基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究 被引量：2

1

作者 陆荣 陆松涛 杨恒 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第12期118-120,共3页

提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在(111)型硅片上利用原电池钝... 提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在(111)型硅片上利用原电池钝化效应一次性腐蚀出与衬底绝缘,由约4μm厚的金电极支撑,厚度约为235 nm的亚微米梁结构,具有制作简单、成品率高、成本低等特点,应用前景广阔。 展开更多

关键词 亚微米梁 自停止腐蚀 电化学腐蚀 原电池

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自停止腐蚀工艺的观察

2

作者 唐圣明 陈思琴 韩明 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期408-409,共2页

关键词 自停止腐蚀工艺 大规模集成电路工艺 腐蚀剂 微机械器件 硅片腐蚀 微悬梁 加速度计结构

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AFM力传感器微机械加工技术的研究 被引量：1

3

作者 李庆祥 徐毓娴 +1 位作者 薛实福 刘永生 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期162-164,共3页

本文介绍了力传感器微机械加工工艺路线，对ＫＯＨ腐蚀硅的硅膜厚度控制进行了实验研究，以ＳＩＯ２为掩膜，ＳＦ６刻蚀硅，实现了悬臂梁探针一次成形，并用湿法腐蚀对探针进行初步锐化，针尖半径约５０ｎｍ。

关键词 力传感器 微机械加工 加工技术 湿法腐蚀 针尖半径 悬臂梁探针 加工工艺 表面质量 腐蚀自停止 反应离子刻蚀

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基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文) 被引量：2

4

作者 李蕾 温殿忠 +1 位作者 李刚 赵晓锋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期181-185,共5页

采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶... 采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现α-Si:H TFT的制作。在给出一般α-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对α-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究。提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5μm范围内,漏压由6V增加到30V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降。研究结果表明,距离漏端0.5μm范围内的压降导致负阻特性产生。 展开更多

关键词 α-Si:H TFT 纳米非晶硅薄膜 SOI材料 腐蚀自停止技术 负阻特性

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用于脉搏波检测的背接触式触觉传感阵列单元 被引量：2

5

作者 于婷婷 孙珂 +3 位作者 裴彬彬 陈建中 钟朋 杨恒 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期492-499,共8页

触觉传感器在脉搏波测量、仿生机器人等领域有重要应用。该方案制作背接触式传感器,并通过转移工艺实现芯片加工和圆片级芯片尺寸封装一体化,用组装工艺低成本实现大面积柔性触觉阵列;采用模块化设计,正压力与剪切力传感单元的尺寸和布... 触觉传感器在脉搏波测量、仿生机器人等领域有重要应用。该方案制作背接触式传感器,并通过转移工艺实现芯片加工和圆片级芯片尺寸封装一体化,用组装工艺低成本实现大面积柔性触觉阵列;采用模块化设计,正压力与剪切力传感单元的尺寸和布线相同,制作可组装的标准单元;在传感器转移工艺中,采用无电极化学腐蚀自停止工艺,提高成品率。传感单元尺寸仅为300μm×300μm,与人类触觉传感的极限可比拟,灵敏度为2 mV/10 kPa,量程为150 kPa,已用于研制新型脉诊仪的柔性传感阵列,实现了脉搏波的实时测量。 展开更多

关键词 柔性触觉传感器 背接触式 转移工艺 模块化结构 无电极化学腐蚀自停止 脉搏波检测

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基于金硅原电池保护电容加速度计的制作

6

作者 王辉 吴燕红 杨恒 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第1期133-136,共4页

提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池... 提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池保护实现梁和表面极板的保护。在TMAH腐蚀完成前,反镕丝保持断开状态,腐蚀完成后,击穿反镕丝形成导通状态。通过测量金和硅的极化曲线得到60℃25%TMAH中实现原电池保护的金硅面积比不小于5∶1。成功制作成电容式加速度计结构,释放前后梁宽度均在9.4～10μm范围内,表明原电池保护有效。击穿后反熔丝并联导通电阻为5～25 kΩ之间。 展开更多

关键词 电容加速度计 金硅原电池 反熔丝 腐蚀自停止

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双面接触式电容压力传感器的设计及制造工艺流程 被引量：2

7

作者 许高攀 陈广文 +1 位作者 胡国清 李志博 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2001年第9期33-35,共3页

