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基于EIT技术颅内电阻抗特性分析
被引量：
3
1
作者
徐桂芝
王明时
+2 位作者
杨庆新
李颖
颜威利
《中国生物医学工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期705-708,共4页
电阻抗断层成像技术(EIT)是一种基于生物组织电学特性的成像技术。本研究基于EIT技术对二维四层同心圆头模型和基于MRI图片构造的脑电二维真实头模型的电阻抗特性进行了分析,给出了头部组织电导率参数变化对求解区域场内及头皮表面电位...
电阻抗断层成像技术(EIT)是一种基于生物组织电学特性的成像技术。本研究基于EIT技术对二维四层同心圆头模型和基于MRI图片构造的脑电二维真实头模型的电阻抗特性进行了分析,给出了头部组织电导率参数变化对求解区域场内及头皮表面电位分布的影响,得出了有实际意义的结论,为实现颅内EIT逆问题求解和阻抗成像及脑内电特性的深入研究奠定了基础。
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关键词
电
阻抗断层技术
真实头模型
脑电特性分析
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职称材料
题名
基于EIT技术颅内电阻抗特性分析
被引量：
3
1
作者
徐桂芝
王明时
杨庆新
李颖
颜威利
机构
天津大学精密仪器与光电子工程学院
河北工业大学生物医学工程系
出处
《中国生物医学工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期705-708,共4页
基金
国家自然科学基金项目(30170308)
河北省自然科学基金项目(E2004000054)资助
文摘
电阻抗断层成像技术(EIT)是一种基于生物组织电学特性的成像技术。本研究基于EIT技术对二维四层同心圆头模型和基于MRI图片构造的脑电二维真实头模型的电阻抗特性进行了分析,给出了头部组织电导率参数变化对求解区域场内及头皮表面电位分布的影响,得出了有实际意义的结论,为实现颅内EIT逆问题求解和阻抗成像及脑内电特性的深入研究奠定了基础。
关键词
电
阻抗断层技术
真实头模型
脑电特性分析
Keywords
electrical impedance tomography
realistic head model
brain electrical property
分类号
TM152 [电气工程—电工理论与新技术]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于EIT技术颅内电阻抗特性分析
徐桂芝
王明时
杨庆新
李颖
颜威利
《中国生物医学工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
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