分析了衬底片残余应力变形与SOI面形之间的对应关系,用破坏性剪切试验、埋氧层腐蚀等方法研究了衬底层变形对键合质量的影响。结果表明:衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形时,Cavity-SOI片的键合质量最好。
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关键词
预埋
腔体绝缘体上硅
Si-SiO_(2)直接键合
薄膜应力
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职称材料
题名
基于腔体SOI的CMUT工艺方法及性能研究
1
作者
曾祥铖
陈佳琪
孙佳丽
王任鑫
贾利成
杨玉华
机构
中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室
出处
《压电与声光》
北大核心
2025年第2期343-351,共9页
基金
国家重点研发计划项目资助(2022YFB3204302)。
文摘
针对目前水下超声检测对超声探头结构尺寸、灵敏度及可靠性等方面的更高要求,提出了一种基于腔体绝缘体上硅工艺设计并制备微小电容式微机械超声换能器(CMUT)的方法,并通过封装完成了CMUT电学性能测试以及水下性能表征。测试结果表明,此方法制备的CMUT具有更高的良品率与一致性,且其发送电压响应级为169.03 dB、接收灵敏度为−211.31 dB、相对带宽为121%,表现出优异的灵敏度特性与指向性(−6 dB波束宽度为8°)。这种新型的CMUT制备方法为未来CMUT高密度集成及水下超声检测提供了理论支持与依据。
关键词
电容式微机械超声换能器
晶圆键合工艺
腔体绝缘体上硅
灵敏度
带宽
指向性
Keywords
capacitive microelectromechanical ultrasonic transducer
wafer bonding process
silicon on insulator of the cavity
sensitivity
bandwidth
directionality
分类号
TB552 [理学—声学]
TN912 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
2
作者
刘福民
杨静
梁德春
吴浩越
马骁
王学锋
机构
北京航天控制仪器研究所
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第3期58-61,共4页
文摘
微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究,分析了衬底片残余应力变形与SOI面形之间的对应关系,用破坏性剪切试验、埋氧层腐蚀等方法研究了衬底层变形对键合质量的影响。结果表明:衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形时,Cavity-SOI片的键合质量最好。
关键词
预埋
腔体绝缘体上硅
Si-SiO_(2)直接键合
薄膜应力
Keywords
silicon on insulator with buried cavities(Cavity-SOI)
Si-SiO_(2)direct bonding
stress in thin film
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于腔体SOI的CMUT工艺方法及性能研究
曾祥铖
陈佳琪
孙佳丽
王任鑫
贾利成
杨玉华
《压电与声光》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
刘福民
杨静
梁德春
吴浩越
马骁
王学锋
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
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