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脉冲阴极弧金属等离子体源的调试及其应用 被引量：1
1
作者 孙韬 王小峰 +1 位作者 王浪平 汤宝寅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期467-470,共4页
对脉冲阴极弧金属等离子体源的工作参数进行了测量,研究了离子流与磁导管偏压以及磁场电流与离子流之间的关系,确定了其最佳工作参数。并应用该脉冲阴极弧金属等离子体源和等离子体浸没离子注入与沉积技术制备了TiC薄膜。对改性层的显... 对脉冲阴极弧金属等离子体源的工作参数进行了测量,研究了离子流与磁导管偏压以及磁场电流与离子流之间的关系,确定了其最佳工作参数。并应用该脉冲阴极弧金属等离子体源和等离子体浸没离子注入与沉积技术制备了TiC薄膜。对改性层的显微硬度、摩擦磨损性能和膜基结合力进行了测试分析。结果表明:合成TiC薄膜后,试样的显微硬度、摩擦磨损性能得到了明显的改善,并且膜层与基体之间的临界载荷为36.03 N。 展开更多
关键词 等离子体浸没离子注入与沉积 碳化钛薄膜 脉冲阴极弧金属等离子体源
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碱土金属的强短脉冲供电空心阴极灯激发常规炬管电感耦合等离子体离子荧光光谱初步研究 被引量：3
2
作者 张绍雨 弓振斌 黄本立 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期331-335,共5页
初步研究了碱土金属Ca，Sr，Ba的强短脉冲供电空心阴极灯（HCMP HCL）激发“常规短炬管”电感耦合等离子体离子荧光光谱（ICP IFS）。使用HCMP HCL激发光源和较大的ICP功率，在“常规短炬管”ICP中只观测到离子荧光信号，而没有观测到... 初步研究了碱土金属Ca，Sr，Ba的强短脉冲供电空心阴极灯（HCMP HCL）激发“常规短炬管”电感耦合等离子体离子荧光光谱（ICP IFS）。使用HCMP HCL激发光源和较大的ICP功率，在“常规短炬管”ICP中只观测到离子荧光信号，而没有观测到原子荧光信号；在较低观察高度和较小ICP功率时，离子荧光信号较强。才常见的“加长炬管”ICP原子荧光相比，“常规短矩管”ICP中Ba的离子荧光光谱的检出限改善了50倍以L，而Ca，Sr则基本一致。实验中对Ca，Sr，Ba五条离子荧光谱线测量的相对标准偏差为0．6％～1．4N（n=10，0．1～0．2μg·mL^-1）。实验中考察了K，Al，P等共存元素对Ca，Sr，Ba的离子荧光信号的影响，初步探讨了共存基体元素对Ca，Sr，Ba离子荧光信号影响的原因。 展开更多
关键词 碱土金属 强短脉冲供电空心阴极灯 电感耦合等离子体 离子荧光 原子荧光
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多弧离子渗金属——利用金属弧光等离子体进行表面合金化的新技术
3
作者 王福贞 唐希源 +2 位作者 周友苏 万春萍 裴显英 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 1991年第4期12-17,共6页
本文作者将多弧离子镀技术发展为多弧离子渗金属技术。充分发挥了阴极电弧源产生的金属弧光等离子体的作用。获得了各种渗金属层、渗镀结合层。本文介绍了多弧离子渗金属原理和各种渗金属层的特征。
关键词 离子渗金属 多弧离子镀 表面 结合层 电弧 等离子体 阴极 弧光
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等离子体阴极电子枪及其特性 被引量：7
4
作者 谢文楷 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期17-23,共7页
研究一种新型的长脉冲空心阴极等离子体电子枪及其特性。论述空心阴极放电机理及理论分析。给出长脉冲空心阴极等离子体电子枪结构与关键技术。该技术可用于发展一类紧凑、实用的ＨＰＭ源。
关键词 高功率电子束 空心阴极 等离子体电子枪 长脉冲 高功率微波源
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“液相等离子体电解新技术”专题序言
5
作者 薛文斌 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期I0005-I0006,共2页
液相等离子体电解技术基于液相放电产生高温等离子体,对轻金属和钢铁等金属材料进行表面改性,形成氧化膜、沉积层或渗层,显著提高材料的耐磨、耐蚀等性能。目前,基于阳极放电的铝、镁、钛等阀金属等离子体电解氧化(即微弧氧化技术)逐渐... 液相等离子体电解技术基于液相放电产生高温等离子体,对轻金属和钢铁等金属材料进行表面改性,形成氧化膜、沉积层或渗层,显著提高材料的耐磨、耐蚀等性能。目前,基于阳极放电的铝、镁、钛等阀金属等离子体电解氧化(即微弧氧化技术)逐渐成熟,氧化工艺、性能和机理研究论文大量发表。除阀金属微弧氧化外,等离子体电解技术还包括等离子体电解渗(碳氮硼)、等离子体电解抛光和清洗、等离子体电解氟化、阴极微弧电沉积、阴极等离子体电解氧化等工艺,也包括铁基、铜基材料等非阀金属微弧氧化。 展开更多
