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强辐射本底下的DT脉冲中子测量技术 被引量:1
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作者 唐章奎 杨高照 +1 位作者 王栋 李波均 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1383-1384,1431,共3页
介绍了在低产额的DT脉冲中子源上,考虑源本身发射比中子产额高3~4个量级的低能X射线,为了提高脉冲中子测量的信噪比,实验中采用了对中子灵敏的塑料闪烁体探测器,在光路中,采用铅衰减低能X射线的测量方法,获得了高信噪比的脉冲中子产额... 介绍了在低产额的DT脉冲中子源上,考虑源本身发射比中子产额高3~4个量级的低能X射线,为了提高脉冲中子测量的信噪比,实验中采用了对中子灵敏的塑料闪烁体探测器,在光路中,采用铅衰减低能X射线的测量方法,获得了高信噪比的脉冲中子产额测量数据,为堆物理参数测量提供了准确可靠的点火中子数据。 展开更多
关键词 脉冲dt中子测量 X射线屏蔽 闪烁探测器
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