双面接触式电容压力传感器除了具有单面接触式电容压力传感器的优点 ,还有它的特别之处 :双面接触式电容压力传感器被施加同样的压力时 ,可以得到比单面接触式电容压力传感器增大一倍的电容量和灵敏度 ,而且不会因此增加多少成本 ;工作... 双面接触式电容压力传感器除了具有单面接触式电容压力传感器的优点 ,还有它的特别之处 :双面接触式电容压力传感器被施加同样的压力时 ,可以得到比单面接触式电容压力传感器增大一倍的电容量和灵敏度 ,而且不会因此增加多少成本 ;工作时可靠性更高 ,即使一面失灵还有另一面可以正常工作。文中就双面接触式电容压力传感器的工艺进行了初步设计。 展开更多

关键词 双面接触式电容压力传感器 工艺流程 自停止腐蚀 设计 制造

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高机械灵敏度悬空导电薄膜的制备方法研究 被引量：4

8

作者 郑志霞 冯勇建 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期51-54,共4页

微机电系统中的悬空薄膜的制备技术是微结构制备的关键技术之一.研究了周边固支方形薄膜的机械灵敏度及通过浓硼扩散自停止腐蚀法制备高灵敏度悬空导电薄膜.实验结果表明,当扩散温度为1 175℃,扩散时间为3h,去除硼硅玻璃后四甲基氢氧化... 微机电系统中的悬空薄膜的制备技术是微结构制备的关键技术之一.研究了周边固支方形薄膜的机械灵敏度及通过浓硼扩散自停止腐蚀法制备高灵敏度悬空导电薄膜.实验结果表明,当扩散温度为1 175℃,扩散时间为3h,去除硼硅玻璃后四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液中腐蚀7.5h,可得到厚度为3μm,边长为5mm,方块电阻为1.12Ω/sq,致密均匀的悬空导电薄膜.给出了详细的制备工艺;针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,给出了切实可行的解决办法. 展开更多

关键词 机械灵敏度 悬空薄膜 浓硼扩散 自停止腐蚀

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P+膜制备工艺研究

9

作者 林雁飞 冯勇建 张丹 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期387-388,共2页

通过对浓硼扩散工艺的介绍,讨论了沉积过程中的几个重要参数,并针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,提出了可行的解决方法.

关键词 扩散 P+膜 硼硅玻璃 自停止腐蚀

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用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作 被引量：2

10

作者 蔡梅妮 林友玲 +3 位作者 车录锋 苏荣涛 周晓峰 黎晓林 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第12期107-110,113,共5页

设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个... 设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个深入腔内的V型抽气槽,使得MEMS器件在后续的封装中能够实现内部真空。为防止V型抽气槽在划片中被水或硅渣堵塞,采用双面划片工艺。划片后,器件的总尺寸为6.8 mm×5.6 mm×1.72 mm,其中,敏感质量块尺寸为3.2 mm×3.2 mm×0.86 mm,检测电容间隙2.1μm。对器件级真空封装后的MEMS加速度传感器进行了初步测试,结果表明:制作的传感器的谐振频率为861 Hz,品质因数Q为76,灵敏度为1.53V/gn,C-V特性正常,氦气细漏<1×10-9atm-cm3/s,粗漏无气泡。 展开更多

关键词 三明治电容式MEMS加速度传感器 自停止腐蚀 品质因数 器件级真空封装 双面划片

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三明治电容式MEMS加速度计的器件级真空封装

11

作者 蔡梅妮 车录锋 +3 位作者 林友玲 周晓峰 黎晓林 吴健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期790-794,814,共6页

为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中... 为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中常用的材料、工艺,可适用于不同尺寸或布局的MEMS芯片。利用该封装方法,对一种采用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上制作出2个对称"V"型槽的三明治式电容加速度计进行了真空封装,并对封装后的器件进行性能测试。结果表明,该加速度计在有吸气剂的情况下,品质因子(Q)可达到76,理论热机械噪声为0.026μg/槡Hz,腔体内部压强小于13 Pa,He气细漏检测漏率低于3×10-10Pa.m3/s,氟油粗漏无气泡,满足地震监测要求。 展开更多

关键词 三明治式MEMS加速度计 自停止腐蚀工艺 吸气剂 品质因子 器件级真空封装

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