关键词 等离子体电解氧化 微弧氧化 电解抛光 金属材料 阴极微弧电沉积 高温等离子体 渗层 氧化工艺
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脉冲磁过滤阴极弧沉积中基片台悬浮电位研究 被引量：4
6
作者 邹学平 李国卿 +3 位作者 丁振峰 张家良 牟宗信 关秉羽 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期243-248,共6页
通过测量脉冲磁过滤阴极弧等离子体沉积系统中的基片台悬浮电位,发现了弧源接地方式对基片台悬浮电位与等离子体电位影响很大。当阳极接地时基片台悬浮电位可达-60V,而弧源悬浮时却只有-5V。因此,要获得相似沉积条件的沉积薄膜,弧源接... 通过测量脉冲磁过滤阴极弧等离子体沉积系统中的基片台悬浮电位,发现了弧源接地方式对基片台悬浮电位与等离子体电位影响很大。当阳极接地时基片台悬浮电位可达-60V,而弧源悬浮时却只有-5V。因此,要获得相似沉积条件的沉积薄膜,弧源接地方式不同,给基片施加偏压也应有所不同。 展开更多
关键词 脉冲磁过滤 阴极弧 沉积 基片台悬浮电位 等离子体电位 复合探针 基片偏压
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阴极真空弧沉积中MEVVA源两种工作状态的比较
7
作者 王广甫 田人和 +2 位作者 吴瑜光 张孝吉 张荟星 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期366-369,共4页
介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显．因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得电流... 介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显．因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得电流较大和较稳定的沉积离子束． 展开更多
关键词 真空弧沉积 阳极接地 等离子体源 阴极 MEVVA源
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阴极真空弧沉积中靶室第二阳极作用对系统性能的影响
8
作者 王广甫 张荟星 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期68-70,共3页
介绍了阴极真空弧沉积中 ,弧源在阴极接地和阳极接地两种不同工作状态下的工作特性。发现阳极接地时 ,因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用 ,聚焦磁场对弧源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显。因此可以加较高的聚焦磁场 。
关键词 阴极真空弧沉积 靶室 第二阳极作用 MEVVA等离子体源 薄膜 制备
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真空离子精饰镀膜技术研究
9
作者 陈宝清 董闯 吕传花 《电镀与精饰》 CAS 2002年第5期17-19,共3页
黄铜基材装饰件表面采用高能级溅射离子镀 ,镀不锈钢代替电镀钯 -镍合金 ,采用等离子体型阴极弧源 -磁控溅射镀技术在不锈钢镀膜表面上镀制 Ti N/ Au透明陶瓷保护膜 Si O2 、Ti O2 。并对各膜层的硬度、耐蚀性、耐磨性及相结构进行分析。
关键词 真空离子精饰镀膜技术 研究 离子掺金 高能级磁控溅射离子镀 等离子体型 阴极弧源-磁控溅射镀
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MEVVA放电在材料表面改性上的应用 被引量：1
10
作者 高玉 耿漫 +4 位作者 黄遇明 龚晓荣 于毅军 唐德礼 铁军 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期31-35,共5页
本文描述了金属蒸发真空弧（ＭＥＶＶＡ）放电的特点、阴极弧等离子体的形成过程．以及与加热蒸发电离方式相比ＭＥＶＶＡ放电的优越性。文章还叙述了建造的ＭＥＶＶＡ离子源的实用参数、工作过程及ＭＥＶＶＡ等离子体源在全方位离子注... 本文描述了金属蒸发真空弧（ＭＥＶＶＡ）放电的特点、阴极弧等离子体的形成过程．以及与加热蒸发电离方式相比ＭＥＶＶＡ放电的优越性。文章还叙述了建造的ＭＥＶＶＡ离子源的实用参数、工作过程及ＭＥＶＶＡ等离子体源在全方位离子注入装置中的应用。 展开更多
关键词 等离子体源 材料表面改性 阴极弧放电
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