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脉冲DT中子场中的CeF_3、ST401闪烁探测器输出比对 被引量:8
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作者 胡孟春 李忠宝 +6 位作者 唐章奎 周殿忠 杨洪琼 王振通 张建华 胡青元 杨高照 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期380-383,共4页
本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3 和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量。在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3 高1... 本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3 和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量。在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3 高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3 高30多倍。由此可得到CeF3 对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体。 展开更多
关键词 脉冲dt中子场 CeF3 ST401 闪烁探测器 中子灵敏度 无机闪烁体 辐射探测技术
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